【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式涉及电子装置制造领域，并且特别地涉及集成电路(integrated circuit,ic)制造。特别地，本公开内容的实施方式涉及物理气相沉积设备和用于物理气相沉积设备的腔室内清洁方法。
技术介绍
1、在物理气相沉积(pvd)期间，包括颗粒状物和污染物的材料在工艺配件(例如，屏蔽物、边缘环)上累积。形成在工艺配件上的材料可污染后续处理的晶片，从而需要移除和/或更换工艺配件部件。结果，由于频繁的预防性维护(preventative maintenance,pm)，通过pvd沉积厚的硬模膜是具有挑战性的，这影响晶片的处理量和成本。此外，使用现有硬件极难满足小颗粒污染的低规格。
2、pvd腔室的每次打开会产生污染机会和处理量问题。当靶材被耗尽并且需要更换时pvd腔室被打开。对于每个靶材寿命周期，pvd腔室经常被打开多次以更换工艺配件部件。
3、其他用于增加预防性维护之间的时间的方法包括使用经加热的屏蔽物、纹理化工艺配件、在金属零件上使用不同的材料涂层以提高热膨胀系数匹配、和使高应力膜破裂。然而，即使这些方法也仅能够运行少于2k的晶片，并且仍然需要频繁更换工艺配件。
4、许多化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)腔室使用远程等离子体源(remote plasma source,rps)在运行沉积工艺之前清洁所述腔室并且涂覆所述腔室。然而，由于保护pvd腔室内所有金属零件的困难性，尚未在所述腔室中进行远程等离子体源清洁。
5、因此，本领域
技术实现思路
1、本公开内容的一或多个实施方式针对一种处理腔室。在一些实施方式中，所述处理腔室包括：靶背板，所述靶背板在所述处理腔室的顶部部分中，其中所述基板支撑件具有支撑表面，所述支撑表面与靶背板间隔开某个距离以形成工艺腔基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理腔室的底部部分中；沉积环，所述沉积环定位在所述基板支撑件的外周边处，其中所述沉积环具有外部部分，所述外部部分具有与轮廓相符的(contoured)形状；和屏蔽物，所述屏蔽物形成所述工艺腔的外边界，其中所述屏蔽物具有在所述处理腔室的所述顶部部分中的屏蔽物顶端和在所述处理腔室的所述底部部分中的屏蔽物底端，所述顶端定位成围绕所述靶背板的周边并且所述底端定位成围绕所述基板支撑件的周边，所述底端包括与轮廓相符的表面，所述与轮廓相符的表面具有与所述沉积环的所述外部部分互补的形状。
2、在一些实施方式中，处理腔室的顶部部分包括顶部气体流动路径，所述顶部气体流动路径在所述靶背板的周边与所述屏蔽物的所述顶部之间。
3、在一些实施方式中，处理腔室的底部部分包括底部气体流动路径，所述底部气体流动路径在屏蔽物与沉积环之间。
4、本公开内容的另一实施方式针对一种腔室内清洁方法。在一些实施方式中，所述方法包括：当处理腔室处于工艺位置中时，关闭所述处理腔室至工艺腔的底部气体流动路径，所述工艺腔由基板支撑件、靶背板和屏蔽物限定；使惰性气体从惰性气体入口流入腔室中，其中所述腔室由所述基板支撑件、接地支架、所述屏蔽物、适配器和腔室主体限定；使反应物从反应物入口经由所述屏蔽物中的开口流入所述工艺腔中；和经由顶部气体流动路径从所述工艺腔排出所述反应物，其中所述顶部气体流动路径位于所述处理腔室的顶部部分内，所述顶部气体流动路径经过所述屏蔽物上方。
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1.一种处理腔室，包括：
2.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：
3.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括挡板盘，所述挡板盘定位在所述屏蔽物下方，其中所述基板支撑件和所述挡板盘是在工艺位置与清洁位置之间可移动的，在所述工艺位置处所述挡板盘水平地向外移动以使所述基板支撑件向上移动并且形成所述工艺腔，在所述清洁位置处所述基板支撑件向下移动以使所述挡板盘断开在所述基板支撑件与所述工艺腔之间的流体连接。
4.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括涡轮泵壳体，所述涡轮泵壳体当处于所述工艺位置中时经由所述底部流动路径与所述工艺腔流体连通，并且当处于所述清洁位置中时经由所述底部流动路径与所述工艺区域隔离。
5.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括粗抽泵，所述粗抽泵经由所述顶部流动路径与所述工艺区域流体连通。
6.如权利要求5所述的处理腔室，进一步包括粗抽阀，所述粗抽阀在所述粗抽泵与所述工艺腔之间，所述粗抽阀被配置为当所述粗抽阀被打开时允许气流从所述工艺腔经由所述顶部流动路径到达所述粗抽泵，并且当所述粗抽阀被关闭时阻止流动到所
7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述处理腔室被配置为当所述粗抽阀被关闭时允许气流经由所述顶部流动路径进入所述工艺区域中。
8.如权利要求7所述的处理腔室，其中当所述沉积环和所述密封支架处于所述清洁位置中时，所述粗抽阀是关闭的。
9.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述屏蔽物、所述靶背板、所述基板支撑件、所述沉积环、所述密封支架或所述涡轮泵壳体中的一或多者抵抗氟自由基和/或氟溅射。
10.一种腔室内清洁方法，包括以下步骤：
11.如权利要求10所述的方法，其中关闭所述底部气体流动路径是通过移动密封支架以接触波纹管组件来执行的，其中所述密封支架定位在所述基板支撑件的与所述靶背板相对的一侧上，使得所述沉积环在所述靶背板与所述密封支架之间，并且波纹管组件连接至所述屏蔽物。
12.如权利要求10所述的方法，其中关闭所述底部气体流动路径的步骤包括以下步骤：
13.如权利要求10所述的方法，其中所述反应物包括NF3、氟自由基、氢(H2)、氧(O2)或上述项目的组合。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述靶材中的一或多者维持在40℃至65℃的范围内的温度下，所述基板支撑件维持在200℃至250℃的范围内的温度下，或者所述屏蔽物维持在200℃至250℃的范围内的温度下。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述氟自由基是通过向所述基座施加RF偏压而形成的。
16.如权利要求13所述的方法，其中1升的NF3流入所述工艺腔中。
17.如权利要求10所述的方法，其中所述方法是通过进行以下的一或多者来执行的：使所述反应物在100毫托至1托的范围内的压力下在所述工艺腔中流动，或使所述惰性气体在2托至3托的范围内的压力下流入所述腔室中。
18.如权利要求10所述的方法，其中所述反应物包括氟自由基，所述氟自由基是在远程等离子体源中由NF3产生的。
19.如权利要求10所述的方法，进一步包括以下步骤：用涂覆材料涂覆所述基板支撑件、所述屏蔽物、所述沉积环、所述密封支架、所述波纹管组件或所述靶背板中的一或多者，所述涂覆材料选自由以下项组成的群组：YF、YOF、AlOF、ZrO2F、ZrO2、AlOx或Y2O3。
20.如权利要求10所述的方法，所述方法移除积聚材料，所述积聚材料包括SiN或SiN的衍生物。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理腔室，包括：
2.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：
3.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括挡板盘，所述挡板盘定位在所述屏蔽物下方，其中所述基板支撑件和所述挡板盘是在工艺位置与清洁位置之间可移动的，在所述工艺位置处所述挡板盘水平地向外移动以使所述基板支撑件向上移动并且形成所述工艺腔，在所述清洁位置处所述基板支撑件向下移动以使所述挡板盘断开在所述基板支撑件与所述工艺腔之间的流体连接。
4.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括涡轮泵壳体，所述涡轮泵壳体当处于所述工艺位置中时经由所述底部流动路径与所述工艺腔流体连通，并且当处于所述清洁位置中时经由所述底部流动路径与所述工艺区域隔离。
5.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括粗抽泵，所述粗抽泵经由所述顶部流动路径与所述工艺区域流体连通。
6.如权利要求5所述的处理腔室，进一步包括粗抽阀，所述粗抽阀在所述粗抽泵与所述工艺腔之间，所述粗抽阀被配置为当所述粗抽阀被打开时允许气流从所述工艺腔经由所述顶部流动路径到达所述粗抽泵，并且当所述粗抽阀被关闭时阻止流动到所述粗抽泵。
7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述处理腔室被配置为当所述粗抽阀被关闭时允许气流经由所述顶部流动路径进入所述工艺区域中。
8.如权利要求7所述的处理腔室，其中当所述沉积环和所述密封支架处于所述清洁位置中时，所述粗抽阀是关闭的。
9.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述屏蔽物、所述靶背板、所述基板支撑件、所述沉积环、所述密封支架或所述涡轮泵壳体中的一或多者抵抗氟自由基和/或氟溅射。
10.一种腔室内清洁方法，包括以下步骤：
11.如权利要求10所述的方法，其中关闭所述底...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔斯林甘·罗摩林甘，曹勇，伊利亚·拉维特斯凯，基思·A·米勒，龚则敬，唐先敏，谢恩·拉万，兰迪·D·施密丁，约翰·C·福斯特，克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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