【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及用于半导体制造的部件和装置。更具体地，本技术涉及处理腔室分配部件和其他半导体处理装备。
技术介绍
1、集成电路通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺而成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成和移除材料的受控方法。腔室部件通常将处理气体输送到基板以沉积膜或移除材料。为了促进对称性和均匀性，许多腔室部件可包括特征的规则图案，用于以可增加均匀性的方式提供材料。然而，这可能会限制调谐用于晶片上调整的配方的能力。
2、因此，需要可用于产生高质量器件和结构的改进系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。
技术实现思路
1、示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括设置在此腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可界定基板支撑表面。腔室可包括定位支撑在此腔室主体顶部的喷头。基板支撑件和喷头的底表面可至少部分地界定半导体处理腔室内的处理区域。喷头可界定穿过喷头的多个孔。喷头的底表面可界定环形槽，此环形槽直接定位在基板支撑件的至少一部分上方。
2、在一些实施例中，基板支撑件可包括从此基板支撑件的上表面向上突出的加热器凹部。环形槽可具有对应于此加热器凹部的大小和形状的大小和形状。腔室可包括嵌入此基板支撑件内的rf网格。rf网格与此喷头的此底表面之间的垂直距离可跨喷头的长度变化。环形槽可设置在所述多个孔的径向外侧。喷头的底表面可界定从此底表面向下突出的环形脊。环形槽与环形脊可彼此接触。环形槽与环形脊可彼此间隔开。环形槽的内边缘和外边缘可逐渐变窄。槽的深度可在约5密耳
3、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理腔室。腔室可包括腔室主体。腔室可包括设置在腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可界定基板支撑表面。腔室可包括定位支撑在此腔室主体顶部的喷头。基板支撑件和喷头的底表面可至少部分地界定半导体处理腔室内的处理区域。喷头可界定穿过喷头的多个孔。喷头的底表面可界定环形起伏特征。
4、在一些实施例中，此环形起伏特征可包括槽和脊中的一者或两者。此环形起伏特征的至少一部分可设置在多个孔中的至少一者的径向内侧。所述多个孔的子集可设置在此环形起伏特征内。所述多个孔中的每一者可包括上部和下部。下部可具有小于上部的直径。此子集内的所述多个孔中的每一者的下部可具有与不包括在此子集中的所述多个孔中的每一者相同的大小。起伏特征的深度或高度可跨此起伏特征的宽度恒定。起伏特征的深度或高度可跨此起伏特征的宽度变化。喷头的底表面可界定额外的环形起伏特征。
5、本技术的一些实施例可涵盖处理基板的方法。这些方法可包括使前驱物流入处理腔室。此处理腔室可包括喷头和基板支撑件，基板设置在此基板支撑件上。处理腔室的处理区域可至少部分地界定在喷头与基板支撑件之间。喷头可界定穿过喷头的多个孔。喷头的底表面可界定环形起伏特征。这些方法可包括在此处理腔室的处理区域内产生此前驱物的等离子体。这些方法可包括在此基板上沉积材料。
6、在一些实施例中，环形起伏特征可包括槽和脊中的一者或两者。基板支撑件可包括rf网格。rf网格与喷头的底表面之间的垂直距离可跨此喷头的长度变化。
7、所述技术可提供优于常规系统和技术的益处。例如，本技术的实施例可允许在基板的边缘区域进行受控沉积。此外，部件可维持边缘区域等离子体的产生，以减少对等离子体密度和分布的影响。结合以下描述和附图更详细地描述这些和其他实施例以及其许多优点和特征。
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1.一种半导体处理腔室，其包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中：
3.如权利要求1所述的半导体处理腔室，进一步包括：
4.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中：
5.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中：
6.如权利要求5所述的半导体处理腔室，其中：
7.如权利要求5所述的半导体处理腔室，其中：
8.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中：
9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中：
10.一种半导体处理腔室，包括：
11.如权利要求10所述的半导体处理腔室，其中：
12.如权利要求10所述的半导体处理腔室，其中：
13.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中：
14.如权利要求13所述的半导体处理腔室，其中：
15.如权利要求10所述的半导体处理腔室，其中：
16.如权利要求10所述的半导体处理腔室，其中：
17.如权利要求10所述的半导体处理腔室，其中：
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