【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体上涉及半导体装置。更具体地，本专利技术的实施例涉及具有源极漏极区的环绕式栅极(gaa)装置，源极漏极区具有模板。
技术介绍
1、晶体管是大多数集成电路的关键部件。由于晶体管的驱动电流(及因此其速度)与晶体管的栅极宽度成比例，较快的晶体管通常需要较大的栅极宽度。因此，在晶体管尺寸与速度之间有着权衡(trade-off)，及“鳍式”场效应晶体管(finfet)已经被发展以解决具有最大驱动电流及最小尺寸的晶体管的冲突目标。finfet以鳍形沟道区为特征，鳍形沟道区大幅增加晶体管的尺寸而不显着增加晶体管的占地面积，且现在被应用在许多集成电路中。然而，finfet具有其自己的缺点。
2、由于晶体管装置的特征尺寸持续缩减以达成更大的电路密度与更高的效能，需要改善晶体管装置结构以改善静电耦合与降低诸如寄生电容及切离状态漏电的负作用。晶体管装置结构的实例包括平面结构，鳍式场效应晶体管(finfet)结构、及水平环绕式栅极(hgaa)结构。hgaa装置结构包括悬置成堆叠组态及通过源极/漏极区连接的数个晶格匹配沟道。hga...
【技术保护点】
1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模板材料是非晶的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述模板材料包含硅(Si)、硅锗(SiGe)、钛(Ti)、锆(Zr)、及铪(Hf)。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述模板材料具有在从2nm至50nm的范围内的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个半导体材料层与所述多个水平沟道层独立地包含硅锗(SiGe)及硅(Si)中的一者或多者。
6.根据权利要求1所述的方法，其中使所述模板材料结晶包含快速热处理(RT...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模板材料是非晶的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述模板材料包含硅(si)、硅锗(sige)、钛(ti)、锆(zr)、及铪(hf)。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述模板材料具有在从2nm至50nm的范围内的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个半导体材料层与所述多个水平沟道层独立地包含硅锗(sige)及硅(si)中的一者或多者。
6.根据权利要求1所述的方法，其中使所述模板材料结晶包含快速热处理(rtp)退火或激光退火中的一者或多者。
7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述源极区与所述漏极区包含在所述源极区上与所述漏极区上成长外延层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极区与所述漏极区独立地被磷(p)、砷(as)、硼(b)、及镓(ga)中的一者或多者所掺杂。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部介电隔离层包含氧化硅(siox)、氮化硅(sin)、碳化硅(sic)、及高k材料中的一者或多者。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在所述超晶格结构的顶表面上形成栅极结构。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包含在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：本杰明·科伦坡，索拉布·乔普拉，金明宣，B·普拉纳瑟提哈兰，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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