一种电子器件制造系统，包括：传输腔室、位于该传输腔室内的工具站、与该传输腔室耦合的处理腔室、以及传输腔室机器人。该传输腔室机器人被配置为向该处理腔室传输基板和从该处理腔室传输基板。该传输腔室机器人被进一步配置为耦合至包括一个或多个传感器...

示例性的双通道喷淋头可以包括上板，该上板限定第一多个孔。喷淋头可以包括具有下板的基部。该下板可以限定第二多个孔和第三多个孔。该第一多个孔中的每一者可以与该第二多个孔中相应的一者流体耦合，以限定从该喷淋头的顶表面通过该喷淋头的底表面延伸的...

描述了半导体组件和其制造方法。提供硅晶片，并在硅晶片上形成埋入式蚀刻终止层。然后，使晶片接受组件和前端工艺。在前端工艺后，晶片经历了混合键结，然后晶片被薄化。为了薄化晶片，具有起始第一厚度的硅基板层被研磨成第二厚度，第二厚度比第一厚度小...

本文提供了用于处理腔室的加热式盖件的实施例。在一些实施例中，加热式盖件包括：具有中心区域及周边区域的主体，其中主体包括中心区域中的中心开口，其中周边区域包括延伸进主体上表面并沿圆形布置以提供热隔断的多个垂直狭槽，且其中主体包括延伸进主体...

描述计量槽板、处理腔室盖和具有计量槽板的处理腔室。计量槽板中的每一者独立地包括板坯、反射计、电容传感器、气体流量计、压力计、高温计、距离传感器(激光器)或发射率计中的一者或多者。

描述了包括具有顶板的壳体的磁铁组件，每个顶板包括对准的开口。壳体具有底环和环形壁，其中多个开口形成在该底环中。该顶板在该壳体上，并且具有多个开口，该多个开口与该壳体的该底环中的多个开口对准。该磁铁组件还可包括不导电的基底板和/或导电的盖...

本文所述的实施方式涉及子像素电路、包括子像素电路的显示器和一种形成可用于诸如有机发光二极管(OLED)显示器这样的显示器中的子像素电路的方法。本文所述的显示器的一些配置包括：所述子像素电路；以及至少一个传感器开口，所述至少一个传感器开口...

蚀刻的示例性方法可包括使含氟前驱物及二次气体流动至半导体处理腔室的处理区域中。二次气体可为或包括氧气或氮气。含氟前驱物与二次气体的流动速率比可为大于或约1:1。所述方法可包括使基板与含氟前驱物及二次气体接触。基板可包括暴露的金属。基板可...

本文提供了用于涂覆处理反应器部件零件的方法及设备。在一些实施方式中，零件涂覆反应器包括：下主体及盖组件，所述下主体及所述盖组件共同限定及包围内部容积；一或更多个加热器，所述一或更多个加热器设置在所述盖组件中；一或更多个冷却剂通道，所述一...

一种训练神经网络的方法包括获得测试基板的两个地表实况厚度轮廓，当测试基板在不同厚度的研磨垫上时获得通过原位监测系统测量的测试基板的两个厚度轮廓，通过在两个轮廓之间内插来产生针对在两个厚度值之间的另一厚度值的估计的厚度轮廓，以及使用估计的...

一种系统，包括：处理设备，与该存储器设备可操作地耦接，以执行包括以下步骤的操作：获得与在工艺腔室中依据配方执行的用以在基板的表面上沉积膜的沉积工艺相关联的多个传感器值；基于该多个传感器值来产生制造数据图；经由用户界面接收对该制造图上的数...

一种间隙填充基板上的特征的方法通过使用卤化钨浸泡处理来减小特征到特征间隙填充高度变化。在一些实施例中，所述方法可包括将基板加热至大约350摄氏度到大约450摄氏度的温度，在大约5托至大约25托的工艺压力下将基板暴露于卤化钨气体，用卤化钨...

描述了支座组件、用于支座组件的冲洗环、及用于增加边缘冲洗气体在加热的支座组件中的停留时间的处理方法。冲洗环具有限定冲洗环的厚度的内直径面和外直径面、限定冲洗环的高度的顶部表面和底部表面、和热膨胀特征。冲洗环包括延伸穿过厚度并与基板支撑件...

本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板...

形成组件的方法包括在基板上形成介电层，该介电层包含至少一个特征结构，该至少一个特征结构界定包含侧壁及底部的间隙。在间隙的底部上形成自组装单层(SAM)，及在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之前在SAM上形成该阻挡层。在阻挡层上选择性沉积金属衬...

本文揭示的实施方式包括一种用于确定高温计的温度误差的方法。在一实施方式中，该方法包含用该高温计的第一传感器测量第一信号及用该高温计的第二传感器测量第二信号。在一实施方式中，该方法进一步包含根据该第一信号及该第二信号确定反射板的反射率，及...

提供用于制造系统处的多级RF脉冲监测和RF脉冲化参数优化的方法和系统。射频(RF)信号依据一组RF脉冲化参数在处理腔室内被脉冲化。从一个或多个传感器接收传感器数据，所述传感器数据表明基于所述射频信号脉冲化在所述处理腔室内所检测的多级RF...

在一个方面中，在工艺腔室中在第一压力下执行工艺操作，且在外延沉积腔室中在大气压下执行外延沉积操作。大气压高于第一压力。将工艺腔室安装至在第一压力(减小的压力)下操作的第一主机，且将外延沉积腔室安装至在大气压下操作的第二主机。在一个方面中...

本文公开了传递腔室机器人及其使用方法的实施方式。在一个实施方式中，一种用于电子器件制造系统的处理工具包含传递腔室、耦接到传递腔室的处理腔室、及传递腔室机器人。传递腔室机器人经配置为将基板传递到处理腔室及从处理腔室传递基板，并且包含经配置...

本发明描述用于减少冷却腔室中的冷却时间的方法及设备。该方法及设备包括处理腔室、传送腔室、传送腔室中的双搬运传送机器人以及冷却腔室。所使用的双搬运传送机器人将基板在处理腔室与冷却腔室之间传送。将基板移动至冷却腔室中之前基板设置于双搬运传送...