【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式总体涉及包含一或多个压力稳定腔室的群集工具、系统及方法。
技术介绍
1、在处理基板期间，可能限制外延操作的生长速率。提高生长速率的努力可造成基板上的污染物增加，或以其他方式阻碍由经处理的基板形成的装置的性能。
2、因此，需要促进外延生长速率提高的改良的设备、系统及方法。
技术实现思路
1、本公开内容的实施方式总体涉及具有一或多个压力稳定腔室(pressurestabilization chamber)的群集工具、系统及方法。在本公开内容的一个方面中，在清洁腔室中在第一压力下执行清洁操作，且在外延沉积腔室中在大气压下及某个温度下执行外延沉积操作。大气压高于第一压力。
2、在一个实施方式中，适于处理半导体基板的群集工具包含第一主机、安装至第一主机的一或多个工艺腔室及耦接至第一主机的第二主机。一或多个工艺腔室经配置以在低于700托的第一压力下执行工艺操作。群集工具包含耦接至第二主机的一或多个外延沉积腔室。一或多个外延沉积腔室经配置以在处于700托至80...
【技术保护点】
1.一种适于处理半导体基板的群集工具，所述群集工具包含：
2.如权利要求1所述的群集工具，其中所述一或多个工艺腔室包含一或多个清洁腔室，且所述工艺操作是清洁操作。
3.如权利要求1所述的群集工具，其中所述一或多个工艺腔室包含一或多个减压(reduced pressure)外延沉积腔室，且所述工艺操作是减压外延沉积操作。
4.如权利要求1所述的群集工具，进一步包含：
5.如权利要求1所述的群集工具，进一步包含耦接于所述第一主机与所述第二主机之间的至少一个压力稳定腔室，其中所述第一主机在所述第一压力下操作，且所述第二主机在所
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种适于处理半导体基板的群集工具，所述群集工具包含：
2.如权利要求1所述的群集工具，其中所述一或多个工艺腔室包含一或多个清洁腔室，且所述工艺操作是清洁操作。
3.如权利要求1所述的群集工具，其中所述一或多个工艺腔室包含一或多个减压(reduced pressure)外延沉积腔室，且所述工艺操作是减压外延沉积操作。
4.如权利要求1所述的群集工具，进一步包含：
5.如权利要求1所述的群集工具，进一步包含耦接于所述第一主机与所述第二主机之间的至少一个压力稳定腔室，其中所述第一主机在所述第一压力下操作，且所述第二主机在所述大气压下操作。
6.如权利要求5所述的群集工具，其中所述至少一个压力稳定腔室包含：
7.如权利要求5所述的群集工具，进一步包含：
8.一种处理基板的方法，包含以下步骤：
9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一压力在30托至80托的范围内。
10.如权利要求9所述的方法，其中对所述基板执行所述外延沉积操作，同时将所述第二处理容积维持于400摄氏度至1200摄氏度的范围内的温度。
11.如权利要求8所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：索拉布·乔普拉，马丁·杰弗里·萨利纳斯，石井才人，段生振，斯里维迪亚·纳塔拉詹，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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