本文提供在物理气相沉积(PVD)工艺中提高膜均匀性的装置和方法。在一些实施例中，PVD腔室包含：底座，所述底座设置在PVD腔室的处理区域内，所述底座具有被配置成在其上支撑基板的上表面；第一电机，所述第一电机耦接至底座；盖组件，所述盖组件...

本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。在一个实施方式中，装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例...

在另外的实施方式中，提供了一种半导体处理工具。在一实施方式中，半导体处理工具包含腔室，及密封腔室的盖体。在一实施方式中，弹性体密封件位于腔室与盖体之间。在一实施方式中，弹性体密封件包含具有碳链的聚合物，其中碳链中碳之间的平均键数大于1....

例示性半导体处理方法可以包括将含硅前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可以包括沉积在基板上的含氮成核层。所述方法可包括在含氮成核层的至少第一部分上形成含硅材料。所述方法可包括在含氮成核层的...

本公开内容的方面涉及用于校正基板的热处理的系统、方法和装置。在一个方面中，产生了具有多个校正吸收系数的校正吸收系数曲线。

本发明描述一种系统，其包含服务器及制造设备，其中该系统被配置为启动制造设备的维护过程。维护过程包括多个维护阶段。系统进一步被配置为向用户装置提供指令，该指令指示将执行第一维护阶段。系统进一步被配置为接收由执行第一维护阶段得到的数据。系统...

提供了一种用于制造系统处的时间约束管理的方法。该方法包括：接收启动要在制造系统处运行的操作集合的请求，其中该操作集合包括一个或多个操作，每个操作具有一个或多个时间约束。该方法进一步包括：获得与该制造系统的当前状态有关的当前数据。该方法进...

示例性子像素结构包括定向发光二极管结构，其以具有小于或约10°的发散角的发射光的半峰全宽(FWHM)为特征。子像素结构进一步包括透镜，透镜位于距发光二极管结构第一距离处，其中透镜的形状被设置以聚焦从发光二极管结构的发射光。子像素结构又进...

本文提供的公开内容的方面总体涉及被配置以冷却基板处理系统的子系统的流体流动网络。本公开内容的方面提供一种流体流动网络及方法，所述方法调整穿过基板处理系统的每个子系统的冷却流体的流动。本文描述的方法可以包括在冷却流体压力的范围内维持穿过每...

本文提供兆声波清洁腔室的实施方式。在一些实施方式中，兆声波清洁腔室包括：腔室主体，界定该腔室主体中的内部空间；基板支撑件，支撑设置于该内部空间中的基板；供应管，包括透明材料，该透明材料被构造为引导清洁流体至该基板支撑件；兆声波功率产生器...

描述了半导体装置和其制造方法。方法包括正面处理以形成深的源极/漏极空腔，并用牺牲材料填充空腔。然后在背侧处理过程中移除牺牲材料，以形成填充有金属填料的背侧电力轨通孔。

本公开内容与半导体器件和其形成方法相关。更详细而言，本公开内容与具有形成在其上的加强框架的半导体封装器件相关。加强框架的并入改进了半导体封装器件的结构完整性，以减轻翘曲和/或塌陷，同时能够利用更薄的核心基板，从而改进所封装的器件之间的信...

用于沉积腔室的适配器包括：适配器主体，所述适配器主体在上侧和与所述上侧相对的下侧之间绕着中心轴纵向延伸。所述适配器主体具有绕着所述中心轴的中心开口。所述适配器主体具有径向外部分和径向内部分，所述径向外部分在所述下侧上具有连接表面，所述径...

描述数种电镀具有纳米双晶结构的金属的范例性方法。所述电镀方法可包括电镀金属材料至图案化基板上的至少一开口中，其中金属材料的至少一部分以纳米双晶结构为特征。所述方法可进一步包括抛光开口中的金属材料的暴露表面，以减少暴露表面的平均表面粗糙度...

一种特征化半导体层中缺陷的方法可包括形成第一电极、第一阻挡层、半导体层及第二电极，其中第一阻挡层在第一电极与半导体层之间，而半导体层在第一阻挡层与第二电极之间。所述方法亦可包括使电流流经半导体层，其中第一阻挡层防止电流进入半导体层的导带...

一种用于间隔物图案化的方法包括：执行沉积工艺，所述沉积工艺包括在刚沉积在图案化芯轴层的顶表面和所述图案化芯轴层的侧壁上的间隔物层之上共形地沉积上覆层；以及使用含氟蚀刻气体执行蚀刻工艺。所述蚀刻工艺包括：沉积后穿透工艺，所述沉积后穿透工艺...

一种用于基板上的特征的介电填充的方法产生用于窄特征的具有高介电常数的无缝介电填充件。在一些实施方式中，所述方法可包括：将金属材料沉积到特征中以从特征的底部填充特征，其中特征在基板的上表面处具有从小于20nm至近似150nm范围变化的开口...

半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。方法可包括在完全穿透形成在基板上的层堆叠之前中止蚀刻。方法可包括沿着基板上的层堆叠形成含碳材料层。含碳材料层可包括金属。方法可包括完全穿过基板上的层堆叠而蚀...

系统包括存储器和可操作地耦合到存储器的处理装置，以执行包括以下步骤的操作：接收与涉及电子器件制造的处理相关联的数据以作为用于识别关于至少一个缺陷类型的缺陷影响的经训练的机器学习模型的输入。与处理相关联的数据包括以下项中的至少一者：用于处...

示例处理方法可包括形成含硅前驱物的等离子体。此方法可包括以含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。处理区可至少部分地被限定在面板与基板支撑件之间，半导体基板坐落在基板支撑件上。可从偏压电源施加偏压功率至基板支撑件。此方法可...