本公开内容的方面关于在基板上进行退火操作之前在基板上进行自由基处理操作的方法、系统、及设备。在一个实施方式中，处理半导体基板的方法包括预加热基板，及将基板暴露至物种自由基。将基板暴露至物种自由基包括小于300℃的处理温度、小于1.0托的...

半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在容纳于半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积材料层。处理区域可在沉积期间保持在第一压力。方法可包括在处理区域内延伸挡板。挡板可改变处理区域内的流动路径...

描述了电镀的示例性方法。所述方法可包括使图案化基板与电镀腔室中的镀浴接触。所述图案化基板包括具有暴露于所述镀浴的接触表面的至少一个金属互连。所述金属互连由特征为第一还原电位的第一金属制成。所述方法进一步包括在所述金属互连的所述接触表面上...

本公开内容关于一种用于处理腔室的气体注入模块。处理腔室包括：腔室主体；可旋转的基板支撑件，其设置在腔室主体的处理容积内部，基板支撑件被配置成具有旋转自旋速率；形成于腔室主体中的入口端口；及耦接到入口端口的注入模块。注入模块包括：主体；耦...

描述一种用于在真空条件下传输薄膜基板(12)的设备(10)。用于传输的所述设备(10)包括具有面向基板表面(102)的可旋转辊(100)，所述面向基板表面(102)包括第一面向基板表面部分(104)，其中所述面向基板表面(102)包括一...

在特征上用于形成钨间隙填充的方法。一种用于在特征中形成钨间隙填充的方法，可包括：在基板上处理第一层，所述基板具有通过特征暴露的第一层的一部分；使用物理气相沉积(PVD)工艺在特征中于第一层的处理的部分顶部沉积钨衬垫层；及使用化学气相沉积...

提供用于借由具有宽工艺窗、高效率及低成本的激光源来处理锂电池的方法及设备。激光源被调适以实现皮秒脉冲的高平均功率及高频率。激光源可在固定位置或以扫描模式产生线形光束。系统可在干燥室或真空环境中操作。系统可包括对处理位点的碎屑移除机制(例...

描述了一种发光像素结构，其可包括一组发光二极管结构，其中发光二极管结构中的每个发光二极管结构是可操作的以发射表征为不同峰值发射波长的光。该结构亦可包括图案化光吸收屏障，其特征在于屏障中的一组开口，其中开口中的每个开口允许来自发光二极管结...

本文提供用于将小芯片接合至基板的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理工具包括：第一装备前端模块(EFEM)和第二EFEM，第一EFEM具有用于接收一个或多个类型的基板的一个或多个装载口，并且第二EFEM具有一个或多个...

在实施方式中，提供一种用于氮化基板的方法。所述方法包括使含氮源及载气流至耦接至腔室的等离子体处理源中，以使得含氮源的流动速率为载气的流动速率的约3％至20％；通过操作电感耦合等离子体(ICP)源而在等离子体处理源中产生ICP，ICP包括...

本公开内容的实施方式涉及一种具有一个或多个流量控制器的阴影框架支撑件和一种控制通过该阴影框架支撑件的气体的流量的方法。该阴影框架支撑件包括耦接到腔室的壁的主体，使得该阴影框架支撑件的顶表面水平地设置在该腔室中。该主体具有穿过该主体设置的...

用于基板处理腔室的示例性扩散器可包括扩散器主体，其特征在于扩散器主体的入口侧上的第一表面和扩散器主体的出口侧上的第二表面。扩散器主体可限定穿过扩散器主体的厚度的多个缝隙。第一表面可为未经阳极氧化。第二表面可为经阳极氧化。

在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实...

提供了一种包括含钨层的基板的结构，所述含钨层包括成核层和填充层。所述成核层是沿着所述开口的侧壁设置的。所述成核层包括硼和钨。所述填充层设置在所述开口内的所述成核层之上。所述含钨层包括约16μΩ·cm或更小的电阻率。所述含钨层具有约至约的...

描述了用于传感器计量数据整合的方法、系统和非瞬时性计算机可读介质。一种方法包括接收传感器数据组和计量数据组。每组传感器数据包括与由制造设备生产对应产品相关联的对应传感器值和对应的传感器数据标识符。每组计量数据包括与由制造设备制造的对应产...

在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实...

半导体处理的示例性方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中容纳的基板上沉积含碳材料。所述方法可包括停止含碳前驱物到半导体处理腔室的处理区域中的流动。所述方法可包括使含碳材...

提供一种形成用于光学装置结构的多个光栅的方法。所述方法利用高折射率材料及金属涂层。

一种网桥加固构件组件包括第一加固构件板和第二加固构件板、以及用于将第一加固构件板和第二加固构件板固定至数字光刻系统的网桥结构的夹板。夹板包括设置在第一加固构件板的第一端上的第一对夹板、设置在第一加固构件板的第二端和第二加固构件板的第一端...

例示性半导体结构可以包括含硅基板。这种结构可以包括上覆于含硅基板上的金属氮化物层。金属氮化物层可以包括多个特征。这种结构可以包括上覆于金属氮化物层的氮化镓结构。