本文揭露的实施方式包含光学传感器系统及使用这些系统的方法。在一实施方式中，光学传感器系统包括：外壳及光学路径，所述光学路径穿过所述外壳。在一实施方式中，所述光学路径包括第一端及第二端。在一实施方式中，反射器位于所述光学路径的所述第一端处...

一种化学机械抛光装置具有：压板，所述压板支撑抛光垫；载体头，所述载体头包括刚性外壳并被配置为将基板的表面固持抵靠所述抛光垫；电动机，所述电动机用于产生在所述压板与所述载体头之间的相对运动，以便抛光所述基板；原位载体头监测系统，所述原位载...

本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括：基板；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素；无机悬垂结构，所...

本公开的实施例描述一种反馈回路，所述反馈回路可以用于维持几乎恒定的壳层电压，并且由此在基板的表面处产生单能IEDF。因此，本文描述的系统使得能够对IEDF的形状以及在基板表面中形成的特征的轮廓进行精确控制。

本文描述半导体组件及其制造方法。所述方法包括正面处理以形成源极腔体/漏极腔体并以牺牲层填充所述腔体。接着在背侧的处理期间去除牺牲层，以形成填充有金属填充物的背侧电力轨过孔。

本文公开的实施方式包括用于监测腔室性能以减轻首片效应的方法。在一个实施方式中，用于确定最佳腔室条件的方法包括在腔室已经处于空闲状态之后在针对多个基板执行配方期间监测参数。在一个实施方式中，该方法进一步包括确定参数的可重复性何时满足稳定性...

与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。

本文公开涉及用于电子装置处理系统的传送腔室的系统和方法。传送腔室可包括具有面向上定向的第一磁悬浮轨道和与第一磁悬浮轨道分隔开且具有面向下定向的第二磁悬浮轨道。系统可包括沿着第一磁悬浮轨道和第二磁悬浮轨道移动的基板载具，其中各个基板载具包...

用于半导体处理腔室的示例性诊断晶片可包括限定多个凹槽的晶片主体。所述诊断晶片可包括可定位在多个凹槽内的一者内的至少一个数据记录圆盘。所述诊断晶片可包括可定位在多个凹槽内的一者内的至少一个电池圆盘。所述诊断晶片可包括可定位在多个凹槽内的一...

本发明涉及单片式模块化高频等离子体源。本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括：多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延...

本公开内容涉及相对于位于处理腔室内的基板支撑件上的基板来操纵边缘环处的电压的设备和方法。设备包括基板支撑组件，基板支撑组件具有主体，主体具有嵌入在主体中的基板电极以用于向基板施加电压。基板支撑组件的主体另外具有嵌入在主体中的边缘环电极以...

提供了一种用于使用传感器数据和机器学习模型来确定处理腔室条件的方法。所述方法包括以下步骤：由处理设备接收传感器数据，所述传感器数据包括指示依据当前工艺的一组工艺参数来处理基板的处理腔室的环境的状态的腔室数据。传感器数据进一步包括光谱数据...

本文提供用于检查管形瓶中的杂质的检查工具的方法和装置。在一些实施方式中，一种用于检查管形瓶中的杂质的检查工具包括：工作台，所述工作台用于检查多个管形瓶；一个或多个车，所述一个或多个车被配置为绕所述工作台移动以将所述一个或多个车放置在检查...

本文描述了用于执行暴露后烘烤冷却操作的方法和设备。所述方法通过暴露后烘烤设置在处理腔室中的经加热基板支撑件上的基板来开始，所述处理腔室具有喷头。经加热基板支撑件经移动以增加经加热基板支撑件与喷头的冷却板之间的距离。使用基板升降装置将基板...

一种等离子体处理腔室，包括一个或多个侧壁。位在该一个或多个侧壁内的支撑表面保持住工件。沿着该一个或多个侧壁设置的第一气体注射器在第一方向上注入第一气流，该第一方向大致与该工件的表面平行并横跨该工件的该表面。沿着该一个或多个侧壁与该第一气...

提供了一种用于清洁和干燥带框基板的方法、系统、和装置。在实施例中，一种用于支撑带框基板的装置包括：吸盘，具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，第一侧具有被配置为支撑带框基板的凸表面；和多个通道，延伸穿过吸盘并具有沿第一侧的出口，其中多个通道...

描述一种存储器元件，其包括形成在延伸穿过基板上的存储器堆叠的存储器孔周围的多个存储器单元。该多个存储器单元中的每个存储器单元包括分立的阻挡氧化物层、电荷俘获层及隧穿氧化物层。该阻挡氧化物层在该多个存储器单元中的每个存储器单元之间为分立的...

本揭示案的实施方式大体关于适用于半导体处理腔室中的盖。该盖包括多个介电窗，该多个介电窗耦接至穿孔面板。该盖还包括多个支撑构件，该多个支撑构件耦接至该穿孔面板且放置于相邻的介电窗之间。该盖进一步包括多个电感耦合器。电感耦合器中的一者或更多...

本文的实施方式提供了一种处理半导体基板的方法。本文描述的方法可包括以下步骤：接收与处理腔室的第一几何硬件配置相对应的第一输入，接收与处理腔室的第一工艺配方相对应的第二输入，基于第一输入及第二输入确定处理腔室的第一净化气体流速，经由第一传...

本文提供了用于基板支撑件中的气体输送的多孔塞和结合所述多孔塞的基板支撑件和基板处理腔室。在一些实施例中，用于基板支撑件的多孔塞包括：多孔中心通路；以及实心外壳，所述实心外壳接合至所述多孔中心通路且围绕所述多孔中心通路，使得所述多孔中心通...