一种方法，包括接收由与基板制造腔室相关联的传感器在制造处理期间产生的第一传感器数据。此方法还包括接收由经训练的基于物理的模型产生的模拟传感器数据。此方法还包括确定所述制造腔室的哪一个或多个部件对所述第一传感器数据与所述模拟传感器数据之间...

提供了一种检查载体运输系统的方法，所述载体运输系统包括：驱动单元，所述驱动单元用于沿运输路径运输载体通过真空处理装置；以及悬浮磁体，所述悬浮磁体用于在所述载体运输期间磁性地保持载体重量的至少第一部分。所述方法包括：(i)用设置在所述载体...

一种方法包括自接近基板支撑件设置的可移除传感器组件的一或多个传感器接收指示此基板支撑件的性质的数据。此方法进一步包括基于指示基板支撑件性质的数据而将数据提供给此基板支撑件的基于物理学的模型。此方法进一步包括自此基于物理学的模型接收此基板...

在一个实现中，提供了一种喷头组件。喷头组件包括第一电极和气体分配面板，第一电极具有穿过所述第一电极的多个开口，气体分配面板附接到电极的第一下主表面。气体分配板包括多个通孔，用于将工艺气体输送至处理腔室。气体分配板被分成多个温度控制区域。...

本文提供用于自组装单层(SAM)沉积的方法及设备。在一些实施方式中，用于自组装单层(SAM)沉积的设备包括：腔室，围住处理容积；基板支撑件，设置在腔室中且被配置为支撑处理容积中的基板；气体分配系统，耦接至腔室且被配置为将处理气体分配到处...

生成用于抛光工艺的配方，包括：接收目标移除曲线，所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度；存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数；存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一...

一种用于处理基板的系统、方法及设备。一种等离子体处理系统包括处理腔室，所述处理腔室具有腔室主体，所述腔室主体具有封闭内部体积的壁，所述壁具有第一材料。等离子体处理系统进一步包括等离子体源，所述等离子体源设计成将安置在处理腔室内的基板暴露...

示例性浆料输送系统可以包括浆料源。所述系统可以包括与所述浆料源耦合的浆料管道。所述系统可以包括浆料分配喷嘴。所述喷嘴可以包括管腔，所述管腔具有与所述浆料管道的浆料出口流体耦合的入口。所述喷嘴可以包括界定贮存器和出口端口的主体。所述贮存器...

本文的实施方式提供一种温度检测系统，用于监测向用于电子装置加工制造的处理腔室的处理容积输送流体的流体输送导管及该处理容积外部的其他元件的温度。在一个实施方式中，该系统被操作以用于在温度监测系统(TMS)控制器处从第一多个温度传感器及第二...

本文讨论的系统和方法与在处理腔室中使用以制造半导体、电子器件、光学器件和其它器件的基板支撑基座相关联。所述基板支撑基座包括静电吸盘主体，所述静电吸盘主体经由结合层结合到冷却基部。气流通道形成在所述静电吸盘主体的顶表面与所述冷却基部的底表...

一种方法包括以下步骤：接收第一数据，该第一数据指示一种类型的制造腔室部件的品质参数的值的范围。该值的范围中的每个值满足一个或多个阈值准则。该方法进一步包括以下步骤：向制造腔室的基于物理的模型提供该第一数据。该方法进一步包括以下步骤：从该...

提供一种在半导体基板之上形成特征的方法。所述方法包括以连续的流率在基板表面之上供应气体混合物。第一射频(RF)信号被输送至电极，同时以连续的流率供应气体混合物，以在基板表面之上沉积聚合物层。基板表面包括含氧化物部分及含氮化物部分。第二R...

叙述了过渡金属二硫化物膜和用于在基板上沉积过渡金属二硫化物膜的方法。还叙述了用于将过渡金属氧化物膜转换成过渡金属二硫化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物和氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫属化物前驱物以形成过渡金属...

本文描述用于在基板的特征内生长氧化物层的方法及设备。此方法适用于半导体制造中。氧化物层为通过使基板暴露于高压氧化剂暴露及低压含氧等离子体暴露两者来形成。高压氧化剂暴露在大于10托的压力下执行，而低压含氧等离子体暴露在小于约10托的压力下...

本文提供了用于基板处理腔室的静电卡盘。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的静电卡盘包括：介电板，所述介电板中设置有电极，介电板进一步包括中心部分和周边部分，其中周边部分包含以下各项中的至少一项：外侧壁，所述外侧壁具有至少一个突...

本文提供用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：基座，具有经配置以支撑基板的第一侧和与第一侧相对的第二侧；多个基板升降杆，延伸穿过基座，其中多个第一间隙设置在多个基...

提供了一种用于溅射沉积的阴极组件(110)。所述阴极组件包括：第一阴极驱动单元(113)，经配置为旋转第一可旋转阴极(111)；第二阴极驱动单元(114)，邻近第一阴极驱动单元，经配置为旋转第二可旋转阴极(112)；以及连接元件(120...

所公开的实施方式描述了使用晶片检查系统的系统和方法等，所述晶片检查系统包括被配置为同时检查晶片的多个区域中的单独区域的多个检查头。每个检查头包括用于照明晶片的对应区域的照明子系统、用于收集从晶片的对应区域反射/散射的光的一部分的收集子系...

本揭露内容的实施方式涉及数字光刻系统及其部件。数字光刻系统可包括用于曝光单元的旋转组件，旋转组件包括：运动学插座，被配置为支撑曝光单元，运动学插座具有插座座部和接收在插座座部中的球体，其中插座座部被配置为在平移运动期间支撑曝光单元的负载...

本文提供了用于处理第一基板和第二基板的方法和装置。例如，使用扩展的光谱椭圆偏振测量法(ESE)处理基板的方法包括：将射束从扩展的光谱椭圆偏振仪朝向第一基板的第一表面和与第一基板不同的第二基板的第二表面进行引导；确定在处理第一基板和第二基...