一种半导体处理系统可包括被配置为在半导体晶片上执行配方的半导体处理腔室。所述系统可包括第一等离子体源，所述第一等离子体源向半导体处理腔室提供等离子体并且在配方的执行期间进行工作循环。所述系统也可包括第二等离子体源，所述第二等离子体源被配...

描述了具有增强防结晶特征的电化学沉积系统和方法。所述系统可包括浴容器，所述浴容器可操作以保持具有溶解在水中的金属盐的电化学沉积流体。所述系统还可包括传感器，所述传感器包括温度计和浓度传感器，可操作以测量所述电化学沉积流体的特性。所述系统...

一种方法包括：根据配方来处理处理腔室中的基板，其中所述基板包括在所述处理之后的膜或特征中的至少一者。所述方法进一步包括：产生第一基板的剖面图。所述方法进一步包括：使用第一模型来处理来自所述剖面图的数据，其中所述第一模型输出以下至少一者：...

本文所描述和讨论的实施方式大体涉及柔性或可折叠的显示装置，且更具体地涉及柔性覆盖透镜组件。在一个或多个实施方式中，柔性覆盖透镜组件包含：玻璃层、设置在玻璃层上的冲击吸收层、设置在冲击吸收层上的防潮层、设置在防潮层上的基板、具有约0.4G...

一种基板处理系统包括：一个或多个传输腔室；多个工艺腔室，连接至一个或多个传输腔室；以及计算设备，连接至多个工艺腔室中的每一者。所述计算设备用于：在第一工艺腔室内执行工艺期间或之后接收由第一工艺腔室的传感器产生的第一测量；基于使用第一经训...

描述了选择性沉积方法。钝化膜在沉积介电材料之前沉积在金属表面上。所述方法包括在处理腔室中，将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；并且选择性地将杂环反应物沉积在金属表面上以形成钝化层，其中杂环头基选择性地与金...

示例性半导体处理方法可包括在基板上形成p型含硅材料，该基板包括界定一个或多个特征的第一n型含硅材料。该p型含硅材料可沿着该第一n型含硅材料中所界定的该一个或多个特征的至少一部分延伸。方法可包括移除该p型含硅材料的一部分。可从该一个或多个...

本说明书的主题可通过方法、系统、计算机可读储存介质等中实施。一种方法可包括处理装置接收训练数据。训练数据可包括指示处理第一基板的第一处理腔室的环境的第一状态的第一传感器数据。训练数据可进一步包括指示处理第一基板的第一处理工具的状态的第一...

示例性基板处理腔室可以包括腔室主体，所述腔室主体限定处理区域。所述腔室可以包括设置在所述腔室主体顶部的背板、在所述处理区域上方并由所述背板支撑的扩散器和设置在所述背板与所述扩散器之间的冷却框架。所述冷却框架可以与所述扩散器耦接。所述冷却...

方法包括从传感器接收与经由基板处理装备的处理腔室处理基板相关联的传感器数据。这些传感器数据包括从一或多个第一传感器接收的第一子集合，和从一或多个第二传感器接收的第二子集合，第一子集合被映射至第二子集合。所述方法进一步包括识别模型输入数据...

本文描述的实施方式涉及一种装置。所述装置包括基板、设置在基板上方的悬突结构、以及多个子像素。每个悬突结构具有设置在第一结构上方的第二结构。第二结构具有横向延伸经过第一结构的悬突延伸部分。第一结构包括与第二侧壁相对的第一侧壁。第一侧壁和第...

示例性蚀刻方法可包含将含氟前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。方法可包含将含氢前驱物流入基板处理区域中。方法可包含将容纳在基板处理区域中的基板与含氟前驱物和含氢前驱物接触。基板可包含沟槽或凹陷特征，并且沿沟槽或特征的侧壁可形成间隔...

本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过...

示例性基板处理腔室(300)可以包括腔室主体(305)，所述腔室主体限定处理区域。所述腔室主体(305)可以包括腔室壁(310)。所述腔室(300)可以包括喷头(110)，所述喷头设置在所述腔室主体(305)顶上。所述腔室(300)可以...

所公开的实施描述一种方法及系统，用以执行获得代表由与执行制造操作的器件制造系统相关联的多个传感器收集的数据的多个传感器统计的简化表示的方法。所述方法进一步包括使用多个离群值检测模型产生多个离群值得分，所述多个离群值得分中的每一个使用所述...

本公开内容涉及一种用于分配等离子体的喷头。所述喷头包括穿孔瓦，所述穿孔瓦耦接到支撑结构。介电窗设置在所述穿孔瓦上方。电极耦接到所述介电窗。感应耦合器设置在所述介电窗上方。所述感应耦合器的至少一部分相对于所述电极的至少一部分成角度。

揭露了一种对准包括有基板的平板的方法，其中具有不同视野的多个相机与在多个相机内的各者的视野内的标记单元对准。在一个实施方式中，公开了一种用于光刻系统中的基板的对准方法，所述方法包括：放置基板；及对于用于所述光刻系统的至少两个相机，观看两...

一种电镀系统，具有容器组件，保持电解质。位于容器组件中的堰取样电极组件包括气室，位于堰框架的内侧。气室分成至少第一、第二和第三虚拟取样电极部。穿过堰框架的数个分隔的开口是通往气室。堰环附接于堰框架和在电镀期间导引电流的流动。电镀系统是提...

本文提供装备前端模块(EFEM)的实施例。在一些实施例中，EFEM包括：两个或更多个装载口，两个或更多个装载口用于接收两个或更多个类型的基板；高架存储单元，高架存储单元具有多个存储架，多个存储架设置在两个或更多个装载口上方且被配置为固持...

一种电子装置制造系统能够获取用位于工艺腔室内的计量设备产生的计量数据，该工艺腔室根据工艺配方对基板执行沉积工艺，其中该工艺配方包含多个设定参数，且其中该沉积工艺在该基板的表面上产生多个膜层。制造系统可基于计量数据进一步产生校正曲线。制造...