本文描述沉积纳米结晶金刚石膜的方法。该方法可用于集成电路的制造。多种方法包括：用温和等离子体处理基板以形成经处理的基板表面；用富含碳的弱等离子体培养该经处理的基板，以在该经处理的基板表面上使金刚石颗粒成核；然后，用强等离子体处理该基板以...

本文公开了一种用于确定用于在处理腔室中的基板上形成高深宽比特征和/或低开放区域(<1％)的蚀刻操作的终点的方法。方法以获得参考发射曲线开始。在图案化基板上执行蚀刻操作。针对蚀刻循环中的每一者测量等离子体光发射强度。计算参考发射与等...

提供用于测量基板温度的设备和方法。在一个或多个实施方式中，提供用于估计温度的设备且包含：多个电磁辐射来源，放置该多个电磁辐射来源以发射电磁辐射朝向反射平面；和多个电磁辐射检测器。放置每一电磁辐射检测器以对由该多个电磁辐射来源的对应电磁辐...

公开了用于沉积超薄膜的方法。本公开内容的一些实施方式利用超薄膜作为阻挡层、衬垫层或成核层以减小互连电阻。一些实施方式有利地提供了厚度小于或等于约的连续膜。一些实施方式有利地提供了粗糙度减小的膜。

描述制造及处理半导体装置(即，电子装置)的方法。本公开的实施方式有利地提供电子装置，其包含集成偶极区以满足减少厚度与较低热预算的要求。本文所述的电子装置包含源极区、漏极区、及分开源极区与漏极区的通道、及具有界面层、在界面层上实质上没有非...

描述了半导体器件及其制造方法。所述方法包括在背侧上形成扩散中断开口并填充扩散中断材料以用作平坦化停止件。在一些实施例中，形成单扩散中断开口。在其他实施例中，形成混合扩散中断开口。

一种形成牺牲填充材料的方法，该材料可经选择性地去除以便形成晶体管背侧电力导轨的背侧接触通孔。在一些实施方式中，该方法可包括在具有保形地涂覆有氧化物层的开口的基板上执行蚀刻工艺，其中该蚀刻工艺为使用氯气的各向异性干法蚀刻工艺以从基板区域且...

一种化学机械抛光装置，包括：平台，用以保持抛光垫；载具，用以在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面；和温度控制系统，所述温度控制系统包括流体介质的源和一个或多个开口，所述一个或多个开口定位在平台之上并与抛光垫分开，且配置用于使流体介...

示例性基板处理系统可包括腔室，所述腔室包括主体。主体可具有一个或多个侧壁。所述一个或多个侧壁可限定开口。主体可限定内部区域。多个基板支撑销可以设置在内部区域内。多个电离器可以耦接到主体的一个或多个侧壁。多个电离器中的每一者的光源可以朝向...

本文描述的实施方式提供一种用于对流体进行缺陷检查的方法和系统。在检查系统中，对多个容器进行缺陷检查，所述多个容器具有设置在所述多个容器中的流体。定时序列用于控制指向驻留在所述多个容器中的所述流体的光脉冲的定时。利用高分辨率相机来获得设置...

提供了用于测量工艺配件中心的方法和设备。本文公开的实施例包含一种传感器晶片。在实施例中，传感器晶片包括基板，其中所述基板包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及第一表面和第二表面之间的边缘表面。在实施例中，传感器晶片进一步包括沿着边...

本公开内容的实施方式一般涉及光学装置。更具体地，本文描述的实施方式涉及用于夹持(grip)光学装置的设备与方法。在一个实施方式中，一种用于夹持光学装置的设备包括基部，该基部耦接到从基部的底表面延伸的杆的近端。该设备还包括可移动地耦接到基...

描述一种辊装置(100)，所述辊装置用于导向卷材(200)并且用于在真空环境下的卷材涂覆工艺中控制与辊装置接触的卷材(200)的温度。辊装置包含辊装置(100)的曲面(101)，用于接触卷材(200)，其中曲面(101)包含卷材导向区域...

一种电子器件制造系统包括处理工具以及工具服务器，该工具服务器与该处理工具耦合，并包括通信节点和评估系统。该通信节点被配置为从评估系统获得一个或多个属性，以及提供监测装置，该监测装置包括基于该一个或多个属性的数据收集计划。该通信节点被进一...

一种用于化学机械抛光的承载头，包括外壳，所述外壳用于附接至驱动轴；薄膜组件，所述薄膜组件在外壳下方，其中介于外壳及薄膜组件之间的空间界定可加压腔室；以及传感器，所述传感器在外壳中，配置成测量从传感器至薄膜组件的距离。

本揭露案的实施方式大体涉及复合PVD靶材。该靶材具有直径；连接面；相对于连接面的基板面；厚度，介于连接面及基板面之间；及材料分布。该材料分布包括布置在图案中的含硅材料，及布置在图案中的含钛材料。该材料分布在沿着厚度的任何点处为均匀的。

校准电子处理系统的对准器站的方法。通过传送腔室的第一机械臂从连接传送腔室的处理腔室取回校准物体。校准物体在处理腔室具有目标取向。通过第一机械臂将校准物体放置在连接传送腔室的装载锁定。通过连接装载锁定的工厂接口的第二机械臂从装载锁定取回校...

示例性半导体处理方法可包括在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的侧壁延伸。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以及使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的一部分。接触可氧化含硼材料。

校准电子处理系统的对准器站的方法。通过传送腔室的第一机械臂从连接传送腔室的处理腔室取回校准物体。校准物体在处理腔室具有目标取向。通过第一机械臂将校准物体放置在连接传送腔室的装载锁定。通过连接装载锁定的工厂接口的第二机械臂从装载锁定取回校...

校准电子处理系统的对准器站的方法。通过传送腔室的第一机械臂从连接传送腔室的处理腔室取回校准物体。校准物体在处理腔室具有目标取向。通过第一机械臂将校准物体放置在连接传送腔室的装载锁定。通过连接装载锁定的工厂接口的第二机械臂从装载锁定取回校...