用于电镀基板的方法和设备结合数字平版印刷和来自电镀工艺的反馈的各方面，以基于晶粒图案改善镀覆材料的特性。在一些实施例中，电镀基板的方法可包括以下步骤：接收晶粒设计，基于晶粒设计针对第一基板形成第一平版印刷图案，使用数字平版印刷工艺以第一...

一种用于处理腔室的莲蓬头包括具有多个开口的面板。多个隔室凹陷到该面板的顶表面中。该莲蓬头包括多个MEMS设备。每个MEMS设备设置在所述多个隔室中的对应隔室中。印刷电路板耦接到每个MEMS设备，所述印刷电路板包括通过其中的多个端口。每个...

描述半导体装置及制造所述半导体装置的方法。所述方法包括在源极/漏极下方及在全环绕栅极装置的栅极下方形成相异且单独的底部介电隔离层。选择性移除在源极/漏极下方的底部介电隔离层造成与源极/漏极外延更好的背侧电力轨(BPR)过孔对准并且减少可...

描述了一种基板的在线检查方法。该方法包括：在基板的第一表面部分之上扫描初级电子束(105)，该基板是具有晶粒结构，特别是LTPS结构的大面积基板；在第一表面部分之上扫描该初级电子束(105)期间利用分段的二次电子检测器(130)的第一检...

一种方法包括：由处理设备，从处理腔室的光学传感器接收第一数据。所述方法进一步包括：处理所述第一数据以获得第二数据。所述第二数据包括对所述处理腔室的内表面上的涂层的条件的指示。所述方法进一步包括：根据所述第二数据产生对所述处理腔室的处理操...

本公开内容一般提供在电子装置制造处理期间向处理腔室的处理空间提供至少为亚稳态的自由基分子物质和/或自由基原子物质的方法及其相关设备。在一个具体实施方式中，设备是设置在远程等离子体源和处理腔室之间的气体注入组件。气体注入组件包括：主体；设...

示例性半导体结构可以包括含硅基板。所述结构可以包括覆盖在含硅基板上的第一金属氮化物的第一层。所述结构可以包括覆盖在第一金属氮化物的第一层上的第二金属氮化物的第二层。所述结构可以包括覆盖金属氮化物层的氮化镓结构。

描述了涂布含金属部件的例示性方法。开发该方法是为了提高抗腐蚀性并改善涂层对金属基板的黏附力。该方法包括在金属基板上形成接合层，其中该接合层包含该金属基板中的金属的氧化物。该涂布方法进一步包括在接合层上沉积应力缓冲层，其中该应力缓冲层的特...

提供一种具有支撑层的DRAM装置，用于在被电极金属填充之前保持bWL特征。支撑层使结构从顶表面得到支撑，但不阻止间隙填充。首先将暂时间隙填充材料沉积在bWL间隙中，随后使暂时间隙填充材料凹陷以暴露顶部边缘。随后通过等离子体增强化学气相沉...

一种晶体管装置，包括：沟道区域；第一源极区域/漏极区域和第二源极区域/漏极区域，第一源极区域/漏极区域与沟道区域的第一端相邻，第二源极区域/漏极区域与沟道区域的第二端相邻；栅极结构，栅极结构设置在沟道区域、第一源极区域/漏极区域与第二源...

本公开内容涉及预备空间光调制器区段以解决场不均匀性。本公开内容的实施方式总体提供使用数字微镜装置(DMD)的改进的光刻系统和方法。DMD包括与基板相对设置的微镜的列和行。光束从微镜反射至基板上，产生图案化基板。微镜的列和行的某些子集可定...

本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一...

本公开案的实施例包括形成非挥发性存储器器件的设备及方法，所述方法包括将基板定位在基板支撑件的表面上，所述基板支撑件安置在处理腔室的处理区域内，将处理气体组成物输送至处理区域，及蚀刻形成在基板的表面之上的多个交替层。基板包括安置在多个交替...

描述了通过增强选择性沉积来形成半导体元件的方法。在一些实施例中，在沉积阻挡层之前将阻障层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻障分子，例如含硼化合物，以在氧化铝表面或氮化铝表面中的...

一种用于研磨系统的承载头包括外壳、柔性膜、第一多个压力供应管线、第二多个压力供应管线及阀组件。柔性膜限定多个可独立加压腔室。阀组件具有多个阀，其中多个阀中的每一相应阀耦接至来自多个可独立加压腔室的相应压力腔室。每一相应阀经配置以选择性地...

提供了一种用于处理被支撑在基板支撑件上的基板的沉积装置(110)。所述沉积装置包括：真空腔室(112)，所述真空腔室具有盖组件(114)；一个或多个泵端口，所述一个或多个泵端口被布置在所述真空腔室的第一侧壁处，所述一个或多个泵端口相对于...

揭露了从光学元件基板切割光学元件的方法。这些方法包括仅在光学元件上方设置保护涂层。该光学元件基板包括设置在光学元件基板的表面上的光学元件，这些光学元件之间有区域。由保护涂层暴露光学元件基板的这些区域。该保护涂层包含聚合物、溶剂和添加剂。...

本文公开的实施例包括静电吸盘。在实施例中，静电吸盘包括：底座，所述底座具有支撑表面以及与支撑表面相对的第二表面，支撑表面用于支撑基板；吸附电极，所述吸附电极在底座内。在实施例中，偏压电极在底座内，加热元件在底座内。在实施例中，静电吸盘进...

用于延长通过保存等离子体活化的混合接合的基板队列时间的装置。在一些实施例中，装置可包括：环境可控空间，具有用于固持管芯或基板的支撑件；使一种或多种气体横跨支撑件再循环的气体速度加速器；过滤器；流体地连接至环境可控空间的加湿器装置，其中加...

一种外壳系统包括形成内部容积的多个壁。外壳系统被配置为与基板处理系统的装备前端模块(EFEM)耦合。外壳系统进一步包括充电组件，所述充电组件包括第一充电线圈。外壳系统进一步包括设置在第一充电线圈之下的内部容积内的一个或多个第一支撑结构。...