【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施方式一般涉及形成半导体结构的薄层的方法。更具体地说，本公开内容的一些实施方式针对选择性沉积以减小膜厚度和粗糙度的方法。
技术介绍
1、一般来说，集成电路(ic)指电子装置集合，例如，在小晶片的半导体材料(通常为硅)上形成的晶体管。通常，ic包括一层或多层镀金属，所述镀金属具有用于使ic的电子装置彼此连接并连接到外部连接的金属线。通常，将层间介电材料的层放置在ic的镀金属层之间用于绝缘。
2、随着ic的尺寸减小，金属线之前的间隔减小。通常，为了制造互连结构，使用涉及通过金属通孔将一层镀金属对准并连接到另一层镀金属的平面工艺。
3、减小这些通孔的电阻对于改进电子装置的性能至关重要。通过使阻挡层/衬垫材料的厚度最小化，借此使金属体积最大化，可以控制通孔电阻的减小。
4、然而，在减小阻挡层/衬垫厚度方面存在固有的困难，因为这些膜需要连续以保持适当的性能。由此，需要超薄层。
技术实现思路
1、本公开内容的一个或多个实施方式涉及一种膜沉积方法，包含：在基板表面上沉积膜的非连续第一部分，将基板表面和第一部分暴露于钝化剂以选择性地钝化第一部分，以及相对于膜的第一部分将膜的第二部分选择性地沉积在基板表面上。
2、本公开内容的额外实施方式涉及一种形成互连结构的方法。方法包含在其中形成有特征的基板表面上沉积中间层的第一部分。特征从顶部到金属底部延伸一深度，并且由介电侧壁限定。第一部分在介电侧壁上沉积并且是非连续的。基板表面和第一部分暴露于钝
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1.一种膜沉积方法，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板表面其中形成有特征，所述特征从顶部到底部延伸一深度且由侧壁限定，并且所述膜在所述侧壁上沉积。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述底部包含金属材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属材料包含Cu、Co、W、Mo或Ru。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述膜包含阻挡层、衬垫层或金属成核层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是阻挡层并且基本上由TaN、掺杂的TaN、WN、MoN或TiN组成。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是衬垫层并且基本上由Ti、W、WN、MoN、Co或Ru组成。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是金属成核层并且基本上由W、Mo、Co或Cu组成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化剂包含具有至少反应性头部基团和碳质尾部基团的阻挡化合物。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包含从所述第一部分移除所述钝化。
11.根据权利要求1所
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述连续膜具有小于2nm的厚度。
13.一种形成互连结构的方法，所述方法包含：
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述金属底部包含Cu、Co、W、Mo或Ru。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述中间层是包含氮化钛、氮化钽或氮化钼的阻挡层。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述中间层是包含钴、钌或钼的衬垫层。
17.根据权利要求13所述的方法，进一步包含从所述第一部分移除所述钝化。
18.根据权利要求13所述的方法，进一步包含重复暴露于所述钝化剂并且选择性沉积以生长连续膜。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述连续膜具有小于2nm的厚度。
20.根据权利要求18所述的方法，进一步包含在所述连续膜上的所述特征内沉积金属填充材料。
...【技术特征摘要】
1.一种膜沉积方法，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板表面其中形成有特征，所述特征从顶部到底部延伸一深度且由侧壁限定，并且所述膜在所述侧壁上沉积。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述底部包含金属材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属材料包含cu、co、w、mo或ru。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述膜包含阻挡层、衬垫层或金属成核层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是阻挡层并且基本上由tan、掺杂的tan、wn、mon或tin组成。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是衬垫层并且基本上由ti、w、wn、mon、co或ru组成。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是金属成核层并且基本上由w、mo、co或cu组成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化剂包含具有至少反应性头部基团和碳质尾部基团的阻挡化合物。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包含从所...
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