【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施方式一般涉及形成半导体结构的薄层的方法。更具体地说，本公开内容的一些实施方式针对选择性沉积以减小膜厚度和粗糙度的方法。
技术介绍
1、一般来说，集成电路(ic)指电子装置集合，例如，在小晶片的半导体材料(通常为硅)上形成的晶体管。通常，ic包括一层或多层镀金属，所述镀金属具有用于使ic的电子装置彼此连接并连接到外部连接的金属线。通常，将层间介电材料的层放置在ic的镀金属层之间用于绝缘。
2、随着ic的尺寸减小，金属线之前的间隔减小。通常，为了制造互连结构，使用涉及通过金属通孔将一层镀金属对准并连接到另一层镀金属的平面工艺。
3、减小这些通孔的电阻对于改进电子装置的性能至关重要。通过使阻挡层/衬垫材料的厚度最小化，借此使金属体积最大化，可以控制通孔电阻的减小。
4、然而，在减小阻挡层/衬垫厚度方面存在固有的困难，因为这些膜需要连续以保持适当的性能。由此，需要超薄层。
技术实现思路
1、本公开内容的一个或多个实施方式涉及一种膜沉积方法，包含：...
【技术保护点】
1.一种膜沉积方法，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板表面其中形成有特征，所述特征从顶部到底部延伸一深度且由侧壁限定，并且所述膜在所述侧壁上沉积。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述底部包含金属材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属材料包含Cu、Co、W、Mo或Ru。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述膜包含阻挡层、衬垫层或金属成核层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是阻挡层并且基本上由TaN、掺杂的TaN、WN、MoN或TiN组成。
7.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种膜沉积方法，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板表面其中形成有特征，所述特征从顶部到底部延伸一深度且由侧壁限定，并且所述膜在所述侧壁上沉积。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述底部包含金属材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属材料包含cu、co、w、mo或ru。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述膜包含阻挡层、衬垫层或金属成核层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是阻挡层并且基本上由tan、掺杂的tan、wn、mon或tin组成。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是衬垫层并且基本上由ti、w、wn、mon、co或ru组成。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜是金属成核层并且基本上由w、mo、co或cu组成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化剂包含具有至少反应性头部基团和碳质尾部基团的阻挡化合物。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包含从所...
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