发光装置、显示装置以及电子设备制造方法及图纸

发光装置。能够提高光的取出效率。发光装置具有：第1电极；第2电极，其与所述第1电极相对配置，具有透光性；第1半导体层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间，具有第1导电型；第2半导体层，其设置在所述第1半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触，具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及透光部，其设置在所述第2电极的与所述第2半导体层相反的一侧，所述发光层产生的光从所述第2电极侧射出，所述第2电极的折射率比所述第2半导体层的折射率低且比所述透光部的折射率高，所述第2半导体层的与所述第2电极接触的面具有凹凸结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置、显示装置以及电子设备。

技术介绍

1、led(light emitting diode)等发光元件适用于显示装置等的光源。

2、例如专利文献1记载了一种微型led元件，其具备：从光出射面一侧观察时依次层叠有n型层、发光层以及p型层的氮化物半导体层；形成于p型层的p侧电极层；以及层叠于光出射面之上的n侧电极层。

3、专利文献1：国际公开第2019/038961号

4、在上述的微型led元件中，期望提高光的取出效率。

技术实现思路

1、本专利技术的发光装置的一个方式具有：第1电极；第2电极，其与所述第1电极相对配置，具有透光性；第1半导体层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间，具有第1导电型；第2半导体层，其设置在所述第1半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触，具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及透光部，其设置在所述第2电极的与所述第2半导体层相反的一侧，所述发光层产生的光从所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，

6.根据权利要求4所述的发光装置，其中，

7.根据权利要求3所述的发光装置，其中，

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

9.一种显示装置，其具有权利要求1至8中的任意一项所述的发光装置。

10.一种电子设备，其具有权利要求1至8中的任意一项所述的发光装置。

【技术特征摘要】

1.一种发光装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，

6.根据权利要求4所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤塚泰斗，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：