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复合PVD靶材制造技术

技术编号:42688340 阅读:50 留言:0更新日期:2024-09-10 12:36
本揭露案的实施方式大体涉及复合PVD靶材。该靶材具有直径;连接面;相对于连接面的基板面;厚度,介于连接面及基板面之间;及材料分布。该材料分布包括布置在图案中的含硅材料,及布置在图案中的含钛材料。该材料分布在沿着厚度的任何点处为均匀的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本揭露案的实施方式大体涉及复合物理气相沉积(pvd)靶材。更特定而言,本文所述的实施方式涉及钛和硅pvd复合靶材。


技术介绍

1、传统上使用多阴极(mc)腔室沉积三元膜,其中利用不同成分的两个靶材。在mc腔室中,于两个或更多个材料靶材之间交替功率,以便调节从各个靶材溅射的靶材材料的量,以在基板上形成膜,例如tisio。然而,mc腔室承受慢的沉积速率。此外,需要对各个靶材仔细调节功率,以维持所沉积的材料中的预定成分分布。

2、为了降低制造成本,集成芯片(ic)制造商从每个处理的基板要求更高的产出及更高的产量。为了增加生产,首选大直径的物理气相沉积(pvd)靶材。因为可利用两个pvd靶材所以使用mc腔室,但安装在腔室之中为较小的两个靶材。较小的靶材限制沉积速率且增加生产时间及成本。

3、归因于tixsiyoz材料具有基于特定tixsiyoz成分的折射率(ri)调节能力同时维持减少的光学损失,tixsiyoz材料具有各种光学应用。在多阴极腔室中tixsiyoz材料沉积的先前方法于ti或si任一者的一或更多靶材之间交替,以便达成所欲的tixsiyoz成分。因为这些传统靶材较小以在mc腔室中容纳多个靶材,所以沉积速率较低且精确调节利用的功率的量,以便在基板上达成tixsiyoz膜的所欲的预定成分。然而,如先前所讨论,mc腔室的各种限制阻碍tixsiyoz材料可沉积的效率。

4、因此,本领域中需要改良的装置及方法,用于通过物理气相沉积来沉积材料。


技术实现思路

<p>1、本文描述复合pvd靶材,该复合pvd靶材包括至少两种材料且在靶材面上具有各种图案。这些改良的靶材能够进行多阴极类型处理,而无须使用两个或更多个分开的靶材。

2、在一个实施方式中,提供一种复合pvd靶材。该靶材包括直径;连接面;基板面,被设置成与该连接面相对;厚度,介于该连接面与该基板面之间;及材料分布。该材料分布包括布置在图案中的含硅材料和含钛材料。该材料分布在沿着该厚度的任何点处为均匀的。

3、在另一实施方式中,提供一种复合pvd靶材组件。该靶材组件包括背板;及复合pvd靶材,耦接至该背板的靶材面。复合pvd靶材包括至少约200mm的直径;连接面,耦接至该背板;基板面,设置成与该连接面相对;含硅材料,布置在第一图案中;及含钛材料,布置在第二图案中。

4、在又另一实施方式中,提供一种pvd腔室。该pvd腔室包括腔室主体;基板支撑件,设置于该腔室主体之中,配置成支撑基板;复合pvd靶材组件,设置于该腔室主体之中,在该腔室主体的上部侧上,且该靶材组件连接至功率源。该复合pvd靶材组件包括背板;及复合pvd靶材,耦接至该背板的靶材侧。该复合pvd靶材包括直径;连接面,耦接至该背板;基板面,设置成与该连接面相对;厚度,由该pvd靶材的该连接面及该pvd靶材的该基板面界定;及材料分布。该材料分布包括环状图案、扇形图案或随机图案。该材料分布亦包括含硅材料及含钛材料。含硅材料及含钛材料在沿着该厚度的任何点处为均匀的。pvd腔室亦包括处理空间,该处理空间设置于基板支撑件与该复合pvd靶材之间,其中该处理空间被配置成保持(hold)等离子体,且该基板支撑件被配置成支撑基板。pvd腔室亦包括气体供应器,该气体供应器耦接至该腔室主体,配置成供应气体至该腔室。

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【技术保护点】

1.一种复合PVD靶材,包含:

2.如权利要求1所述的复合PVD靶材,其中所述图案为环状图案、扇形图案或随机图案。

3.如权利要求2所述的复合PVD靶材,其中所述环状图案包含:

4.如权利要求2所述的复合PVD靶材,其中所述环状图案包含:

5.如权利要求2所述的复合PVD靶材,其中所述扇形图案包含:

6.如权利要求2所述的复合PVD靶材,其中所述随机图案包含:

7.如权利要求1所述的复合PVD靶材,其中所述材料分布包含比所述含硅材料较多的所述含钛材料。

8.如权利要求1所述的复合PVD靶材,其中所述靶材的所述直径为至少约300mm。

9.如权利要求1所述的复合PVD靶材,其中所述靶材的所述直径被配置成比基板直径更大。

10.一种复合PVD靶材组件,包含:

11.如权利要求10所述的复合PVD靶材组件,其中在介于所述基板面与所述连接面之间的任何点处材料分布为均匀的;及

12.如权利要求11所述的复合PVD靶材组件,其中所述第二图案为环状图案、扇形图案或随机图案。

13.如权利要求12所述的复合PVD靶材组件,其中所述环状图案包含:

14.如权利要求12所述的复合PVD靶材组件,其中所述环状图案包含:

15.如权利要求10所述的复合PVD靶材组件,其中所述靶材直径被配置成比基板直径更大。

16.如权利要求10所述的复合PVD靶材组件,其中所述靶材直径被配置成约等于基板直径。

17.如权利要求12所述的复合PVD靶材组件,其中所述扇形图案包含:

18.如权利要求12所述的复合PVD靶材组件,其中所述随机图案包含:

19.一种PVD腔室,包含:

20.如权利要求19所述的PVD腔室,其中所述复合PVD靶材的所述直径为至少约300mm。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种复合pvd靶材,包含:

2.如权利要求1所述的复合pvd靶材,其中所述图案为环状图案、扇形图案或随机图案。

3.如权利要求2所述的复合pvd靶材,其中所述环状图案包含:

4.如权利要求2所述的复合pvd靶材,其中所述环状图案包含:

5.如权利要求2所述的复合pvd靶材,其中所述扇形图案包含:

6.如权利要求2所述的复合pvd靶材,其中所述随机图案包含:

7.如权利要求1所述的复合pvd靶材,其中所述材料分布包含比所述含硅材料较多的所述含钛材料。

8.如权利要求1所述的复合pvd靶材,其中所述靶材的所述直径为至少约300mm。

9.如权利要求1所述的复合pvd靶材,其中所述靶材的所述直径被配置成比基板直径更大。

10.一种复合pvd靶材组件,包含:

11.如权利要求10所述的复合pvd靶材组件,其中在介于...

【专利技术属性】
技术研发人员:大野贤一仓富敬卢多维克·戈代
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:

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