本公开的实施例总体上涉及具有高选择性和低蚀刻配方过渡期的蚀刻膜堆叠的方法。在一个实施例中，描述了一种蚀刻具有氧化物与氮化物层的堆叠对的膜堆叠的方法。所述方法包括：将具有形成在基板上的膜堆叠的基板转移进入处理腔室；向基板提供第一偏置电压；...

本公开涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体壳层的方法和设备。改变跨在基板组件内的内部电极和外部电极的电压/电流分布促成等离子体跨基板的空间分布。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在...

描述用于等离子体处理腔室的静电夹盘(ESC)和制造ESC的方法。在示例中，基板支撑组件包括：冷却底部板；陶瓷顶部板；以及接合层，所述接合层在所述陶瓷顶部板和所述冷却底部板之间，所述陶瓷顶部板与所述接合层直接接触，且所述接合层与所述冷却底...

提供用于预清洁基板的方法。上方具有氧化钨(WO<subgt;x</subgt;)的基板被浸泡在氟化钨(WF<subgt;6</subgt;)中，氟化钨(WF<subgt;6</subgt;)将氧化钨(...

示例性模块化气体输送组件可包括耦接在一起的多个模块化气体区块。各气体区块可包括上部和下部。所述上部的第一端可延伸超过所述下部的第一端，并且所述下部的第二端可延伸超过所述上部的第二端。第一流体通道可包括第一流体口、第二流体口、和第三流体口...

描述制造可称为量子点的多层半导体颗粒的方法。方法包括将第一含锌化合物及含硒化合物结合以形成ZnSe混合物。在少于或约5秒内将含锌化合物及含硒化合物快速结合。方法亦包括：向ZnSe混合物中添加含碲化合物，以在ZnSeTe混合物中形成至少一...

本公开涉及半导体芯组件及其形成方法。本文描述的半导体芯组件可用于形成半导体封装组件、印刷电路板(PCB)组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，基板芯(例如，芯结构)注入有掺杂剂，以实现...

本文描述的实施方式提供一种用于独立地控制在腔室的内部容积内的等离子体密度和气体分配的腔室的盖组件。所述盖组件包括等离子体生成系统和气体分配组件。所述等离子体生成系统包括多个介电板，所述介电板具有相对于真空压力取向的底表面和可操作以相对于...

提供了一种用于工艺套件环损耗的检测器。特别地，提供了一种诊断盘，包括盘主体，盘主体具有围绕盘主体的圆周的侧壁、以及至少一个从侧壁的顶部向外延伸的突起。非接触式传感器附接到至少一个突起中的每一个突起的底侧。印刷电路板(PCB)定位在由盘主...

本文公开的实施方式包括用于检测自由基离子通量的传感器。在实施方式中，传感器包含第一电阻器，其中第一电阻器包含第一催化组合物的一段丝线。在实施方式中，第二电阻器电耦接至第一电阻器，其中第二电阻器包含第一催化组合物的一段丝线。在实施方式中，...

描述了用于形成半导体结构的方法以及多种半导体结构。方法包含图案化基板以形成第一开口及第二开口，基板包含n型晶体管及p型晶体管，第一开口在n型晶体管上方并且第二开口在p型晶体管上方。基板可被预清洁。硅化钌(RuSi)层可被选择性沉积在p型...

一种方法包括：将第一材料的第一层沉积至处理腔室的腔室部件的表面上。第一材料包括聚合物，所述聚合物具有至少40MV/m的介电强度。所述方法进一步包括：将第二材料的第二层沉积至第一层上。第二材料包括第一陶瓷材料，第一陶瓷材料注入至第一聚合物...

本案提供生成复合影像的成像系统及方法。所述成像系统包括耦合至传感器的一或更多个透镜组件。当来自物体的反射光进入所述成像系统时，在超透镜滤光系统上的入射光生成经过滤的光，经过滤的光被对应的传感器转成复合影像。各超透镜滤光系统将光聚焦于特定...

在实施例中，描述了一种具有可延伸探针的等离子体处理工具。在实施例中，所述等离子体处理工具包括腔室和用于支撑基板的基座。在实施例中，边缘环包围基座的周边。另外，提供了位于探针的末端处的传感器。在实施例中，探针被配置为在基座之上延伸。

半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在容纳于半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积材料层。处理区域可在沉积期间保持在第一压力。方法可包括在处理区域内延伸挡板。挡板可改变处理区域内的流动路径...

本文描述的实施例提供了用于在等离子体辅助处理基板期间控制毗邻基板的圆周边缘的处理结果分布的方法和设备。在一实施例中，基板支撑组件具有第一底板和围绕第一底板的第二底板的特征。第一底板和第二底板均具有设置在其中的一个或更多个相应的第一冷却和...

描述了用于形成三维(3D)存储器结构的半导体制造工艺及具有三维存储器结构的半导体装置。三维存储器结构包含具有L形导电层的存储器单元层，其中每一层的L形导电层耦接至设置在顶层或最上层上方的金属线，以使得每一层中的存储器单元可经耦合至控制电...

本文中的方法提供了用于形成最佳化的环绕式栅极晶体管的装置和方法。一种方法可以包括以下步骤：形成多个纳米片，每个纳米片包括多个交替的第一层和第二层；以及蚀刻所述多个纳米片，以使所述第二层相对于所述第一层横向凹陷。所述方法可以进一步包括以下...

描述半导体器件及形成半导体器件的方法。公开形成金属氮化硅膜的方法。本公开内容的一些实施方式提供了使用氨等离子体处理金属硅化物或金属膜以形成金属氮化硅膜的工艺。氨等离子体处理产生NH*自由基，而NH*自由基扩散通过金属硅化物并形成金属氮化...

本文描述了沉积金刚烷膜的方法，该方法可用于制造集成电路。方法包括处理其中金刚烷晶种层沉积在基板上的基板，转换为相对于金刚烷晶种层具有增加的结晶度的金刚石核层，且随后从金刚石核层生长为全纳米结晶金刚石膜。