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应用材料公司专利技术
应用材料公司共有6594项专利
载体运输系统、真空沉积系统以及载体运输的方法技术方案
描述了一种用于在运输方向(T)上运输载体的载体运输系统(100)。载体运输系统包括至少一个第一载体保持器(110),所述至少一个第一载体保持器(110)被配置为将第一载体(10)保持在基本上竖直的取向(V)上;以及至少一个驱动单元(11...
云斑(MURA)减少方法技术
用于数字光刻以减少基板区段中的云斑(mura)的系统、方法及非暂时性计算机可读介质。数字光刻的边界线需要是不可见的。在一个实例中,系统包括处理单元,所述处理单元经配置以打印由控制器提供的虚拟掩模文件。所述控制器经配置以接收数据并且将所述...
用于PVD腔室的高温可拆卸特高频(VHF)静电卡盘(ESC)制造技术
本文提供了用于基板处理腔室中的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中,一种基板支撑件包括:上部组件,具有耦接到冷却板的下表面的基底板组件,其中基底板组件包括多个电气馈通,并且其中冷却板包括与多个电气馈通对准的多个开口;静电卡盘,在上部组...
用于相等分流和共同转向架构的歧管制造技术
示例性基板处理系统可包括盖板。所述系统可包括安置在所述盖板上的气体分流器。所述气体分流器可包括顶表面和侧表面。所述气体分流器可界定第一气体入口和第二气体入口,其中每个气体入口延伸通过一个侧表面。所述气体分流器可界定延伸通过所述顶表面的第...
钨(W)间隙填充的增强应力调谐及界面粘附制造技术
本文提供用于填充基板中的特征的方法及相关设备的实施例。在一些实施例中,一种填充基板中的特征的方法包括:经由物理气相沉积(PVD)工艺在特征中沉积氮化钨的晶种层;经由PVD工艺在特征中的氮化钨的晶种层上沉积钨的衬垫层;及随后经由化学气相沉...
半导体元件封装制造技术
本揭示案关于用于形成薄外形尺寸半导体元件封装的方法及装置。在某些实施方式中,通过激光剥蚀将玻璃或硅基板图案化,以形成用于随后形成穿过其中的互连的结构。此后,基板被用作用于形成半导体元件封装的框架,半导体元件封装中可具有一或多个嵌入式双面...
具有低折射率和低水蒸气穿透率的湿气阻挡膜制造技术
本公开内容的实施方式大体涉及有机发光二极管装置,并且更特别涉及用于OLED装置的湿气阻挡膜。OLED装置包括薄膜封装结构和/或薄膜晶体管。湿气阻挡膜被用来作为薄膜封装结构中的第一阻挡层和薄膜晶体管中的钝化层和/或栅极绝缘层。湿气阻挡膜包...
蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法技术
描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括:用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜;以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式...
用于在多个频率下控制RF参数的方法及装置制造方法及图纸
公开了一种用于控制RF等离子体属性的方法和装置。本公开的一些实施例在可在高温下操作的处理室内提供RF传感器。一些实施例提供了使用处理室内的RF传感器来测量RF等离子体属性以提供对RF产生器的反馈控制的方法。
在等离子体处理期间用于输送多个波形信号的设备与方法技术
本公开的实施例总体涉及半导体器件制造工艺中使用的系统。更具体地,本文提供的实施例总体包含用于同步并且控制RF偏压信号和脉冲电压波形的输送向等离子体处理腔室内的一个或多个电极的输送的装置和方法。本公开的实施例包含将脉冲射频(RF)波形与脉...
用于3D NAND的锗和硅堆叠制造技术
示例性半导体处理方法可包括:将含硅前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置于半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括:在处理区域中形成含硅前驱物的等离子体,以及在基板上形成第一材料层。第一材料层可包括氧化硅。方法可包括:将含锗前驱...
用于波导显示器的多层传输结构制造技术
本公开内容的实施方式说明具有多重部分的组件结构的波导及形成具有多重部分组件结构的波导的方法。形成具有二个或更多个部分的多个组件结构。多个部分的材料经选择,使得在部分之间实现阻抗匹配,以减少来自光学组件的光的反射。
用于制药应用的低温氧化硅涂层制造技术
本公开是关于经涂覆药物组合物及利用低温氧化硅涂覆制备经涂覆药物组合物的方法。特定地,本申请公开了一种在低温下使用硅前驱物及催化剂涂覆有效制药成分颗粒的方法。
用于在等离子体处理腔室中进行实时晶片电位测量的方法和装置制造方法及图纸
本公开的实施例总体上涉及用于在等离子体处理期间对在等离子体处理腔室中的基板上形成的电位进行实时测量和控制的装置和方法。本公开的实施例包括一种等离子体处理系统,所述等离子体处理系统包括基板支撑件,所述基板支撑件设置在等离子体处理系统的处理...
选择性石墨烯沉积制造技术
示例性半导体处理方法可包括:将含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置于半导体处理腔室的处理区域内。基板可包括:界定一个或多个特征的低介电常数材料、跨低介电常数材料延伸且在一个或多个特征内的衬垫,以及沉积于衬垫上并在一个或多...
具有电容式微传感器的晶片处理设备制造技术
实施方式包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶片制造处理的操作的装置与方法。在实施方式中,用于颗粒检测的颗粒监测装置包括安装在晶片基板上的数个电容式微传感器,以在所有压力状况下检测颗粒,例如在真空条件下。在实施方式中,一或更多个...
编码的基板材料识别符通信工具制造技术
本文公开的实施例包括在工具中处理基板的方法。在一实施例中,在工具中处理基板的方法包含使用机器学习(ML)及/或人工智能(AI)模块接收增强配方。在一实施例中,该增强配方包含,用于在工具中处理基板的配方,及对应于一个或多个基板性质的矩阵识...
等离子体反应器中电极的离子能量控制制造技术
本文提供的实施例总体上包括用于控制处理腔室中的离子能量分布的装置、等离子体处理系统和方法。本公开内容的一个实施例涉及一种等离子体处理方法。方法总体上包括:确定电压和/或功率,电压和/或功率与要施加至处理腔室的第一电极的偏压信号相关联,电...
用于在基板上的无掩模光刻术的实时自动聚焦制造技术
本文所论述的系统和方法的实施方式通过预处理经由成像系统的通道接收的图像数据来使成像设备自动聚焦,所述成像系统包括激光束和传感器,所述传感器被配置为当在跨基板的像素级应用中跨基板施加激光束时,接收图像数据。所述基板可包括光刻胶和金属材料两...
无彩虹的波导组合器制造技术
提供了一种无彩虹波导显示器、一种并入该无彩虹的波导的近眼显示器,以及一种制造该无彩虹波导的方法。该显示器包括波导显示器,该波导显示器经配置将图像光引导至具有长度(L<subgt;动眼框</subgt;)的动眼框平面并引导至使...
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