【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及半导体处理领域，特定而言，涉及用于监控及控制晶片制造处理和设备的装置和方法。
技术介绍
1、半导体装置的制造中主要关心的问题是半导体晶片的颗粒污染。这种污染通常发生在由晶片处理工具在半导体装置的制造期间执行的一或更多个操作期间。举例而言，晶片处理工具可包括数个界面，例如通过装载锁相互连接的数个腔室，而这些系统部件中的任一者的致动或操作可以产生金属或非金属颗粒，诸如铝、不锈钢、锆、或可能污染工具中的半导体晶片的其他颗粒。本领域技术人员将理解，颗粒可能来自晶片处理工具内除了界面和移动部件之外的许多来源，因此通过实例的方式提供上面所述者。
2、为了识别颗粒污染的来源和/或根本原因，通过晶片处理工具的一或更多个腔室周期性处理半导体晶片，然后对半导体晶片进行颗粒检查操作。颗粒检查操作要求经处理的晶片排队等待光学检查设备的检查，以识别颗粒的位置与一般尺寸，然后排队等待扫描电子显微镜、能量色散光谱仪或其他检查技术的检查，以确定晶片上的颗粒的存在和/或组分。在检测颗粒的存在和组分之后，可能需要额外的故障排除，以确定由晶片处理工具...
【技术保护点】
1.一种监测装置，包括：
2.如权利要求1所述的监测装置，其中所述传感器是电容式微传感器。
3.如权利要求2所述的监测装置，其中所述电容式微传感器包括一对导体，所述一对导体具有第一导体和第二导体，其中所述第一导体包括多个第一细长导体，且其中所述第二导体包括多个第二细长导体，所述多个第二细长导体与所述多个第一细长导体互相交错。
4.如权利要求3所述的监测装置，其中所述电容式微传感器包括在所述第一导体或所述第二导体中之一或更多者之上的涂层，其中所述涂层包括所述材料，且其中当所述材料从所述涂层移除时，所述电容式微传感器的电容改变。
...【技术特征摘要】
1.一种监测装置，包括：
2.如权利要求1所述的监测装置，其中所述传感器是电容式微传感器。
3.如权利要求2所述的监测装置，其中所述电容式微传感器包括一对导体，所述一对导体具有第一导体和第二导体，其中所述第一导体包括多个第一细长导体，且其中所述第二导体包括多个第二细长导体，所述多个第二细长导体与所述多个第一细长导体互相交错。
4.如权利要求3所述的监测装置，其中所述电容式微传感器包括在所述第一导体或所述第二导体中之一或更多者之上的涂层，其中所述涂层包括所述材料，且其中当所述材料从所述涂层移除时，所述电容式微传感器的电容改变。
5.如权利要求3所述的监测装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：伦纳德·塔德斯奇，卡提克·雷马斯瓦米，丹尼尔·托马斯·麦考密克，罗伯特·保罗·米格利，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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