一种包括扩散器的装置，该扩散器包括多个开口结构。该多个开口结构中的每一开口结构包括多个销孔中的相应销孔。该装置进一步包括嵌入于扩散器中的热电偶线。该热电偶线设置于多个开口结构中的第一开口结构的第一销孔与多个开口结构中的第二开口结构的第二...

本公开内容的实施方式总体涉及一种形成用于显示应用的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。所述方法包括：在基板上方形成金属电极；及在处理腔室中将所述金属电极暴露于含氮等离子体。在将所述金属电极暴露于所述含氮等离子体时，维持所述基板在范...

扩散板包括如本文所示和所述的虚设孔、与其耦接的第一网孔补片、与其耦接的第二网孔补片或多个密度控制通路中的至少一个。该虚设孔、该网孔补片和该多个密度控制通路避免在处理腔室的拐角处出现不均匀轮廓。

示例性半导体处理方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。基板可以设置在处理区域内。基板可以限定一个或多个凹陷特征。所述方法可以包括向处理区域提供第二前驱物。所述方法可以包括在处理区域中形成含碳前驱物和第二前驱物的等离子体。...

本文所述的实施方式提供一种光刻工艺的系统、软件应用及方法，其提供以下能力的至少一个：减少稳定时间的能力；以及将曝光图案写入基板上的光刻胶中以补偿总节距在稳定时间内的变化的能力。系统的一个实施方式包括平板、设置于平板之上的平台、设置于平板...

一种用于涂覆颗粒的反应器，所述反应器包括可旋转反应器组件，所述可旋转反应器组件包括滚筒、入口管和出口管、静态气体入口管线、静态气体出口管线和马达，所述滚筒被配置成保持多个待涂覆颗粒，所述静态气体入口管线通过旋转入口密封件耦接至入口管，所...

清洁腔室可包括具有基板安置位置的基板支撑件。清洁腔室可包括面向基板支撑件的多个流体喷嘴。多个流体喷嘴中的每个流体喷嘴可限定流体端口，所述流体端口由前缘和后缘表征。多个流体喷嘴中的每个流体喷嘴可相对于基板支撑件的基板安置位置倾斜，以针对从...

本文提供了用于等离子体处理基板的方法和设备。所述方法包括以下步骤：从RF电源供应RF功率；在RF电源处测量在第一功率水平下的反射功率；将测量的反射功率与第一阈值比较；将比较的结果传输到控制器；基于在第一功率水平下测量的反射功率与第一阈值...

半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过介电材料蚀刻一个或多个特征以暴露来自在基板上形成的一个或多个层对的材料。方法可包括在完全穿透介电材料之前以及从在所述基板上形成的所有层对暴露材料之前中止蚀刻。方法可包括在来自具有暴露材料的一个或多个...

一种用于改善半导体基板上膜生长均匀性的方法及设备。当基板旋转时，通过调整由点加热器提供给基板的功率量来提高膜生长的均匀性。因此，由点加热器提供给基板的功率量随着基板的被点加热器加热的部分的变化而变化。由点加热器提供的功率变化取决于由控制...

一种检测半导体处理系统中的故障原因的方法可包括以下步骤：接收半导体处理系统中的故障指示，并将故障指示作为查询(query)提供给表示半导体处理系统的网络。网络可包括表示晶片上效应和部件功能的节点，及表示部件功能和晶片上效应之间的因果依赖...

本文所述的实施方式是关于一种在水平环绕式栅极(hGAA)组件结构内外延沉积p通道金属氧化物半导体(MMOS)源极/漏极区的方法。本文描述了前驱物的组合，其主要在<100>表面上生长源极/漏极区，而在<110>表面...

本公开内容的实施方式包含形成膜的方法，包括：在基板上保形地沉积第一膜；由第一等离子体处理第一膜以形成第二膜；由第二等离子体处理第二膜以形成第三膜；以及选择性地去除第一膜、第二膜的一部分以及第三膜。

本文描述的实施方式包括一种处理工具，所述处理工具包括处理腔室、用于支撑所述处理腔室中的基板的吸盘、形成所述处理腔室的一部分的介电窗、以及模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块。在一个实施方式中，每个...

一种用于沉积材料的等离子体气相沉积(PVD)腔室，包括用于在基板上沉积期间影响离子轨迹的设备。设备包括至少一个环形支撑组件以及磁场产生器，环形支撑组件被配置为从外部附接到基板支撑基座并定位在基板支撑基座下方，磁场产生器被固定到环形支撑组...

本公开内容一般涉及光刻系统以及用于校正光刻系统中的位置误差的方法。在第一次启动光刻系统时，所述系统进入稳定期。在所述稳定期期间，在所述系统印刷或曝光基板时，收集位置读数和数据，诸如温度、压力和湿度数据。基于所收集的数据和位置读数来产生模...

例示性半导体结构可以包括含硅基板。这些结构可以包括覆于含硅基板之上的金属氮化物层。这些结构可以包括覆于金属氮化物层之上的氮化镓结构。这些结构可以包括设置在金属氮化物层与氮化镓结构之间的含氧层。

示例性半导体处理方法可包括：将含硅前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在所述处理区域内。所述基板可包括由所述基板的多个暴露区域所分隔的一个或多个图案化特征。所述方法可包括：将含氢前驱物提供至所述半导体处理腔室的所述处理区域。...

本文实施方式描述一种亚微米3D光学材料结构及用于形成该亚微米3D光学材料结构的方法。在第一实施方式中，提供一种在无需平坦化的情况下在基板上形成亚微米3D光学材料结构的方法。该方法包括在基板上沉积待被图案化的材料堆叠，在材料堆叠的一部分上...

示例性半导体处理方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物提供至半导体处理腔室的处理区。基板可设置在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括在处理区中形成含硼前驱物和含氮前驱物的等离子体。基板的温度可维持在小于或约500℃。方法可包括在基板上形成材...