【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施例大体半导体处理的设备及方法，更具体而言，涉及热处理室及点加热器的使用。
技术介绍
1、处理半导体基板用于各种应用，包括整合设备及微型设备的制造。在处理期间，基板被放置在处理室内的基板支撑件上。基板支撑件由支撑轴支撑，支撑轴可绕中心轴旋转。对如安置在基板下方及上方的多个加热灯的加热源的精确控制，允许基板在非常严格的容差内被加热。对基板温度的严格控制有助于在基板上沉积均匀的层。
2、即使控制处理室内的加热灯，通常亦难以在基板上获得均匀的膜沉积。不均匀性包括基板上沉积稍多或稍少的区域。不均匀性可能由一个或多个因素引起，如基板支撑件及基板内的不均匀热分布及不均匀的前驱物流速。因此，需要改进半导体处理中的加热设备及方法。
技术实现思路
1、本公开内容大体涉及在处理期间调整基板温度分布的方法，适用于半导体制造期间。该方法包括确定基板的第一角位置。将多个温度校正因数提供给点加热器控制器。使用点加热器将基板的第一角度部分暴露于具有第一功率的第一辐射束。使用多个温度校正因数中的...
【技术保护点】
1.一种在处理期间调整基板的温度分布的方法，适用于半导体制造期间，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一角度部分及所述第二角度部分都安置在离所述基板的中心相同的径向距离处。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一角度部分的所述暴露与所述第二角度部分的所述暴露之间，所述基板围绕所述基板的中心旋转。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在校准操作期间，使用测试基板上的膜的厚度或成分来确定所述温度校正因数。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：使用位置感测器确定所述基板的第一角位置，所述位置感测器...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在处理期间调整基板的温度分布的方法，适用于半导体制造期间，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一角度部分及所述第二角度部分都安置在离所述基板的中心相同的径向距离处。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一角度部分的所述暴露与所述第二角度部分的所述暴露之间，所述基板围绕所述基板的中心旋转。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在校准操作期间，使用测试基板上的膜的厚度或成分来确定所述温度校正因数。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：使用位置感测器确定所述基板的第一角位置，所述位置感测器被配置为确定所述基板或其上安置有所述基板的基板支撑件的所述第一角位置。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述温度校正因数与所述基板的角位置相关联。
7.根据权利要求6所述的方法，其中输送到所述第一角度部分及所述第二角度部分的所述第一功率及所述第二功率分别具有大于约2w/cm2的功率密度。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：使用所述点加热器将所述基板的第三角度部分暴露于具有第三功率的第三辐射束，所述第三功率是使用所述多个温度校正因数中的第三温度校正因数确定的，其中所述第三功率不同于所述第一功率及所述第二功率。
9.一种适于在半导体制造期间使用的用于处理基板的设备，包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述一个或多个点加热器的所述辐射束的直径小于约10mm。
11.根据权利要求9所述的设备，进一步包括位置感测器，其被配置...
【专利技术属性】
技术研发人员：萨提亚·施里尼瓦斯·查理，叶祉渊，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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