【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本
技术实现思路
涉及半导体系统、处理、及设备。更特定而言，本
技术实现思路
涉及用于改善高深宽比(aspect ratio)功率器件的缩放的处理与系统。
技术介绍
1、集成电路通过在基板表面上产生错综复杂地图案化的材料层的处理来实现的。在基板上产生图案化材料需要受控的方法以形成与移除材料。随着器件尺寸持续减小，集成电路内的特征可能会变得更小，结构的深宽比可能会增加，并且在处理操作期间保持这些结构的尺寸可能会受到挑战。一些处理可能造成材料中有凹陷特征，由于处理期间增加的暴露，这些凹陷特征的侧壁可能会不均匀或呈锥形。具有笔直侧壁的材料的显影可能会变得更加困难。再者，以材料回填凹陷特征而无任何接缝和/或空隙可能也变得更为困难。
2、因此，需要能够用于生产高品质器件和结构的改良系统与方法。本技术解决了这些和其他需求。
技术实现思路
1、示例性半导体处理方法可包括在基板上形成p型含硅材料，所述基板包括界定一个或多个特征的第一n型含硅材料。所述p型含硅材料可沿着在所述第一n型含硅材料中所界定的所述一个或...
【技术保护点】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的半导体处理方法，进一步包括：
7.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
9.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
10.根据权利要求1所述的半导体处理方
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的半导体处理方法，进一步包括：
7.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
9.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
10.根据权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿米尔哈桑·努尔巴赫什，拉曼·盖尔，泰勒·谢尔伍德，于澜，罗杰·奎恩，西达斯·克里希南，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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