【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及自主或半自主基板处理系统、工具和/或工艺腔室。
技术介绍
1、传统地，由工艺腔室执行的制造配方是以机械方式应用且在不对原位条件作出反应的情况下应用的静态配方。此外，对何时对工艺腔室执行维护及何时使工艺腔室重新投入使用的确定是静态地基于设定的时间表及预定的配方来作出的。工艺腔室一般不具有任何自主性或能力作出它们自己关于工艺配方、维护、工具鉴定等等的决策。
技术实现思路
1、本文中所述的实施例中的一些涵盖了一种基板处理系统，该基板处理系统包括：一个或多个传输腔室；多个工艺腔室，连接至所述一个或多个传输腔室；以及计算设备，连接至所述多个工艺腔室中的每一者。所述多个工艺腔室包括第一工艺腔室和第二工艺腔室，所述第一工艺腔室包括第一多个传感器，所述第二工艺腔室包括第二多个传感器。所述计算设备用于：在所述第一工艺腔室内执行的工艺的第一实例期间或之后从所述第一工艺腔室的所述第一多个传感器中的至少一者接收一个或多个第一测量；使用经训练的机器学习模型来处理所述一个或多个第一测量，其中所述经训...
【技术保护点】
1.一种用于基板处理的工具群集，包括：
2.如权利要求1所述的工具群集，其中所述工艺是半导体制造工艺，并且其中所述多个工艺腔室被配置为执行所述半导体制造工艺。
3.如权利要求1所述的工具群集，其中所述计算设备进一步用于：
4.如权利要求1所述的工具群集，进一步包括：
5.如权利要求1所述的工具群集，其中所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室是蚀刻腔室，并且其中所述工艺是蚀刻工艺。
6.如权利要求5所述的工具群集，其中所述一个或多个第一测量包括在所述工艺的所述第一实例期间产生的基板上的膜的反射计测量，其中所述第一输...
【技术特征摘要】
1.一种用于基板处理的工具群集，包括：
2.如权利要求1所述的工具群集，其中所述工艺是半导体制造工艺，并且其中所述多个工艺腔室被配置为执行所述半导体制造工艺。
3.如权利要求1所述的工具群集，其中所述计算设备进一步用于：
4.如权利要求1所述的工具群集，进一步包括：
5.如权利要求1所述的工具群集，其中所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室是蚀刻腔室，并且其中所述工艺是蚀刻工艺。
6.如权利要求5所述的工具群集，其中所述一个或多个第一测量包括在所述工艺的所述第一实例期间产生的基板上的膜的反射计测量，其中所述第一输出包括所述膜的估算的膜厚度或估算的沟槽深度中的至少一者，其中所述第一动作包括停止所述蚀刻工艺，并且其中所述第一动作的所述第一结果包括以下各项中的至少一者：a)所述膜的测得的厚度与所述膜的所述估算的膜厚度之间的差异，或b)所述膜的测得的沟槽深度与所述膜的所述估算的沟槽深度之间的差异。
7.如权利要求1所述的工具群集，其中所述工艺包括在对所述第一工艺腔室执行维护之后对所述第一工艺腔室执行的调理工艺，其中所述一个或多个第一测量包括在所述工艺的所述第一实例期间产生的来自所述第一多个传感器的第一测量集合，其中所述第一输出包括对所述第一工艺腔室准备好重新投入使用的指示，其中所述第一动作包括要在所述第一工艺腔室中在测试基板上运行的测试工艺，并且其中所述第一动作的所述第一结果包括在所述测试工艺期间或之后产生的所述测试基板的一个或多个测量。
8.如权利要求7所述的工具群集，其中所述第一测量集合包括光学测量、功率测量和压力测量。
9.如权利要求1所述的工具群集，其中所述工艺包括在所述第一工艺腔室中的基板上执行的沉积工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·潘达，连磊，韩鹏昱，T·J·伊根，P·阿吉，E·莫，A·J·汤姆，L·M·泰德斯奇，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。