【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容一般关于薄膜材料，特别是薄膜材料在基板(诸如半导体基板)上的沉积、改性或移除。更具体地，本公开内容关于用于处理腔室(诸如快速热处理(rtp)处理腔室)的气体注入模块。
技术介绍
1、薄膜材料在基板上的沉积、改性或移除在很大程度上取决于跨过基板的表面的前驱物气体的通量。在基板旋转期间，旋转速度(即，旋转自旋速率)通常支配处理腔室内的前驱物气体流速。尤其是在约100torr或更高的处理容积压力范围下，较低的相对气体流速(与旋转自旋速率相比)可能导致在基板的中心处的低通量。基板的中心处的低通量的区域可称为“停滞区域”。在一些示例中，诸如自由基氧化，发生在基板的中心处的停滞区域的氧化物薄膜的相对低生长(与边缘区域相比)可能导致跨越基板的表面的不期望的高程度的膜厚度不均匀性。因此，存在有改进跨过基板的表面的前驱物气体通量的设备和方法的需求。
技术实现思路
1、在一些实施方式中，提供了适用于半导体制造的一种处理腔室。处理腔室包括：腔室主体；可旋转的基板支撑件，其设置在腔室主体的处理容积的内部...
【技术保护点】
1.一种适用于半导体制造的处理腔室，包含：
2.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包含出口端口，所述出口端口形成在所述腔室主体中，其中所述出口端口位于距所述入口端口逆时针旋转270°的位置。
3.根据权利要求1所述的处理腔室，其中：
4.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述多个喷嘴垂直于所述供应面。
5.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述多个喷嘴的一个或多个相对于所述供应面成角度。
6.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述注入模块包含：
7.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个喷嘴...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种适用于半导体制造的处理腔室，包含：
2.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包含出口端口，所述出口端口形成在所述腔室主体中，其中所述出口端口位于距所述入口端口逆时针旋转270°的位置。
3.根据权利要求1所述的处理腔室，其中：
4.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述多个喷嘴垂直于所述供应面。
5.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述多个喷嘴的一个或多个相对于所述供应面成角度。
6.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述注入模块包含：
7.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个喷嘴沿至少两个不同方向上排列在所述供应面上。
8.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包含：
9.一种处理腔室，包含：
10.根据权利要求9所述的处理腔室，其中邻近所述空隙区域的相邻喷嘴之间的所述间距比其他相邻成对喷嘴之间的间距大约2倍至约10倍。
11.根据权利要求9所述的处理腔室，其中所述供应面包含两个或更多个单独的空隙区域。
12.根据权利要求9所述的处理腔室，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗·S·奥尔森，卡蒂克·布彭德拉·仙，柴坦尼亚·安贾内亚鲁·普拉萨德，维希瓦·库马尔·帕迪，阿尼尔·库马尔·博德普迪，埃里卡·汉森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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