【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体工艺和材料。更具体地，本技术涉及在处理期间形成保护层以蚀刻穿过材料层的堆叠。
技术介绍
1、通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要形成和去除暴露材料的受控方法。诸如垂直或3d nand之类的堆叠存储器可包括形成一系列交替的介电材料层，穿过这些层可以蚀刻多个存储器孔或孔洞。材料层的材料性质，以及用于蚀刻的处理条件和材料，可能会影响所形成结构的均匀性。对蚀刻剂的抵抗可能导致不一致的图案化，这可能会进一步影响所形成结构的均匀性。
2、因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法。这些和其他需求由本技术解决。
技术实现思路
1、半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。方法可包括在完全穿透形成在基板上的所述层堆叠之前中止蚀刻。方法可包括沿着基板上的层堆叠形成含碳材料层。含碳材料层可包括金属。方法可包括完全穿过基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。
2、在一些实施例中，形成含碳材料层可包括以下步骤的一个或多个循环：提供与形成在基板上的层堆叠耦合的第一分子物质，以及提供与第一分子物质耦合的第二分子物质。第一分子物质可以由包括胺、二胺、二醇或二硫醇的头部基团表征。第二分子物质可包括氧。形成含碳材料层可包括提供含金属前驱物用于与第一分子物质或第二分子物质中的任一者耦合。形成含碳材料层可包括交替输送含氧材料与含金属前驱物。形成含碳材料层包括以下步骤的一个或多个
3、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理方法。方法可包括部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。层堆叠可包括包含氧化硅的交替层，并且层堆叠可包括超过100层。方法可包括在完全穿透形成在基板上的层堆叠之前中止蚀刻。方法可包括沿着基板上的层堆叠形成含碳材料层。含碳材料层可包括金属。方法可包括完全穿过基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。
4、在一些实施例中，形成含碳材料层可包括以下步骤的一个或多个循环：提供与形成在基板上的层堆叠耦合的第一分子物质，以及提供与第一分子物质耦合的第二分子物质。形成含碳材料层可包括提供含金属前驱物用于与第一分子物质或第二分子物质中的任一者耦合。形成含碳材料层可包括交替输送含氧材料与含金属前驱物。金属可包括铝、钛、锌、铪、或锆中的一种或多种。形成含碳材料层可包括以下步骤的一个或多个附加循环：提供第一分子物质，以及提供第二分子物质。方法可包括从形成在基板上的层堆叠去除含碳材料层。
5、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理方法。方法可包括部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。层堆叠可包括包含氧化硅的交替层，并且层堆叠可包括超过100层。方法可包括在完全穿透形成在基板上的层堆叠之前中止蚀刻。方法可包括沿着基板上的层堆叠形成含碳材料层。含碳材料层可包括金属，并且含碳材料层可沿着层堆叠保形地形成。方法可包括完全穿过基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。在一些实施例中，形成含碳材料层包括以下步骤的一个或多个循环：提供与形成在基板上的层堆叠耦合的第一分子物质，以及提供与第一分子物质耦合的第二分子物质。
6、相对于常规的系统和技术，此类技术可提供许多益处。例如，工艺和结构可防止在蚀刻操作期间的缺陷形成。此外，本技术的实施例的操作可改进穿过堆叠的存储器孔形成，从而允许在处理期间蚀刻更多的层对。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的优点和特征中的许多优点和特征。
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1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤包括以下步骤的一个或多个循环：
3.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中所述第一分子物质由包括胺、二胺、二醇或二硫醇的头部基团表征。
4.如权利要求3所述的半导体处理方法，其中所述第二分子物质包括氧。
5.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤进一步包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤进一步包括以下步骤：
7.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤包括以下步骤的一个或多个附加循环：
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含碳材料层形成至大于或约5nm的厚度。
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤是在小于或约200℃的基板温度下执行的。
10.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述层堆叠包括氧化物和氮化物或多晶硅的交替层，并且其中穿过所
11.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述金属包括铝、钛、锌、铪、钽、或锆中的一种或多种。
12.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
13.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤包括以下步骤的一个或多个循环：
14.如权利要求13所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤进一步包括以下步骤：
15.如权利要求14所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤进一步包括以下步骤：
16.如权利要求14所述的半导体处理方法，其中所述金属包括铝、钛、锌、铪、或锆中的一种或多种。
17.如权利要求14所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤包括以下步骤的一个或多个附加循环：
18.如权利要求12所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
19.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
20.如权利要求19所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤包括以下步骤的一个或多个循环：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤包括以下步骤的一个或多个循环：
3.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中所述第一分子物质由包括胺、二胺、二醇或二硫醇的头部基团表征。
4.如权利要求3所述的半导体处理方法，其中所述第二分子物质包括氧。
5.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤进一步包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤进一步包括以下步骤：
7.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤包括以下步骤的一个或多个附加循环：
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含碳材料层形成至大于或约5nm的厚度。
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中形成所述含碳材料层的步骤是在小于或约200℃的基板温度下执行的。
10.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述层堆叠包括氧化物和氮化物或多晶硅的交替层，并且其中穿过所述氧化物和氮...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·J·布扬，沈泽清，S·S·罗伊，A·B·玛里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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