【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式大体涉及用于控制处理腔室的外部和内部温度的装置和方法，诸如在微电子装置制造中使用的那些。
技术介绍
1、semi s2是用于半导体制造设备的环境、健康、和安全指南。根据semi s2指南，可与人体接触的腔室(诸如用于基板的处理腔室)外部表面的温度应小于或等于65摄氏度。专利技术人已观察到，一些处理腔室(诸如物理沉积(pvd)腔室)的外部温度可超过65摄氏度的当前限制(current limit)。
2、据此，专利技术人提供了改进的装置和方法的实施方式以控制处理腔室的外部表面的温度而不影响内部热环境。
技术实现思路
1、本文提供用于控制处理腔室的外部表面的温度的设备和方法。在一些实施方式中，用于沉积腔室的适配器包括：适配器主体，所述适配器主体在上侧和与所述上侧相对的下侧之间绕着中心轴纵向延伸。所述适配器主体具有绕着所述中心轴的中心开口。所述适配器主体具有径向外部分和径向内部分，所述径向外部分在所述下侧上具有连接表面，所述径向内部分在所述下侧上具有冷却剂通道和阶梯表面。所述冷却剂通道的至少一部分与所述连接表面的径向内端径向向内间隔开。所述冷却剂通道的至少所述部分也在所述下侧上的所述连接表面和所述阶梯表面之间在所述连接表面下方纵向设置。
2、在一些实施方式中，沉积腔室包括：适配器、腔室主体、内屏蔽件和外屏蔽件。适配器包括：适配器主体，所述适配器主体在上侧和与所述上侧相对的下侧之间绕着中心轴纵向延伸。所述适配器主体具有绕着所述中心轴的中心开口。所
3、所述腔室主体界定环绕加热器的内部空腔，所述加热器用于加热所述内部空腔的内部容积。所述腔室主体具有连接表面，所述连接表面界定与所述适配器主体的所述中心开口同轴的所述腔室主体的开口。所述适配器主体的所述连接表面连接至所述腔室主体的所述连接表面。
4、所述外屏蔽件从所述阶梯表面纵向和径向延伸；并且所述内屏蔽件从所述适配器主体的所述上侧纵向和径向延伸朝向所述阶梯表面且部分在所述外屏蔽件上方延伸。
5、在一些实施方式中，用于沉积腔室的处理配件(process kit)包括：适配器、内屏蔽件和外屏蔽件。适配器包括：适配器主体，所述适配器主体在上侧和与所述上侧相对的下侧之间绕着中心轴纵向延伸。所述适配器主体具有绕着所述中心轴的中心开口。所述适配器主体具有径向外部分和径向内部分，所述径向外部分在所述下侧上具有连接表面，所述径向内部分在所述下侧上具有冷却剂通道和阶梯表面。所述冷却剂通道的至少一部分与所述连接表面的径向内端径向向内间隔开；并且所述冷却剂通道的至少所述部分在所述连接表面和所述阶梯表面之间在所述连接表面下方纵向设置。
6、所述外屏蔽件从所述阶梯表面纵向和径向延伸；并且所述内屏蔽件从所述适配器主体的上侧纵向和径向延伸朝向所述阶梯表面且部分在所述外屏蔽件上方延伸。
7、下方描述本公开内容的其他和进一步的实施方式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于沉积腔室的适配器，包括：
2.根据权利要求1所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有一剖面，所述剖面具有符合所述阶梯表面的至少一部分的至少一个表面。
3.根据权利要求1所述的适配器，其中所述连接表面为密封表面，所述密封表面经配置以与所述沉积腔室一起密封。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有正方形或矩形剖面。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有L形、蘑菇形、或T形剖面。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的适配器，其中所述适配器主体的所述径向内部分具有至少一个区段，所述至少一个区段具有L形或T形剖面。
7.根据权利要求6所述的适配器，其中所述冷却剂通道设置于具有L形剖面的所述至少一个区段中。
8.根据权利要求7所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有L形、蘑菇形、或T形剖面。
9.一种沉积腔室，包括：
10.根据权利要求9所述的沉积腔室，其中所述冷却剂通道具有一剖面，所述剖面具有符合所述阶梯表面的至少一部分的
11.根据权利要求9所述的沉积腔室，其中所述适配器主体的所述连接表面与所述沉积腔室的所述连接表面一起密封。
12.根据权利要求9所述的沉积腔室，其中所述加热器经配置以支撑和加热基板。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的沉积腔室，其中所述冷却剂通道具有正方形或矩形剖面。
14.根据权利要求9至12中任一项所述的沉积腔室，其中所述冷却剂通道具有L形、蘑菇形、或T形剖面。
15.根据权利要求9至12中任一项所述的沉积腔室，其中所述冷却剂通道设置于所述内部空腔中。
16.根据权利要求9至12的任一项所述的沉积腔室，其中所述适配器主体的所述径向内部分具有至少一个区段，所述至少一个区段具有L形或T形剖面。
17.根据权利要求16所述的沉积腔室，其中所述冷却剂通道设置于具有L形或T形剖面的所述至少一个区段中。
18.根据权利要求17所述的沉积腔室，其中所述冷却剂通道具有L形、蘑菇形、或T形剖面。
19.一种用于沉积腔室的处理配件，包括：
20.根据权利要求19所述的处理配件，其中：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于沉积腔室的适配器，包括：
2.根据权利要求1所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有一剖面，所述剖面具有符合所述阶梯表面的至少一部分的至少一个表面。
3.根据权利要求1所述的适配器，其中所述连接表面为密封表面，所述密封表面经配置以与所述沉积腔室一起密封。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有正方形或矩形剖面。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有l形、蘑菇形、或t形剖面。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的适配器，其中所述适配器主体的所述径向内部分具有至少一个区段，所述至少一个区段具有l形或t形剖面。
7.根据权利要求6所述的适配器，其中所述冷却剂通道设置于具有l形剖面的所述至少一个区段中。
8.根据权利要求7所述的适配器，其中所述冷却剂通道具有l形、蘑菇形、或t形剖面。
9.一种沉积腔室，包括：
10.根据权利要求9所述的沉积腔室，其中所述冷却剂通道具有一剖面，所述剖面具有符合所述阶梯表面的至少一部分的至少一个表面。...
【专利技术属性】
技术研发人员：维希瓦·库马尔·帕迪，科林·约翰·迪金森，丁克什·胡德利·索曼纳，阿拉·莫拉迪亚，卡蒂克·布彭德拉·仙，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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