【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容总体涉及在亚大气压力环境中处理基板的设备及方法。更特定而言，本公开内容涉及冷却适于半导体处理的基板处理系统。
技术介绍
1、沉积及干蚀刻工艺用于在基板上形成层，和从基板上移除一或多个层的全部或一部分。例如，已知使用溅射工艺(也称为物理气相沉积(physical vapor deposition；pvd))将薄金属及介电膜沉积在基板上，诸如直接沉积在半导体基板上或已经形成在半导体基板上的膜层上。在基板上形成薄膜的其他方法是化学气相沉积(chemical vapordeposition；cvd)及等离子体增强cvd(plasma enhanced cvd；pecvd)。干蚀刻常用于半导体处理，以通过反应离子蚀刻工艺在基板中或在基板上的一或多个薄膜中形成特征。
2、半导体及平板显示器生产中使用的许多薄膜沉积及蚀刻工艺采用基板处理腔室，基板处理腔室附接到群集工具(称为基板处理系统)的主机，其中将一或多个基板装载到专用处理腔室(例如真空腔室)中，所述专用处理腔室具有在所述专用处理腔室中用于在对基板执行的工艺期间支撑基板的专用...
【技术保护点】
1.一种基板处理系统，包含：
2.如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包含：
3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述出口歧管包含所述多个冷却组件中的每个冷却组件的所述出口流量限制器。
4.如权利要求3所述的基板处理系统，其中所述输出歧管包含所述多个输出流量限制器中的每个输出流量限制器。
5.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述出口焊件包含多个出口焊件段，其中所述多个出口焊件段中的每个出口焊件段连接到收集焊件。
6.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述入口冷却流体不同于所述输入冷却流体。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理系统，包含：
2.如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包含：
3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述出口歧管包含所述多个冷却组件中的每个冷却组件的所述出口流量限制器。
4.如权利要求3所述的基板处理系统，其中所述输出歧管包含所述多个输出流量限制器中的每个输出流量限制器。
5.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述出口焊件包含多个出口焊件段，其中所述多个出口焊件段中的每个出口焊件段连接到收集焊件。
6.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述入口冷却流体不同于所述输入冷却流体。
7.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述第二多个子系统包含所述处理腔室、dc电源、主轴马达、所述主轴马达的铁磁流体密封、涡轮马达、或涡轮分子泵中的至少一者。
8.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述至少一个收集焊件包含挠性管线。
9.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述供应焊件通过凸轮锁紧连接连接到所述入口焊件。
10.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述入口焊件包含通过挠性管线连接的多个入口焊件段。
【专利技术属性】
技术研发人员：拉克希米坎斯·克里希纳穆提·希拉哈蒂，克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚，普拉尚·A·德赛，托马斯·布里泽哲科，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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