【技术实现步骤摘要】
本公开内容的示例总体涉及用于形成半导体结构的方法。特别地，本公开内容的实施方式提供了用于图案化要在自对准多图案化(samp)工艺中使用的间隔物层的方法。
技术介绍
1、自对准光刻工艺技术在先进技术节点中发挥重要作用。对于5nm节点及以下的致密金属层，已经使用自诸如自对准双图案化、自对准四图案化和自对准光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(salele)工艺这样的对准多图案化(samp)工艺。
2、一般来讲，在此类samp工艺中，在预定特征(通常称为芯轴)之上沉积间隔物层并随后回蚀刻，使得芯轴的侧壁上的间隔物层部分保留。然后，可蚀刻掉芯轴，从而对于芯轴的每个边缘，留下两个间隔物。然而，该常规间隔物图案化工艺经常导致图案化间隔物中的不对称轮廓。例如，图案化间隔物可在顶部具有圆形肩部部分。图案化间隔物中的不一致性和不对称性可能影响图案转移，这可能导致在下游工艺处的不均匀性和间距行走(即，间距变化)。另外，现有间隔物图案化工艺可能包括用不同蚀刻剂的多个蚀刻工艺，从而导致较差的生产量和工艺可重复性。
3、因此，需要一种用于图案化具有诸如...
【技术保护点】
1.一种用于间隔物图案化的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中在没有真空破坏的情况下在电感耦合等离子体(ICP)蚀刻腔室中执行所述沉积工艺和所述蚀刻工艺。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔物层包括氮化硅。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化芯轴层包含含碳材料。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述上覆层包含氧化硅。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟蚀刻气体包括氟甲烷(CH3F)。
7.一种用于间隔物图案化的方法，所述方法包括：
8.如权利要求7...
【技术特征摘要】
1.一种用于间隔物图案化的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中在没有真空破坏的情况下在电感耦合等离子体(icp)蚀刻腔室中执行所述沉积工艺和所述蚀刻工艺。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔物层包括氮化硅。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化芯轴层包含含碳材料。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述上覆层包含氧化硅。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟蚀刻气体包括氟甲烷(ch3f)。
7.一种用于间隔物图案化的方法，所述方法包括：
8.如权利要求7所述的方法，其中在没有真空破坏的情况下在电感耦合等离子体(icp)蚀刻腔室中执行所述沉积工艺、所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述间隔物层包括氮化硅。
10.如权利要求7所述的...
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