【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书总体上涉及电子器件制造。更具体地，本说明书涉及使用与反应器接口配合的弹性物体进行的工艺气体围堵。
技术介绍
1、电子器件制造设备可包括多个室，诸如处理室和负载锁定室。这种电子器件制造设备可在转移室中采用机器人设备，所述机器人设备被配置为在多个室之间传输基板。在一些情况下，多个基板一起转移。
技术实现思路
1、根据实施方式，提供了一种沉积室系统。所述沉积室系统包括反应器接口；导流件，所述导流件附接至所述反应器接口；反应器框架，所述反应器框架设置在所述反应器接口下方以紧固基板；以及弹性物体，所述弹性物体具有与附接至所述反应器接口的基部对应的第一端和与设置在所述反应器框架上方的压缩主体对应的第二端，以使用压缩力在所述反应器接口与所述反应器框架之间形成工艺气体围堵密封。所述导流件是上游导流件或下游导流件中的一者，所述上游导流件引导工艺气体流进入反应器以对装载在所述反应器中的基板执行沉积工艺，所述下游导流件在执行所述沉积工艺之后将残余工艺气体引导出所述反应器。
2、根据另一实施方式，提供了一种设备。所述设备包括沉积室系统的反应器接口；以及弹性物体，所述弹性物体具有与附接至所述反应器接口的基部对应的第一端和与压缩主体对应的第二端，以在所述反应器接口与设置在所述反应器接口下方的反应器框架之间用压缩力形成工艺气体围堵密封来紧固基板。
3、根据又一实施方式，提供了一种方法。所述方法包括在沉积室系统的反应器框架处于脱离位置的同时，将基板放置在沉积室系统的基座上。将基板放
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1.一种沉积室系统，所述沉积室系统包括：
2.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述反应器框架包括阴影框架或遮罩框架。
3.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述沉积室系统进一步包括基座，所述基座用于：
4.根据权利要求1所述的沉积室，所述沉积室系统进一步包括阴极，其中所述压缩力与所述沉积工艺期间在所述基板与所述阴极之间的目标间隔对应，并且其中所述目标间隔限定所述第二位置。
5.根据权利要求1所述的沉积室，其中所述压缩力在由用于形成所述工艺气体围堵密封的最小压缩力和所述弹性物体可承受的最大压缩力限定的力范围内，并且其中所述压缩力是用于执行所述沉积工艺的目标压缩力。
6.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述压缩主体的几何形状包括横截面环形形状、横截面对称叉尾形状、或横截面翅片形状。
7.根据权利要求1所述的沉积室系统，所述沉积室系统进一步包括：
8.根据权利要求7所述的沉积室系统，其中所述第一弹性物体和所述第二弹性物体是单个弹性物体的部分。
9.根据权利要求1所述的沉积室系统，其
10.一种设备，所述设备包括：
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述压缩主体的几何形状包括横截面环形形状、横截面对称叉尾形状、或横截面翅片形状。
12.根据权利要求10所述的设备，其中所述沉积室系统包括原子层沉积(ALD)系统。
13.根据权利要求10所述的设备，其中所述压缩力与在所述沉积工艺期间在所述基板与所述沉积室系统的阴极之间的目标间隔对应，且其中所述目标间隔限定所述第二位置。
14.根据权利要求10所述的设备，其中所述压缩力在由用于形成所述工艺气体围堵密封的最小压缩力和所述弹性物体可承受的最大压缩力限定的力范围内，并且其中所述压缩力是用于执行所述沉积工艺的目标压缩力。
15.一种方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述沉积室系统包括原子层沉积(ALD)系统。
17.根据权利要求15所述的方法，所述方法进一步包括在将所述基板放置在所述基座上之前限定在所述基板与所述阴极之间的所述间隔，其中所述第二位置与所述间隔对应。
18.根据权利要求15所述的方法，所述方法进一步包括：
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法进一步包括在去除所述残留物之后从所述沉积室系统取出所述基板，其中取出所述基板包括将所述基座从所述第二位置降低至所述第一位置。
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种沉积室系统，所述沉积室系统包括：
2.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述反应器框架包括阴影框架或遮罩框架。
3.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述沉积室系统进一步包括基座，所述基座用于：
4.根据权利要求1所述的沉积室，所述沉积室系统进一步包括阴极，其中所述压缩力与所述沉积工艺期间在所述基板与所述阴极之间的目标间隔对应，并且其中所述目标间隔限定所述第二位置。
5.根据权利要求1所述的沉积室，其中所述压缩力在由用于形成所述工艺气体围堵密封的最小压缩力和所述弹性物体可承受的最大压缩力限定的力范围内，并且其中所述压缩力是用于执行所述沉积工艺的目标压缩力。
6.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述压缩主体的几何形状包括横截面环形形状、横截面对称叉尾形状、或横截面翅片形状。
7.根据权利要求1所述的沉积室系统，所述沉积室系统进一步包括：
8.根据权利要求7所述的沉积室系统，其中所述第一弹性物体和所述第二弹性物体是单个弹性物体的部分。
9.根据权利要求1所述的沉积室系统，其中所述沉积室系统包括原子层沉积(ald)系统。
10.一种设备，所述设备包括：
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述压缩主体的几何形状...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里·霍，邵寿潜，J·吉瑞·陈，孙光伟，许光秀，赵来，孙喆临，苏宗辉，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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