【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本原理的实施例总体上涉及半导体基板的半导体处理。
技术介绍
1、聚合物已作为可固化的介电材料被引入半导体处理。聚合物材料还可为电子设备(诸如手机)提供抗震性，以增加耐用性。在晶片级封装处理期间，在聚合物材料中形成触点，这些材料通常很容易氧化且需要清洁以降低触点的电阻。然而，专利技术人发现，在这些清洁处理期间，聚合物材料经常被溅射回到触点上，从而干扰清洁处理。
2、据此，专利技术人提供了改进的处理，这种改进的处理在触点清洁期间最小化聚合物溅射，增加产量并减小触点的电阻。
技术实现思路
1、本文提供用于在基板上增强清洁触点的方法和装置。
2、在一些实施例中，用于清洁基板上的触点的方法可包括：将所述基板暴露于惰性气体的离子；将第一偏置电源的第一rf频率供应至基板支撑件，其中所述第一rf频率控制所述惰性气体的所述离子的离子能量；将第二偏置电源的第二rf频率供应至基板支撑件，其中所述第二rf频率控制所述惰性气体的所述离子的离子密度，并且是比所述第一rf频率更高的频率；以及调整所述第一rf频率的第一功率水平和所述第二rf频率的第二功率水平，以从所述基板上的至少一个触点选择性地移除氧化物，同时抑制聚合物材料的溅射和所述至少一个触点与聚合物材料的再污染，其中氧化物移除通过改变所述第一rf频率的所述第一功率水平以增加离子能量而对环绕所述至少一个触点的聚合物材料的移除具有选择性，且其中通过改变所述第二rf频率的所述第二功率水平以增加离子密度来增加所述至少一个触点上的氧化物移除的
3、在一些实施例中，所述方法可进一步包括：在氧化物移除期间减小惰性气体流动速率以增加所述离子能量，其中所述惰性气体流动速率为大于零至大约50sccm；在氧化物移除期间降低所述基板的温度至大约-20摄氏度至大约60摄氏度，以进一步抑制聚合物材料的溅射，其中所述温度为大约-20摄氏度；在氧化物移除期间将处理压力维持在大约0.7mtorr至大约20mtorr，其中所述第一rf频率为大约400khz至大约15mhz，且所述第二rf频率为大约40mhz至大约110mhz，其中所述第一rf频率为大约13.56mhz且所述第二rf频率为大约60mhz，其中氧化物移除对聚合物材料移除的选择性比率为至少2：1，其中所述聚合物材料为聚酰亚胺(polyimide)材料或聚苯并恶唑(polybenzoxazole)材料，其中所述触点为铝材料且氧化物为氧化铝，其中所述方法是在晶片级封装处理中执行的，其中所述惰性气体为氩，和/或其中所述第一功率水平为大于零至大约2000w，且所述第二功率水平为大于零至大约2000w。
4、在一些实施例中，用于清洁基板上的触点的方法可包括：将所述基板暴露于来自氩气的离子，所述氩气具有大于零至大约50sccm的气体流动速率，其中减小所述气体流动速率增加了离子能量；将来自第一偏置电源的13.56mhz的第一rf频率供应至基板支撑件，其中所述第一rf频率控制所述氩气的所述离子的离子能量；将来自第二偏置电源的60mhz的第二rf频率供应至基板支撑件，其中所述第二rf频率控制所述氩气的所述离子的离子密度；以及调整所述第一rf频率的第一功率水平和所述第二rf频率的第二功率水平，以从所述基板上的铝材料的至少一个触点选择性地移除氧化铝，同时抑制聚合物材料的溅射和所述至少一个触点与聚合物材料的再污染，其中氧化铝移除通过改变所述第一rf频率的所述第一功率水平以增加离子能量而对环绕所述至少一个触点的聚合物材料的移除具有选择性，且其中通过改变所述第二rf频率的所述第二功率水平以增加离子密度来增加所述至少一个触点上的氧化物移除的速率。
5、在一些实施例中，所述方法可进一步包括：在氧化物移除期间降低所述基板的温度以在氧化物移除期间进一步抑制聚合物材料的溅射，其中所述温度为大约-20摄氏度；在氧化物移除期间将处理压力维持在大约0.7mtorr至大约20mtorr，和/或其中氧化铝移除对聚合物材料移除的选择性比率为至少2：1。
6、在一些实施例中，非瞬态计算机可读介质具有存储于其上的指令，所述指令在执行时导致用于清洁基板上的触点的方法，所述方法可包括：将所述基板暴露于惰性气体的离子；将第一偏置电源的第一rf频率供应至基板支撑件，其中所述第一rf频率控制所述惰性气体的所述离子的离子能量；将第二偏置电源的第二rf频率供应至基板支撑件，其中所述第二rf频率控制所述惰性气体的所述离子的离子密度，并且是比所述第一rf频率更高的频率；以及调整所述第一rf频率的第一功率水平和所述第二rf频率的第二功率水平，以从所述基板上的至少一个触点选择性地移除氧化物，同时抑制聚合物材料的溅射和所述至少一个触点与聚合物材料的再污染，其中氧化物移除通过改变所述第一rf频率的所述第一功率水平以增加离子能量而对环绕所述至少一个触点的聚合物材料的移除具有选择性，且其中通过改变所述第二rf频率的所述第二功率水平以增加离子密度来增加所述至少一个触点上的氧化物移除的速率。
7、在一些实施例中，权利要求19的非瞬态计算机可读介质，所述方法可进一步包括：在氧化物移除期间降低所述基板的温度以进一步抑制聚合物材料的溅射，其中所述温度为大约-20摄氏度至大约60摄氏度；以及在氧化物移除期间将处理压力维持在大约0.7mtorr至大约20mtorr。
8、以下公开其他和进一步的实施例。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于清洁基板上的触点的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.如权利要求2所述的方法，其中所述惰性气体流动速率为大于零至大约50sccm。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.如权利要求4所述的方法，其中所述温度为大约-20摄氏度。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一RF频率为大约400kHz至大约15MHz，且所述第二RF频率为大约40MHz至大约110MHz。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一RF频率为大约13.56MHz且所述第二RF频率为大约60MHz。
9.如权利要求1所述的方法，其中氧化物移除对聚合物材料移除的选择性比率为至少2：1。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物材料为聚酰亚胺材料或聚苯并恶唑材料。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述触点为铝材料且氧化物为氧化铝。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述方法是在晶片级封装处理中
13.如权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体为氩。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述第一功率水平为大于零至大约2000W，且所述第二功率水平为大于零至大约2000W。
15.一种用于清洁基板上的触点的方法，包括：
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
17.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
18.如权利要求15所述的方法，其中氧化铝移除对聚合物材料移除的选择性比率为至少2：1。
19.一种非瞬态计算机可读介质，具有存储于其上的指令，所述指令在执行时导致用于清洁基板上的触点的方法，所述方法包括：
20.如权利要求19所述的非瞬态计算机可读介质，所述方法进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于清洁基板上的触点的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.如权利要求2所述的方法，其中所述惰性气体流动速率为大于零至大约50sccm。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
5.如权利要求4所述的方法，其中所述温度为大约-20摄氏度。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一rf频率为大约400khz至大约15mhz，且所述第二rf频率为大约40mhz至大约110mhz。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一rf频率为大约13.56mhz且所述第二rf频率为大约60mhz。
9.如权利要求1所述的方法，其中氧化物移除对聚合物材料移除的选择性比率为至少2：1。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物材料为聚酰亚胺材料或聚苯并恶唑材料。
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