【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施方式大体而言是关于用于处理腔室的气流引导器设计。更特别地，本公开的实施方式是关于用于均匀地输送处理气体和以最小缺陷有效地处理基板的气流引导器。
技术介绍
1、气体分配组件被用于许多处理腔室，诸如原子层沉积(atomic layerdeposition,ald)腔室或等离子体增强cvd(plasma enhanced cvd,pecvd)腔室，以提供材料在基板上的均匀沉积。来自等离子体源或来自处理腔室的处理体积的寄生等离子体可渗入气体分配组件并在其中引起沉积。随着时间的推移，沉积形成的粒子可污染基板或在基板中造成缺陷。
2、因此，本领域中需要一种腔室，该腔室具有气体分配组件，该气体分配组件均匀地输送处理气体并防止寄生等离子体渗入其中。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，一种气流入口引导器包括：流引导器底板，该流引导器底板包括第一开口和第二开口，该第二开口包括设置在其上方的等离子体阻挡器；顶板，该顶板设置在流引导器底板上方并与该流引导器底板接触以限定气室；以及多个流引导器，该多个流引导器设置在该气室内，以将气体从第一开口引导至第二开口。
2、在另一个实施方式中，一种气流入口引导器包括：流引导器底板，该流引导器底板包括第一开口和第二开口，该第二开口包括设置在其上方的等离子体阻挡器；顶板，该顶板设置在该流引导器底板上方并与该流引导器底板接触以限定气室；流引导器调节器，该流引导器调节器设置在气室内处于第一开口与第二开口之间；以及多个流引导器，该多个流引导
3、在另一实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体；盖，该盖耦接至该腔室主体；以及气流入口引导器，该气流入口引导器耦接至该盖，该气流入口引导器包括：流引导器底板，该流引导器底板包括第一开口和第二开口，该第二开口包括设置在其上方的等离子体阻挡器，该流引导器底板具有三角形形状；顶板，该顶板设置在该流引导器底板上方并与该流引导器底板接触以限定气室，该顶板具有三角形形状；流引导器调节器，该流引导器调节器设置在气室内处于第一开口与第二开口之间；以及多个流引导器，该多个流引导器设置在该气室内，以将气体从第一开口引导至第二开口。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种气流入口引导器，包括：
2.如权利要求1所述的气流入口引导器，其中该等离子体阻挡器是金属网格。
3.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格的孔隙大小为约50μm至约100μm。
4.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含不锈钢、铝、镍、其合金或其组合。
5.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含不锈钢。
6.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含铝。
7.如权利要求1所述的气流入口引导器，其中该等离子体阻挡器设置在形成于该气流引导器底板的表面中的凹槽中。
8.一种气流入口引导器，包括：
9.如权利要求8所述的气流入口引导器，其中该等离子体阻挡器是金属网格。
10.如权利要求9所述的气流入口引导器，其中该金属网格的孔隙大小为约50μm至约100μm。
11.如权利要求10所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含不锈钢、铝、镍、其合金或其组合。
12.如权利要求11所述的气流入口引导器，其中该流
13.如权利要求12所述的气流入口引导器，其中该气流引导器彼此不平行。
14.如权利要求13所述的气流入口引导器，其中这些气流引导器中的每个相应的气流引导器具有长度，并且横向向外的气流引导器的该长度大于向内定位的气流引导器的长度。
15.一种处理腔室，包括：
16.如权利要求15所述的处理腔室，进一步处理工艺套件，该工艺套件接合该流引导器底板。
17.如权利要求16所述的处理腔室，其中该等离子体阻挡器是金属网格。
18.如权利要求17所述的处理腔室，其中该金属网格的孔隙大小为大约50μm至约100μm。
19.如权利要求18所述的处理腔室，其中该金属网格包含不锈钢、铝、镍、其合金或其组合。
20.如权利要求19所述的处理腔室，其中该流引导器调节器包括穿过其形成的多个开口，并且每个开口与由相邻流引导器限定的通道对准。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种气流入口引导器，包括：
2.如权利要求1所述的气流入口引导器，其中该等离子体阻挡器是金属网格。
3.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格的孔隙大小为约50μm至约100μm。
4.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含不锈钢、铝、镍、其合金或其组合。
5.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含不锈钢。
6.如权利要求2所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含铝。
7.如权利要求1所述的气流入口引导器，其中该等离子体阻挡器设置在形成于该气流引导器底板的表面中的凹槽中。
8.一种气流入口引导器，包括：
9.如权利要求8所述的气流入口引导器，其中该等离子体阻挡器是金属网格。
10.如权利要求9所述的气流入口引导器，其中该金属网格的孔隙大小为约50μm至约100μm。
11.如权利要求10所述的气流入口引导器，其中该金属网格包含不锈钢、铝、镍、其合金或其组合。
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【专利技术属性】
技术研发人员：知利美兰，迈克尔·梁，杰弗里·A·霍，许光秀，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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