【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述的实施方式总体上涉及显示器。更具体地，本文描述的实施方式涉及子像素电路和形成可用于显示器(诸如有机发光二极管(oled)显示器)的子像素电路的方法。
技术介绍
1、包括显示设备的输入设备可以用于各种电子系统。有机发光二极管(oled)是发光二极管(led)，其中发射电致发光层是响应于电流而发射光的有机化合物的膜。如果发射的光穿过透明或半透明底部电极和基板(在所述基板上制造面板)，则oled设备被分类为底部发射设备。基于从oled设备发射的光是否通过在制造设备之后添加的盖而离开来对顶部发射设备进行分类。目前，oled用于创造许多电子器件中的显示设备。电子器件制造商正在促使这些显示设备缩小尺寸，同时提供的分辨率比几年前更高。
2、oled像素图案化基于限制面板尺寸、像素分辨率和基板尺寸的工艺。应该使用光刻术来使像素图案化，而不是利用精细金属掩模。目前，oled像素图案化需要在图案化工艺之后剥离有机材料。当剥离有机材料时，有机材料留下破坏oled性能的颗粒问题。相应地，本领域需要的是子像素电路和形成可用于显示器(诸如有机oled显示器)的子像素电路的方法。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(pdl)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸(overhang)结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分(extension)限定。每个主体结构设置在每个pdl结构的上表面上
2、在另一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(pdl)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，以形成悬伸部(overhang)。每个主体结构设置在每个pdl结构的上表面上方。多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定包括第一子像素和第二子像素的多个子像素。第一子像素包括第一阳极、第一有机发光二极管(oled)材料、第一阴极和第一封装层。第一oled材料设置在第一阳极上方并且与第一阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第一阴极设置在第一oled材料上方和相邻悬伸结构下面。第一封装层设置在第一阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。第一封装层在悬伸部的整个区域中并且具有第一厚度。第二子像素包括第二阳极、第二oled材料、第二阴极和第二封装层。第二oled材料设置在第二阳极上方并且与第二阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第二阴极设置在第二oled材料上方和相邻悬伸结构下面。第二封装层设置在第二阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第二封装层具有不同于第一厚度的第二厚度。
3、在又一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(pdl)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，以形成悬伸部。每个主体结构设置在每个pdl结构的上表面上方。多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的多个子像素。第一子像素包括第一阳极、第一有机发光二极管(oled)、第一阴极和第一封装层。第一oled材料设置在第一阳极上方并且与第一阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第一阴极设置在第一oled材料上方，第一阴极在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的一部分接触。第一封装层设置在第一阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。封装层具有第一厚度。第二子像素第二阳极、第二oled材料、第二阴极和第二封装层。第二oled材料设置在第二阳极上方并且与第二阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第二阴极设置在第二oled材料上方，第二阴极在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的一部分接触。第二封装层设置在第二阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。第二封装层具有不同于第一厚度的第二厚度。第三子像素包括第三阳极、第三oled材料、第三阴极和第三封装层。第三oled材料设置在第三阳极上方并且与第三阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第三阴极设置在第三oled材料上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与主体结构的一部分接触。第三封装层设置在第三阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。封装层具有不同于第一厚度和第二厚度的第三厚度。
4、在又一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(pdl)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定。每个主体结构设置在每个pdl结构的上表面上方。多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定包括第一子像素和第二子像素的多个子像素。第一子像素包括第一阳极、第一有机发光二极管(oled)材料、第一阴极和第一封装层。第一oled材料设置在第一阳极上方并且与第一阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第一阴极设置在第一oled材料上方和相邻悬伸结构下面。第一封装层设置在第一阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第一封装层包含至少两层含硅材料。第二子像素包括第二阳极、第二oled、第二阴极和第二封装层。第二oled材料设置在第二阳极上方并且与第二阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第二阴极设置在第二oled材料上方和相邻悬伸结构下面。第二封装层设置在第二阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第二封装层包含具有与第一封装层不同的组成的含硅材料。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述第二子像素的所述第二封装层在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述主体结构的侧壁的一部分和所述顶部结构的底表面接触。
3.如权利要求1所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
4.如权利要求3所述的设备，其中所述第三像素的所述第三封装层在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述主体结构的侧壁的一部分、所述顶部结构的底表面、所述顶部结构的侧壁和所述顶部结构的顶表面接触。
5.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
6.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层包含与所述第二封装层或所述第三封装层中的至少一者不同的材料。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
8.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含至少两层含硅材料，所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层中的至少
9.如权利要求1所述的设备，其中所述第一OLED材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第一OLED材料与所述PDL结构接触；并且所述第二OLED材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第二OLED材料与所述PDL结构接触。
10.一种设备，包括：
11.如权利要求10所述的设备，其中在所述悬伸部中：
12.如权利要求11所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
13.如权利要求12所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
14.如权利要求10所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
15.如权利要求10所述的设备，其中所述顶部结构包含非导电材料、无机材料或含金属材料。
16.如权利要求10所述的设备，其中所述第一阴极延伸过所述第一OLED材料的端点以与所述PDL结构接触，并且所述第二阴极延伸过所述第二OLED材料的端点以与所述PDL结构接触。
17.如权利要求10所述的设备，其中所述第一OLED材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第一OLED材料与所述PDL结构接触；并且所述第二OLED材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第二OLED材料与所述PDL结构接触。
18.一种设备，包括：
19.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层的所述第一厚度大于所述第二封装层的所述第二厚度和所述第三封装层的所述第三厚度，并且其中所述第二封装层的所述第二厚度大于所述第三封装层的所述第三厚度。
20.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层的所述第一厚度小于所述第二封装层的所述第二厚度和所述第三封装层的所述第三厚度，并且其中所述第二封装层的所述第二厚度小于所述第三封装层的所述第三厚度。
21.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
22.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层具有第一折射率，所述第二封装层具有不同于所述第一折射率的第二折射率，并且所述第三封装层具有不同于所述第一折射率和所述第二折射率的第三折射率。
23.如权利要求18所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
24.如权利要求18所述的设备，其中所述第一阴极延伸过所述第一OLED材料的端点以与所述PDL结构接触，并且所述第二阴极延伸过所述第二OLED材料的端点以与所述PDL结构接触。
25.如权利要求18所述的设备，其中所述第一OLED材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面，使得所述第一OLED材料与所述PDL结构接触；并且所述第二OLED材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第二OLED材料与所述PDL结构接触。
26.一种设备，包括：
27.如权利要求26所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
2...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述第二子像素的所述第二封装层在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述主体结构的侧壁的一部分和所述顶部结构的底表面接触。
3.如权利要求1所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
4.如权利要求3所述的设备，其中所述第三像素的所述第三封装层在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述主体结构的侧壁的一部分、所述顶部结构的底表面、所述顶部结构的侧壁和所述顶部结构的顶表面接触。
5.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
6.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层包含与所述第二封装层或所述第三封装层中的至少一者不同的材料。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
8.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含至少两层含硅材料，所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层中的至少一者的所述至少两层所述含硅材料彼此不同。
9.如权利要求1所述的设备，其中所述第一oled材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第一oled材料与所述pdl结构接触；并且所述第二oled材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第二oled材料与所述pdl结构接触。
10.一种设备，包括：
11.如权利要求10所述的设备，其中在所述悬伸部中：
12.如权利要求11所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
13.如权利要求12所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
14.如权利要求10所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
15.如权利要求10所述的设备，其中所述顶部结构包含非导电材料、无机材料或含金属材料。
16.如权利要求10所述的设备，其中所述第一阴极延伸过所述第一oled材料的端点以与所述pdl结构接触，并且所述第二阴极延伸过所述第二oled材料的端点以与所述pdl结构接触。
17.如权利要求10所述的设备，其中所述第一oled材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第一oled材料与所述pd...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈重嘉，郑知泳，迪特尔·哈斯，林裕新，李汀珉，吴文豪，金时经，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。