【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及用于半导体处理的方法和部件。更具体地，本技术涉及用于减小含硅材料中的缝隙或孔洞的大小的系统和方法。
技术介绍
1、通过在基板表面上产生精细地图案化的材料层的处理使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成和移除材料的方法。随着器件大小的不断减小，集成电路内的特征可能会变得更小并且结构的深宽比可能会增大，并且在处理操作期间保持这些结构的尺寸可能会受到挑战。一些处理可能会导致材料中出现缝隙或孔洞，这可能在进一步处理中产生不想要的不良影响。开发可以控制缝隙或孔洞形成的材料可能会变得更加困难。
2、因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法。这些和其他需求由本技术解决。
技术实现思路
1、半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸，且缝隙或孔洞由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法也可包括用含氢气体处理含硅材料，含氢气体诸如含氢气体的等离子体流出物，其可使得缝隙或孔洞的大小减小。
2、在一些实施例中，含硅材料可包括非晶硅、掺杂硅、氮化硅、或碳化硅中的至少一种。缝隙或孔洞可包括大于或约10:1的深宽比。在用含氢气体的等离子体流出物处理基板上的含硅材料的同时，半导体处理腔室内的温度保持在大于或约100℃。在用含氢气体的等离子体流出物处理基板上的含硅材料的同时，半导
3、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理方法。方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸。缝隙或孔洞可由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法可包括用含氢气体处理含硅材料。含氢气体可使缝隙或孔洞的大小减小。
4、在一些实施例中，在用含氢气体处理基板上的含硅材料的同时，半导体处理腔室内的温度可保持在小于或约600℃。在用含氢气体处理基板上的含硅材料的同时，半导体处理腔室内的压力可保持在大于或约0.2torr。用含氢气体处理在基板上的含硅材料可以是在含硅材料在基板上形成的温度的25℃以内的温度下执行的。方法也可包括在用含氢气体的等离子体流出物处理基板上的含硅材料之前，调整半导体处理腔室内的压力。
5、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理方法。方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸。缝隙或孔洞可由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法可包括用含氢气体处理含硅材料。含氢气体可使含硅材料扩展，这可使得在含硅材料的上表面处或附近的缝隙或孔洞的大小减小。
6、在一些实施例中，在用含氢气体处理基板上的含硅材料的同时，半导体处理腔室内的温度可保持在大于或约100℃至小于或约600℃。在用含氢气体处理基板上的含硅材料的同时，半导体处理腔室内的压力可保持在大于或约0.2torr至小于或约300torr。方法可包括在用含氢气体的等离子体流出物处理基板上的含硅材料之前，调整半导体处理腔室内的压力。方法可包括在用含氢气体的等离子体流出物处理基板上的含硅材料之前，增加半导体处理腔室内的压力。
7、相对于常规的系统和技术，本技术可提供许多益处。例如，本技术的实施例可减小适用于多个基板特征的缝隙或孔洞大小。此外，本技术可产生用于后沉积应用的含硅膜，以及任何其他减少的缝隙或孔洞大小可能是有益的应用。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
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1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含硅材料包括非晶硅、掺杂硅、氮化硅、或碳化硅中的至少一者。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述缝隙或孔洞包括大于或约10:1的深宽比。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在用所述含氢气体的所述等等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料的同时，所述半导体处理腔室内的温度保持在大于或约100℃。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在用所述含氢气体的所述等等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料的同时，所述半导体处理腔室内的压力保持在小于或约20Torr。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成所述含氢气体的所述等离子体时提供电源，其中所述等离子体以小于或约2,000W的等离子体功率产生。
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：以大于或约250sccm的流率提供所述含氢气体至所述半导体处理腔室的所述处理区域。
8.如权利要求1所述的
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：在用所述含氢气体的所述等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料之前，调整所述半导体处理腔室内的压力。
10.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中调整所述压力包括：在用所述含氢气体的所述等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料之前增加所述半导体处理腔室内的压力。
11.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述等离子体流出物使所述含硅材料扩展，从而导致在所述含硅材料的上表面处或附近的所述缝隙或孔洞的大小减小。
12.一种半导体处理方法，包括：
13.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中：
14.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中用所述含氢气体处理在所述基板上的所述含硅材料是在所述含硅材料在所述基板上形成的温度的25℃以内的温度下执行的。
15.如权利要求12所述的半导体处理方法，进一步包括：在用所述含氢气体的等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料之前，调整所述半导体处理腔室内的压力。
16.一种半导体处理方法，包括：
17.如权利要求16所述的半导体处理方法，其中在用所述含氢气体处理所述基板上的所述含硅材料的同时，所述半导体处理腔室内的温度保持在大于或约100℃至小于或约600℃。
18.如权利要求16所述的半导体处理方法，其中在用所述含氢气体处理所述基板上的所述含硅材料的同时，所述半导体处理腔室内的压力保持在大于或约0.2Torr至小于或约300Torr。
19.如权利要求16所述的半导体处理方法，进一步包括：在用所述含氢气体的所述等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料之前，调整所述半导体处理腔室内的压力。
20.如权利要求16所述的半导体处理方法，进一步包括：在用所述含氢气体的所述等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料之前，增加所述半导体处理腔室内的压力。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含硅材料包括非晶硅、掺杂硅、氮化硅、或碳化硅中的至少一者。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述缝隙或孔洞包括大于或约10:1的深宽比。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在用所述含氢气体的所述等等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料的同时，所述半导体处理腔室内的温度保持在大于或约100℃。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在用所述含氢气体的所述等等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料的同时，所述半导体处理腔室内的压力保持在小于或约20torr。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成所述含氢气体的所述等离子体时提供电源，其中所述等离子体以小于或约2,000w的等离子体功率产生。
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：以大于或约250sccm的流率提供所述含氢气体至所述半导体处理腔室的所述处理区域。
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中用所述含氢气体的所述等离子体流出物处理在所述基板上的所述含硅材料是在所述含硅材料在所述基板上形成的温度的25℃以内的温度下执行的。
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：在用所述含氢气体的所述等离子体流出物处理所述基板上的所述含硅材料之前，调整所述半导体处理腔室内的压力。
10.如权利要求9所述的半导体处理方法，其中调整所述压力包括：在用所述含氢气体的所述等离子体流出物处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵庆华，程睿，黄锐赟，李铜衡，A·爱丁，K·嘉纳基拉曼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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