【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式大体而言是关于半导体基板的半导体处理。
技术介绍
1、半导体工艺腔室可并入遮盘，从而在可能损坏底座的工艺期间保护底座。遮盘通常由金属材料形成，从而使遮盘的使用寿命增加。然而，专利技术者观察到在诸如物理气相沉积(physical vapor deposition；pvd)工艺的一些工艺期间，遮盘实际可将材料溅射至腔室的处理容积中，进而导致腔室的额外污染和随后所处理晶片中的缺陷。
2、因此，专利技术者提供了可减少或消除pvd腔室的遮盘溅射及污染的改良的工艺及装置。
技术实现思路
1、本文提供了减少遮盘对pvd腔室的污染并且减少晶片缺陷的方法及装置。
2、在一些实施方式中，清洁工艺腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法包括：在pvd腔室的基板支撑件上安置非溅射(或者在一些实施方式中为硅)遮盘；激发pvd腔室的内部容积中布置的含氧清洁气体，以产生可与碳基材料反应的等离子体；以及在曝露于等离子体时加热附着有碳基材料的工艺套件，以移除附着于工艺套件的碳基材料的至少一部分。
3、在一些实施方式中，清洁工艺腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法包括：在物理气相沉积(pvd)腔室的基板支撑件上安置非溅射(或者在一些实施方式中为硅)遮盘；激发pvd腔室的内部容积中布置的含氧清洁气体，以产生处于低于约7.5x10-10托的超高真空(ultra-high vacuum；uhv)的等离子体，其中清洁气体可与碳基材料反应；在曝露于等离子体时加热pvd腔室的工
4、在一些实施方式中，方法可进一步包括以下一者或多者：其中等离子体包含氧(o)自由基，其中遮盘材料为至少99.99％的硅，其中遮盘材料为硅及铝的合金并且硅与铝的比为约1：1，其中遮盘的至少一个表面具有大于约400ra(以微英寸为单位)的粗糙度，并且可执行以下至少一者：经由气体供应器向内部容积提供清洁气体，并用耦接至pvd的射频(radio frequency；rf)电源激发清洁气体，以形成等离子体；经由气体供应器向内部容积提供清洁气体，并用耦接至pvd腔室的dc电源激发清洁气体，以产生等离子体；经由气体供应器向内部容积提供清洁气体，并使用耦接至pvd腔室的微波电源激发清洁气体，以产生等离子体；或经由耦接至pvd腔室的远程等离子体源向内部容积提供等离子体；使用耦接至pvd腔室的直流(direct current；dc)电源向布置于pvd腔室的内部容积中的溅射靶提供脉冲dc，以用于在pvd腔室的清洁之前或之后执行物理气相沉积，其中工艺套件可包含：护板，其具有包含上部及下部的圆柱体；配接器段，其经配置以由pvd腔室的壁支撑，并且具有支撑护板的托置表面；及加热器，其耦接至配接器段，并且经配置以电耦接至pvd腔室的至少一个电源，以加热护板；及/或将溅射靶维持于第一温度，并将工艺套件的护板加热至高于第一温度的第二温度。
5、在一些实施方式中，非暂时性计算机可读储存媒体上储存有指令，当由处理器执行时，指令执行清洁物理气相沉积(pvd)腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法。该方法可如本文公开的任何实施方式所描述。在一些实施方式中，方法包括：在pvd腔室的基板支撑件上安置非溅射(或者在一些实施例中为硅)遮盘；激发pvd腔室的内部容积中布置的含氧清洁气体，以产生可与碳基材料反应的等离子体；以及在曝露于等离子体时加热附着有碳基材料的工艺套件，以移除附着于工艺套件的碳基材料的至少一部分。在一些实施方式中，方法包括：在物理气相沉积(pvd)腔室的基板支撑件上安置非溅射(或者在一些实施方式中为硅)遮盘；激发pvd腔室的内部容积中布置的含氧清洁气体，以产生处于低于约7.5x10-10托的超高真空(uhv)的等离子体，其中清洁气体可与碳基材料反应；在曝露于等离子体时加热pvd腔室的工艺套件；以及移除附着于pvd腔室的工艺套件的碳基沉积材料的至少一部分。
6、在一些实施方式中，方法可进一步包含以下一者或多者：其中等离子体包含氧(o)自由基，其中遮盘材料为至少99.99％的硅，其中遮盘材料为硅及铝的合金并且硅与铝的比为约1:1，其中遮盘材料的至少一个表面具有大于约400ra(以微英寸为单位)的粗糙度，及/或其中工艺套件包含：护板，其具有包含上部及下部的圆柱体；配接器段，其经配置以由pvd腔室的壁支撑，并且具有支撑护板的托置表面；及加热器，其耦接至配接器段，并且经配置以电耦接至pvd腔室的至少一个电源，以加热护板。
7、在一些实施方式中，用于处理基板的物理气相沉积(pvd)腔室可包含：腔室壁，其至少部分地界定pvd腔室中的内部容积；碳基溅射靶，其布置于内部容积的上段中；底座，其包含基板支撑件，该基板支撑件的支撑表面支撑溅射靶下方的基板；电源，其经配置以激发用于在内部容积中形成等离子体的溅射气体；工艺套件，其包围溅射靶及基板支撑件；及遮盘，可将其安置于pvd腔室的基板支撑件上，其中遮盘由遮盘材料形成，该遮盘材料不与或基本上不与氧基等离子体(例如，处于低于约7.5x10-10托的超高真空(uhv)的氧基等离子体)反应。
8、在一些实施方式中，pvd腔室可进一步包含以下一者或多者：其中遮盘材料为至少99.99％的硅，其中遮盘材料为硅及铝的合金并且硅与铝的比为约1:1，其中遮盘材料的至少一个表面有大于约400ra(以微英寸为单位)的粗糙度，及/或其中工艺套件包含：护板，其具有包含上部及下部的圆柱体；配接器段，其经配置以由pvd腔室的壁支撑，并且具有支撑护板的托置表面；及加热器，其耦接至配接器段，并且经配置以电耦接至pvd腔室的至少一个电源，以加热护板。
9、下文公开了其他及另外的实施方式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于清洁布置于物理气相沉积(PVD)腔室的内部容积中的工艺套件的方法，其包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中该等离子体包括氧(O)自由基。
3.如权利要求1所述的方法，其中该遮盘是至少99.99％的硅。
4.如权利要求1所述的方法，其中该遮盘是硅和铝的比为约1:1的硅和铝的合金。
5.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其中该遮盘的至少一个表面具有以微英寸计大于约400Ra的粗糙度。
6.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其进一步包含以下至少一个步骤：
7.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其进一步包含以下步骤：
8.如权利要求7所述的方法，其中该工艺套件包含：
9.如权利要求8所述的方法，其进一步包含以下步骤：
10.一种非暂时性计算机可读储存媒体，其储存有在由处理器执行时执行清洁物理气相沉积(PVD)腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法的指令，该方法包括以下步骤：
11.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该等离子体
12.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该遮盘是至少99.99％的硅。
13.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该遮盘是硅和铝的比为约1:1的硅和铝的合金。
14.如权利要求10至13中任一者所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该遮盘的至少一个表面具有以微英寸计大于约400Ra的粗糙度。
15.如权利要求10至13中任一者所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该工艺套件包含：
16.一种用于处理基板的物理气相沉积(PVD)腔室，其包含：
17.如权利要求16所述的PVD腔室，其中该遮盘材料是至少99.99％的硅。
18.如权利要求16所述的PVD腔室，其中该遮盘材料是硅和铝的比为约1:1的硅和铝的合金。
19.如权利要求16至18中任一者所述的PVD腔室，其中该遮盘的至少一个表面具有以微英寸计大于约400Ra的粗糙度。
20.如权利要求16至18中任一者所述的PVD腔室，其中该工艺套件包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于清洁布置于物理气相沉积(pvd)腔室的内部容积中的工艺套件的方法，其包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中该等离子体包括氧(o)自由基。
3.如权利要求1所述的方法，其中该遮盘是至少99.99％的硅。
4.如权利要求1所述的方法，其中该遮盘是硅和铝的比为约1:1的硅和铝的合金。
5.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其中该遮盘的至少一个表面具有以微英寸计大于约400ra的粗糙度。
6.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其进一步包含以下至少一个步骤：
7.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其进一步包含以下步骤：
8.如权利要求7所述的方法，其中该工艺套件包含：
9.如权利要求8所述的方法，其进一步包含以下步骤：
10.一种非暂时性计算机可读储存媒体，其储存有在由处理器执行时执行清洁物理气相沉积(pvd)腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法的指令，该方法包括以下步骤：
11.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该...
【专利技术属性】
技术研发人员：王智勇，哈伯特·冲，艾琳娜·H·威索克，雷建新，汪荣军，周磊，克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚，S·R·V·雷迪，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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