【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式总体涉及基板制造系统中的样品的处理，更具体而言，涉及通过窗口进入处理装置的腔室中来执行的光学测量的准确度。
技术介绍
1、在制造期间，晶片、基板和其他各种样品可能会在专门的环境(例如蚀刻工艺期间的等离子体环境)中经受处理。等离子体可以发射能被观察的光，例如，通过处理装置的壁中的窗口发射。所观察的光可以使用光学方法(如光学发射光谱术(oes))进行测量，以监测等离子体环境和在等离子体环境中执行的技术工艺。
技术实现思路
1、本文所述的实施方式中的一些实施方式涵盖一种包括光源、光学传感器和处理设备的系统。所述光源可以被配置为：在第一时间期间，将探测光通过窗口引导到处理腔室中；和在第二时间期间，停止将所述探测光通过所述窗口引导到所述处理腔室中。在一些实施方式中，所述光源可以在单独的收集步骤期间被启用或停用。所述光学传感器可以被配置为：在所述第一时间期间，检测第一光的第一强度；和在所述第二时间期间，检测第二光的第二强度。所述第一光可以包括所述探测光的从所述窗口反射的一部分和从所...
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.如权利要求1所述的系统，其中为了确定所述窗口的所述透射系数，所述处理设备用于确定所述第一强度与所述第二强度之间的差异。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述处理设备被进一步配置为使用所述第二强度和所述窗口的所述透射系数，确定从所述处理腔室的所述环境入射于所述窗口上的光的强度。
4.如权利要求1所述的系统，其中所述处理腔室的所述环境是在所述处理腔室中执行的处理操作的过程中产生的，并且其中所述处理设备被进一步配置为：
5.如权利要求1所述的系统，进一步包括：光耦合设备，所述光耦合设备用于将所述探测光...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，包括：
2.如权利要求1所述的系统，其中为了确定所述窗口的所述透射系数，所述处理设备用于确定所述第一强度与所述第二强度之间的差异。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述处理设备被进一步配置为使用所述第二强度和所述窗口的所述透射系数，确定从所述处理腔室的所述环境入射于所述窗口上的光的强度。
4.如权利要求1所述的系统，其中所述处理腔室的所述环境是在所述处理腔室中执行的处理操作的过程中产生的，并且其中所述处理设备被进一步配置为：
5.如权利要求1所述的系统，进一步包括：光耦合设备，所述光耦合设备用于将所述探测光从所述光源输送到所述窗口。
6.如权利要求5所述的系统，其中所述光耦合设备进一步用于将所述第一光从所述窗口输送到所述光学传感器。
7.如权利要求5所述的系统，其中所述处理腔室的所述环境包括等离子体。
8.如权利要求5所述的系统，进一步包括：准直器，所述准直器用于与所述窗口的表面垂直地引导从所述环境透射的所述光。
9.如权利要求1所述的系统，其中所述探测光与所述窗口的表面大体垂直地入射于所述窗口上。
10.如权利要求1所述的系统，其中所述探测光的强度被校准到预定参考强度值。
【专利技术属性】
技术研发人员：帕特里克·泰克，祝昭钊，布莱克·W·埃里克森，张纯磊，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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