【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、沉积及干式蚀刻工艺用于在基板上形成层以及自基板移除所有的一层或多层或其一部分。举例而言，已知可使用溅射工艺(亦称为物理气相沉积(physical vapordeposition；pvd))在基板上(例如直接在半导体基板上或在已形成于其上的膜层上)沉积薄的金属及介电膜。在基板上沉积薄膜的其他方法是化学气相沉积(chemical vapordeposition；cvd)及等离子体增强cvd(pecvd)。干式蚀刻在半导体处理中常用于借由反应性离子蚀刻工艺在基板中或在基板上的一个或多个薄膜中形成特征结构。
2、用于半导体及平板显示器生产的许多薄膜沉积及蚀刻工艺使用基板处理腔室，这些基板处理腔室附接至群集工具的主机(称为基板处理系统)，其中将一个或多个基板装载至其中具有专用硬件的专用处理腔室(例如真空腔室)中，从而在对基板执行工艺时支撑基板。维持均匀的工艺温度对于工艺需求、安全性以及部件寿命至关重要。薄膜沉积及蚀刻工艺期间产生大量热。基板在处理期间可受到所产生的热的影响，如果未得以充分控制，则可导致整个基板上出现非均匀温度。举例而言，基板的左侧可能比右侧热。基板的中心可能比基板的边缘热，反之亦然。非均匀温度可导致基板的非均匀平面型样，其可能包括基板变形以及不均匀的材料沉积。另外，对于基板处理系统的每一处理腔室，基板的温度可能有差异，并且导致每一处理腔室的沉积的量及质量不同。
3、基板的非均匀温度可能源于若干因素。基板处理腔室的几何形状可能干扰向基板的热传递，或者可能使得散热器自基板吸走热。举例而言
4、因此，需要能够解决上文所描述的问题的调整基板的平面型样的系统及方法。
技术实现思路
1、本文描述的实施方式一般涉及适用于半导体处理的处理腔室以及装配处理腔室的方法。更具体而言，本文描述的实施方式涉及控制加热元件中的辐射损失的边界及其安装及调整。
2、在一个实施方式中，基板处理系统中使用的底部覆盖板包含：中心开口，其被构造为布置于基板处理系统的底座的轴上；及面向表面，其被构造为面向布置于基板处理系统的底座上的基板。面向表面包含具有不同发射率的区域的表面光洁度。
3、在另一实施方式中，基板处理系统中使用的底部覆盖板组件包含底部覆盖板。底部覆盖板包含：中心开口，其被构造为布置于基板处理系统的底座的轴上；及面向表面，其被构造为面向布置于基板处理系统的底座上的基板。面向表面包含具有不同发射率的区域的表面光洁度。基板处理系统包含配接器，配接器被构造为将底部覆盖板安置于基板处理系统中。配接器被构造为布置于底座的轴上。
4、在另一实施方式中，基板处理系统包括用于处理基板的处理腔室。处理腔室包含底座，该底座具有被构造为加热基板及轴的加热元件。处理腔室包含具有中心开口的底部覆盖板。经由中心开口将底部覆盖板安置于底座的轴上。底部覆盖板包含被构造为面向基板的面向表面。面向表面包含纹理化型样。
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1.一种用于基板处理系统的底部覆盖板，其包含：
2.如权利要求1所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板的所述表面光洁度是纹理化型样。
3.如权利要求2所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板的所述纹理化型样是所述基板的热曲线的反向型样。
4.如权利要求3所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板被构造为围绕所述底座的所述轴旋转，从而以一定向对所述底部覆盖板的所述纹理化型样加以定向。
5.如权利要求4所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板被构造为与配接器接合，所述配接器被构造为将所述底部覆盖板安置于所述基板处理系统中，其中将所述配接器布置于所述底座的所述轴上。
6.如权利要求5所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板包含被构造为与所述配接器的锁定结构接合的键接结构，使得当所述锁定结构与所述键接结构接合时底部覆盖板保持为静止的。
7.如权利要求6所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板具有与所述键接结构对准的通孔，使得所述通孔被构造为在所述底部覆盖板的所述键接结构与所述配接器的所述锁定结构接合时所述基板处理系统的升降杆通过所述通孔。<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于基板处理系统的底部覆盖板，其包含：
2.如权利要求1所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板的所述表面光洁度是纹理化型样。
3.如权利要求2所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板的所述纹理化型样是所述基板的热曲线的反向型样。
4.如权利要求3所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板被构造为围绕所述底座的所述轴旋转，从而以一定向对所述底部覆盖板的所述纹理化型样加以定向。
5.如权利要求4所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板被构造为与配接器接合，所述配接器被构造为将所述底部覆盖板安置于所述基板处理系统中，其中将所述配接器布置于所述底座的所述轴上。
6.如权利要求5所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板包含被构造为与所述配接器的锁定结构接合的键接结构，使得当所述锁定结构与所述键接结构接合时底部覆盖板保持为静止的。
7.如权利要求6所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板具有与所述键接结构对准的通孔，使得所述通孔被构造为在所述底部覆盖板的所述键接结构与所述配接器的所述锁定结构接合时所述基板处理系统的升降杆通过所述通孔。
8.如权利要求1所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板的不同发射率的所述区域包含自所述底部覆盖板的一端至所述底部覆盖板的相反端连续增大的发射率。
9.如权利要求8所述的底部覆盖板，其中所述底部覆盖板的所述一端及所述底部覆...
【专利技术属性】
技术研发人员：黃祖滨，斯里尼瓦斯·托库尔·莫哈纳，山帝仕·亚达玛尼，吴凯，加勒巴利·拉维，俞晓舟，王珮琪，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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