一种功率器件封装基板制造技术

本实用新型专利技术属于电子封装技术，涉及一种功率器件封装散热用陶瓷基板。本实用新型专利技术包括陶瓷基片，具有纳米多孔铜结构且厚度相同的芯片焊接区铜层、电极引线区铜层和应力补偿铜层，芯片焊接区铜层和电极引线区铜层位于陶瓷基片上表面，应力补偿铜层位于陶瓷基片下表面。铜层可采用铜箔电镀、选择性腐蚀、热压键合等工艺制作在陶瓷基片上。铜层厚度可在30微米至500微米范围内选择。本实用新型专利技术的特点是：提高功率器件（如大功率LED、IGBT、LD等）产品的散热性、导电性、可焊性、抗热冲击性、铜层与陶瓷基片间的附着力等，从而显著提高功率电子产品的可靠性与稳定性，尤其可降低陶瓷覆铜板的生产成本，适合大规模生产和板上芯片封装技术（COB）发展。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术所属领域属于电子封装技术，具体涉及一种功率器件封装用陶瓷散热基板。技术背景随着三维封装技术发展和系统集成度提高，以大功率发光二极管(LED)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、激光器(LD)为代表的功率器件制造过程中，散热基板的选用成为关键的技术环节，并直接影响到器件的使用性能与可靠性。对于电子封装而言，散热基板主要是利用其材料本身具有的高热导率，将热量从芯片导出，实现与外界的电互连与热交换。但对于功率器件封装而言，基板除具备基本的布线(电互连)功能外，还要求具有较高的导热、绝缘、耐高温、耐电压能力与热匹配性能，一般采用陶瓷覆铜板。目前常用的陶瓷覆铜板包括厚膜工艺制备的陶瓷金属化基板、高温直接键合工艺制备的陶瓷覆铜板(DBC)和直接电镀工艺制备的陶瓷覆铜板(DPC)。其中，厚膜工艺采用金属浆料印刷后烧制实现陶瓷的金属化，其缺点在于浆料成本和烧结工艺(13000C )成本高，金属化层表面粗糙，厚度一般不超过25微米，限制了高电流的导通能力；DBC基板制备采用高温下(10650C )Cu与Al2O3间的共晶反应，对设备和工艺控制要求较高，生产成本高；而DPC基板表面铜层采用电镀工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件封装基板，其特征在于，它包括陶瓷基片，以及具有纳米多孔铜结构且厚度相同的芯片焊接区铜层、电极引线区铜层和应力补偿铜层，芯片焊接区铜层和电极引线区铜层位于陶瓷基片上表面，应力补偿铜层位于陶瓷基片下表面。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件封装基板，其特征在于，它包括陶瓷基片，以及具有纳米多孔铜结构且厚度相同的芯片焊接区铜层、电极引线区铜层和应力补偿铜层，芯片焊接区铜层和电极引线区铜层位于陶瓷基片上表面，应力补偿铜层位于陶瓷基片下表面。2.根据权利要求I所述功率器件封装基板，其特征在于，所述芯片焊接区铜层、电极引线区铜层和应力补偿铜层为由铜箔在陶瓷基片表面热压制备而成的铜层。3.根据权利要求2所述功率器件封装基板，其特征在于，所述铜箔为电解铜箔或压延铜箔。4.根据权利要求I所述功率器件封装基板，其特征在于，所述陶瓷基片为氧化铝陶瓷基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明祥，黄瑾，
申请(专利权)人：武汉利之达科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：