【技术实现步骤摘要】
本技术涉及封装的
，具体为一种S0T223-3L封装引线框架。技术背景 现有的S0T223-3L的框架，其结构见图I，有三个引脚，分别为引脚I、引脚2、引脚3，其为单基岛，基岛上放置一片芯片，芯片的焊盘引线到框架，塑封引脚1，引脚3的框架部分与塑封体结合气密性不强，在高温潮湿环境下，水汽会侵入塑封体内部芯片上，致使芯片表面焊线球氧化，引起脱落或是接触不良，电性能早期失效。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种S0T223-3L封装引线框架，其增强塑封体的气密性，提高了性能稳定性和可靠性，延长了器件的使用寿命。一种S0T223-3L封装引线框架，其技术方案是这样的其包括S0T223-3L框架，所述S0T223-3L框架包括三个引脚、分别为中心引脚、两侧引脚，其特征在于所述两侧引脚的框架部分的外侧分别开有半圆导流孔，所述中心引脚的尾部框架部分两侧开有半圆导流孔。其进一步特征在于所述中心引脚的尾部框架部分中心位置开有圆孔。采用本技术后，由于S0T223-3L框架的两侧引脚的框架部分的外侧分别开有半圆导流孔、中心引脚的尾部框架部分两侧开有半圆导流孔，其使得塑封时塑封体会流过半圆导流孔使中心引脚、两侧引脚框架上下面结合良好，增加了塑封体与框架的接触面积，从而提高塑封体的密封性能，增强塑封体的气密性，提高了性能稳定性和可靠性，延长了器件的使用寿命；此外，设置的半圆导流孔，使得塑封体减少了铜材质，降低制造成本。附图说明图I是现有的S0T223-3L封装引线框架结构示意图；图2是本技术的主视图结构示意图。具体实施方式见图2，其包括S0T223-3L框架，S...
【技术保护点】
一种SOT223?3L封装引线框架，其包括SOT223?3L框架，所述SOT223?3L框架包括三个引脚、分别为中心引脚、两侧引脚，其特征在于：所述两侧引脚的框架部分的外侧分别开有半圆导流孔，所述中心引脚的尾部框架部分两侧开有半圆导流孔。
【技术特征摘要】
1.一种S0T223-3L封装弓I线框架，其包括S0T223-3L框架，所述S0T223-3L框架包括三个引脚、分别为中心引脚、两侧引脚，其特征在于所述两侧引脚的框架部分的外侧分别...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯友良，
申请(专利权)人：无锡红光微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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