具有超薄封装的高性能功率晶体管制造技术

场效应晶体管封装包含具有第一线性厚度(150a)的引线框架和减小厚度的引线框架垫(151)；场效应晶体管芯片(140)的第一端附接到垫以及第二和第三端远离垫；第二线性厚度(1l0a)的金属板(110)连接第二晶体管端至封装端；第三线性厚度(112a)的金属板(112)连接第三晶体管端至封装端；第一线性厚度(约0.125mm)和第二线性厚度(约0.125mm)的总和加上附接材料(约0.05mm)构成封装厚度(约0.3mm)。

【技术实现步骤摘要】
具有超薄封装的高性能功率晶体管专利
本专利技术通常涉及半导体器件和工艺领域，并且更具体的，涉及能有高电流、高功率和高速度的超薄QFN封装功率晶体管的结构和制造方法。
技术介绍
对于当今多数功率转换器件来说，功率MOSFET芯片作为单个元件组装。器件使用金属引线框架，典型地，其具有由引线围绕的矩形垫；垫作为衬底，用于附接半导体芯片，而引线作为输出端。一般地，引线被形成为没有悬臂，并且以方形扁平无引线(QFN)或小外形无引线(SON)器件的方式设置。可以以多种方式提供芯片到引线的电连接。在一类器件中，通过粘结导线来提供连接。由于导线的长度和电阻的原因，这些导线会将显著的寄生电感引入到功率电路中。典型地，每个组件封装在塑料外罩中，并且被封装元件用作离散构造块，用于电源系统的板组装。在其他类器件中，金属夹替代了多个或所有的连接导线。这些夹较宽，并且跟导线相比，引入较小的寄生电感和电阻。这些类的器件是几毫米的。为了将器件厚度减少至约I. 5mm,另一最近引入的功率 MOSFET组件通过提供具有组件垫的引线框架而避免了连接夹和导线粘结，且其中组件垫针对功率芯片分为两部分，其中在一个芯片侧上具有第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管封装，包括：具有第一线性厚度的引线框架，该引线框架具有减小厚度的垫；附接到所述垫的场效应晶体管芯片，该晶体管具有与所述垫接触的第一端以及远离所述垫的第二和第三端；连接所述第二晶体管端至封装端的具有第二线性厚度的金属板，以及连接所述第三晶体管端至封装端的具有第三线性厚度的金属板；以及所述第一和第二线性厚度的总和构成封装厚度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·和布搜摩，O·J·洛佩兹，J·A·诺奇尔，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：