功率晶体管布置以及具有该布置的封装体制造技术
【技术实现步骤摘要】
功率晶体管布置以及具有该布置的封装体
各种实施例总体涉及功率晶体管布置以及具有该布置的封装体。
技术介绍
功率半导体芯片可以被集成到用于各种电路装置的电子封装体中。例如，可以通过分立部件或封装体或者借助芯片上芯片（chip-on-chip）结构来实施共源共栅电路或者半桥电路，其中可以使用扩散焊接。分立部件或封装体可以导致显著的封装体感应性并且因此导致开关损耗。芯片上芯片结构可以导致关于在顶部上的芯片（例如硅场效应晶体管芯片）的热限制。
技术实现思路
各种实施例提供一种功率晶体管布置。功率晶体管布置可以包括：载体，包括至少主区域以及第一端子区域和第二端子区域，主区域、第一端子区域和第二端子区域相互电隔离；第一功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，第一功率晶体管被布置于载体的主区域上，使得第一功率晶体管的第一功率电极面朝载体的主区域并且电耦合至载体的主区域；第二功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，第二功率晶体管被布置于第一端子区域和第二端子区域上，使得第二功率晶体管的控制电极和第二功率晶体管的第一功率电极面朝载体的端子区域。第二功率晶...
【技术保护点】
一种功率晶体管布置，包括：载体，至少包括主区域以及第一端子区域和第二端子区域，所述主区域、所述第一端子区域和所述第二端子区域相互电隔离；第一功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，所述第一功率晶体管被布置于所述载体的所述主区域上，使得所述第一功率晶体管的所述第一功率电极面朝所述载体的所述主区域并且电耦合至所述载体的所述主区域；第二功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，所述第二功率晶体管被布置于所述第一端子区域和所述第二端子区域上，使得所述第二功率晶体管的所述控制电极和所述第二功率晶体管的所述第一功率电极面朝所述载体的所述端子区域，其中所述第...
【技术特征摘要】
2013.02.11 US 13/763,7691.一种功率晶体管布置，包括：载体，至少包括主区域以及第一端子区域和第二端子区域，所述主区域、所述第一端子区域和所述第二端子区域相互电隔离，所述主区域、所述第一端子区域和所述第二端子区域共面；第一功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，所述第一功率晶体管被布置于所述载体的所述主区域上，使得所述第一功率晶体管的所述第一功率电极面朝所述载体的所述主区域并且电耦合至所述载体的所述主区域；第二功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，所述第二功率晶体管被布置于所述第一端子区域和所述第二端子区域之上，使得所述第二功率晶体管的所述控制电极和所述第二功率晶体管的所述第一功率电极面朝所述载体的所述端子区域，其中所述第二功率晶体管的所述控制电极电耦合至所述载体的所述第一端子区域，并且其中所述第二功率晶体管的所述第一功率电极电耦合至所述载体的所述第二端子区域；其中所述第一功率晶体管的所述控制电极电耦合至所述第一端子区域和所述第二端子区域之一；并且其中所述第一功率晶体管的所述第二功率电极与所述第二功率晶体管的所述第二功率电极相互电耦合。2.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，其中所述载体的所述主区域具有至少10mm2的尺寸。3.根据权利要求2所述的功率晶体管布置，其中所述载体的所述主区域具有小于或者等于300mm2的尺寸。4.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，所述载体的所述第一端子区域和所述第二端子区域中的至少一个端子区域具有小于或者等于1mm2的尺寸。5.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，其中所述第二功率晶体管是低压金属氧化物半导体场效应晶体管。6.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，其中所述第一功率晶体管被布置于所述载体的所述主区域上，使得所述第一功率晶体管的所述控制电极背离所述载体的所述主区域。7.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，其中所述第一功率晶体管的所述控制电极借由接线电耦合至所述第一端子区域和所述第二端子区域之一。8.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，其中所述第一功率晶体管是高电子迁移率晶体管。9.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·奥特雷姆巴，J·赫格劳尔，J·施雷德尔，X·施勒格尔，K·希斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT
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