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一种采用对称型并联的电力电子模块制造技术

技术编号:10315939 阅读:123 留言:0更新日期:2014-08-13 17:28
一种采用对称型并联的电力电子模块,本发明专利技术涉及一种新型并联均流模块,采用了一种新型的空间对称的结构。在这种新型的并联均流模块中,采用了空间对称的正六面体铜片来代替传统的平面铜片,极大的优化了均流能力。而且,中空的构也使得对这种新型并联均流模块采用风冷成为可能,有效防止芯片过热,提高模块的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种采用对称型并联的电力电子模块
本专利技术涉及功率电力领域。本专利技术涉及一种电力电子模块,具体的讲,为一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块。本专利技术适用于硅基器件和碳化硅基器件。
技术介绍
单个IGBT的导通电流很小,为获得大的电流容量,通常采取多个IGBT管并联的方式,进而获得较大的功率。目前IGBT具有正温度系数,具有自动均流和均温作用,理论上并联时无需使用平衡各器件电流的限流电阻和温度补偿电路,但是由于IGBT自身参数及电路参数不匹配,将导致并联应用时出现电流分配不均的问题,严重时会导致IGBT过载而损坏,因此更好的实现并联均流是现代电力电子模块应用的重要课题。以绝缘栅双极型晶体管为主的功率模块,具有输出功率大并且发热量大等特点,有必要进行冷却,以确保它们的可靠运行,设备中的器件的良好散热对于设备的正常工作有至关重要的作用。
技术实现思路
本专利技术针对传统的电力电子并联均流模块均流能力不理想,提出出一种新型的对称型并联均流模块设计方案,利用正六面体,实现并联均流模块空间上完全对称,以达到更好的均流效果。同时,本专利技术采用的正六面体采用中空结构,可以实现更好的散热效果,通过风冷带走更多的热量,防止芯片过热,提高模块的整体散热效率。本专利技术的技术方案如下:绝缘栅双极晶体管(IGBT)并联均流模块的结构主要由功率芯片,焊锡层,正六面体铜片1、2、3以及电极2、3组成。本专利技术提出在并联均流模块中,采用空间对称的正六面体结构代替传统的平面结构,实现各电路完全对称,以获得更好的均流效果。为了更好的提高并联均流模块的散热效率,本专利技术的正六面体采用了中空结构,为风冷及水冷提供了可能。【附图说明】图1为本专利技术的主要结构的横向示意图:⑴IGBT芯片、⑵焊锡(3)、正六面体铜片2。图2为本专利技术的主要结构侧向示意视图=(I)IGBT芯片、⑵反向并联二极管、(3)正六面体铜片2。图3为本专利技术的外部结构详细图:⑴正六面体铜片1、(2)和(3)键合线、⑷正六面体铜片2、(5) IGBT芯片、(6)正六面体铜片3。图4为本专利技术的内部结构的横向示意图。左右各为一个电极,左:⑴电极,即IGBT的C极和二极管负极、(2)正六面体铜片I和(3)绝缘层右:(I)电极,即IGBT的E极图5为本专利技术纵向示意图。图6和图7是正六面体铜片3下面的电极3(即IGBT的E极和反向二极管的负极)各向视图。图8和图9是正六面体铜片2下面的电极2(即IGBT的C极和二极管的正极2)各向视图图10: (I)正六面体铜片1,即IGBT的G极⑵陶瓷绝缘层【具体实施方式】下面结合附图与实施例对本专利技术作进一步详细描述:实施例1下面各图为IGBT的单管示意图,为6个IGBT并联均流。图1、2为本专利技术的主要结构的横向、侧向示意视图。图3为本专利技术的外部结构。图4,5为本专利技术的内部结构的横向、纵向示意图。图6、7、8、9为内部两电极(C极和E极)的各向示意图。图10为G极示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用对称型并联的电力电子模块,该电力电子模块的新型并联均流结构主要由功率芯片、焊锡层、六面体铜层1、2、3以及电极2、3组成。

【技术特征摘要】
1.一种采用对称型并联的电力电子模块,该电力电子模块的新型并联均流结构主要由功率芯片、焊锡层、六面体铜层1、2、3以及电极2、3组成。2.根据权利要求1所述的并联均流模块,其特征在于:所述的模块采用正六面体结构代替传统的平面结构,实现每个通路在空间完全对...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐嘉俊郭清江明明盛况
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江;33

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