改进内部晶圆温度分布的装置制造方法及图纸

一些实施例涉及在晶圆清洁工具中提供均匀的晶圆温度分布而不在晶圆上引入不想要的颗粒的方法和装置。在一些实施例中，本发明专利技术的晶圆清洁工具具有被配置成用于容纳半导体晶圆的加工室。分配臂为半导体晶圆提供高温清洁溶液。加热杯在环绕半导体晶圆的周边的位置处设置在加工室内。加热杯产生热，该热使半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于半导体晶圆的中心的温度升高的量，从而使半导体晶圆的内部温度分布变均匀。本发明专利技术还提供了改进内部晶圆温度分布的装置。

【技术实现步骤摘要】
改进内部晶圆温度分布的装置
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及晶圆清洁装置。
技术介绍
半导体晶圆清洁广泛用于半导体加工中。例如，用于集成芯片制造的许多工艺(例如，沉积工艺、蚀刻工艺等)在半导体晶圆上留下残余物。如果不去除残余物，则残余物会污染半导体晶圆上的器件从而导致半导体晶圆上的集成芯片的失灵。在最近的技术节点(例如28nm、22nm等)中，为了从晶圆表面去除污染颗粒，半导体产业已经越来越多地用单晶圆清洁工具代替大批量(即湿式工作台)清洁系统。单晶圆清洁工具被配置为在给定的时间实施单个半导体晶圆的湿式清洁工艺。利用单个晶圆清洁工具实现在湿式清洁溶液中的更好工艺控制，从而改进颗粒去除效率(PRE)和增加产量。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种晶圆清洁工具，包括:加工室，被配置成容纳半导体晶圆；分配臂，被配置成为所述半导体晶圆提供高温清洁溶液；以及加热杯，在所述加工室内设置在环绕所述半导体晶圆的周边的位置处，并且被配置成产生热，所述热使所述半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于所述半导体晶圆的中心的温度升高的量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆清洁工具，包括：加工室，被配置成容纳半导体晶圆；分配臂，被配置成为所述半导体晶圆提供高温清洁溶液；以及加热杯，在所述加工室内设置在环绕所述半导体晶圆的周边的位置处，并且被配置成产生热，所述热使所述半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于所述半导体晶圆的中心的温度升高的量。

【技术特征摘要】
2013.02.08 US 13/762,5001.一种晶圆清洁工具，包括: 加工室，被配置成容纳半导体晶圆； 分配臂，被配置成为所述半导体晶圆提供高温清洁溶液；以及 加热杯，在所述加工室内设置在环绕所述半导体晶圆的周边的位置处，并且被配置成产生热，所述热使所述半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于所述半导体晶圆的中心的温度升高的量。2.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具，其中， 所述加热杯从所述半导体晶圆之上的上部位置延伸至所述半导体晶圆之下的下部位置，以及 所述加热杯在所述半导体晶圆之上是开口的以防止所述加热杯延伸至所述半导体晶圆之上的位置。3.根据权利要求2所述的晶圆清洁工具，其中，所述加热杯在所述半导体晶圆之下是开口的以防止所述加热杯延伸至所述半导体晶圆之下的位置。4.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具，还包括: 电源，与所述加热杯电连接并且被配置成为所述加热杯提供电流，所述加热杯被配置成一旦接收到所述电流就产生所述热。5.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具，其中，所述高温清洁溶液的温度大于或等于60。。。6.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具，其中，所述加热杯包括: 加热元件，被配置成用于产...

【专利技术属性】
技术研发人员：许育嫣，古绍延，周俊利，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71