【技术实现步骤摘要】
一种S0T89-3L封装引线框架
本技术涉及封装的
，具体为一种S0T89-3L封装引线框架。
技术介绍
标准的S0T89-3L封装型式的引线框架见图1，其为一个基岛I、两只管脚2构成， 芯片安放到基岛I上，塑封后基岛I与塑封体结合气密性不强，在高温潮湿环境下，水汽会侵入塑封体内部芯片上，致使芯片表面焊线球氧化，引起脱落或是接触不良，电性能早期失效。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种S0T89-3L封装引线框架，其增强塑封体的气密性，提高了性能稳定性和可靠性，延长了器件的使用寿命。一种S0T89-3L封装引线框架，其技术方案是这样的其包括S0T89-3L框架，所述 S0T89-3L框架包括一个基岛、两只管脚，其特征在于所述基岛的背面设置有凹槽。其进一步特征在于八个所述凹槽分别排列于所述基岛的背面的两侧，所述凹槽靠近所述基岛的背面的边缘布置。采用本技术后，由于S0T89-3L框架的基岛的背面设置有凹槽，其使得塑封时增加了塑封体与基岛的接触面积，从而提高塑封体的密封性能，增强塑封体的气密性，提高了性能稳定性和可靠性，延长了器件的使用寿命；此外，设...
【技术保护点】
一种SOT89?3L封装引线框架，其包括SOT89?3L框架，所述SOT89?3L框架包括一个基岛、两只管脚，其特征在于：所述基岛的背面设置有凹槽。
【技术特征摘要】
1.一种S0T89-3L封装引线框架，其包括S0T89-3L框架，所述S0T89-3L框架包括一个基岛、两只管脚，其特征在于所述基岛的背面设置有凹槽。...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯友良，
申请(专利权)人：无锡红光微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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