一种硅通孔的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硅通孔的制作方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上沉积栅极与金属层之间的层间介质膜；步骤2，栓孔与硅通孔PAD光刻与刻蚀；步骤3，硅通孔光刻与刻蚀；步骤4，栓孔与硅通孔金属填充。该方法可以避免在氧化膜的交界面形成横向的底切(undercut)，有利于后续金属的填充。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，尤其是。
技术介绍
硅通孔(Through Si via，TSV)工艺是一种新兴的集成电路制作工艺，将制作在硅片上表面的电路通过硅通孔中填充的金属连接至硅片背面，结合三维封装工艺，使得IC布局从传统二维并排排列发展到更先进的三维堆叠，这样元件封装更为紧凑，通过缩短芯片引线距离，可以极大的提高电路的频率特性和功率特性。硅通孔工艺应用广泛，适合用作多方面器件性能提升。如将其用于无线局域网与手机中功率放大器，将极大的提高电路的频 率特性和功率特性。硅通孔工艺制作中，一般采用先进的刻蚀工艺在硅基体中制作出具有极大深宽比的孔或沟槽，孔或沟槽深度大致为100微米。在该孔或沟槽中填充金属，将硅片背面减薄后将电极通过背面引出。根据通孔的形成阶段，可分为两种不同的工艺通孔先(Via-first)和通孔后(via-last)。前者是在CMOS IC制作工艺前或者在CMOS IC制作工艺中后端制程(BEOL)之前形成硅通孔结构，后者是在CMOS IC制作完成之后，再完成硅通孔的制作。目前在与IC工艺相兼容的via-f irst制作工艺中，通常是在BEOL (制程的后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上沉积栅极与金属层之间的层间介质膜；步骤2，栓孔与硅通孔PAD光刻与刻蚀；步骤3，硅通孔光刻与刻蚀；步骤4，栓孔与硅通孔金属填充。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程晓华，肖胜安，彭虎，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：