【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及。
技术介绍
随着半导体技术的发展，超大规模集成电路芯片的集成度已经高达几亿乃至几十亿个器件的规模，两层以上的多层金属互连技术广泛使用。传统的金属互连是由铝金属制成的，但随着集成电路芯片中器件特征尺寸的不断减小，金属互连线中的电流密度不断增大，要求的响应时间不断减小，传统铝互连线已经不能满足要求，工艺尺寸小于130nm以后，铜互连线技术已经取代了铝互连线技术。与铝相比，金属铜的电阻率更低，铜互连线可以降低互连线的电阻电容(RC)延迟，改善电迁移，提高器件的可靠性。在公开号为US2006/0286797A1的美国专利中公开了一种铜互连结构的形成方法，包括参考图1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100表面形成有第一互连结构110，所述第一互连结构110表面形成第一介质层120，所述第一介质层120具有暴露所述第一互连结构Iio的通孔130 ；参考图2，在所述通孔130的侧壁和底部形成阻挡层140，所述阻挡层140包括依次形成的氮化钽层和钽层；参考图3，采用PVD的方法在所述阻挡层140的表面形成合金种子层150，所述合金种子层...
【技术保护点】
一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一介质层以及贯穿所述第一介质层的第一互连结构；在所述第一介质层和第一互连结构表面形成第二介质层，所述第二介质层的材料含有氧原子，所述第二介质层具有暴露所述第一互连结构的通孔；在所述通孔的侧壁和底部形成合金阻挡层；在所述合金阻挡层表面形成填充满所述通孔的铜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。