【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造工艺，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体技术的发展，超大规模集成电路芯片的集成度已经高达几亿乃至几十亿个器件的规模，两层以上的多层金属互连线技术广泛使用。传统的金属互连线是由铝金属制成的，但随着集成电路芯片中器件特征尺寸的不断减小，金属互连线中的电流密度不断增大，要求的响应时间不断减小，传统的铝互连线已经不能满足要求，工艺尺寸小于130nm以后，铜互连线技术已经取代了铝互连线技术。与铝相比，金属铜的电阻率更低，铜互连线可以降低互连线的电阻电容(RC)延迟，改善电迁移，提高器件的可靠性。但是，金属铜作为互连线也有其缺点，由于铜在硅及其氧化物以及大部分介质中·扩散相当快，且铜一旦进入器件结构中即形成深能级杂质，对器件中的载流子具有很强的陷阱效应，使器件性能退化甚至失效。因此，必须在铜互连线与介质层之间增加一层上扩散阻挡层，以阻止铜的扩散。上扩散阻挡层要求能够较好地阻挡铜的扩散，并且具有较低的介电常数，以及能够与铜及介质层有良好的粘结。常用的上扩散阻挡层材料包括SiOx、SiNx, SiOxNy> SiOF,A1203、SiCN。传统...
【技术保护点】
一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：形成铜互连线；在所述铜互连线上形成上扩散阻挡层，所述上扩散阻挡层是含有硼和氮的化合物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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