一种铜互联线的制作工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互联线的制作工艺。本发明专利技术提出一种铜互联线的制作工艺，通过在沟槽优先的铜互联工艺中采用多胺化合物材料于双重曝光技术中的两层光阻之间形成隔离膜，并依次将光阻中的通孔和金属槽结构转移至介质层，从而替代了传统将金属槽刻蚀和通孔刻蚀分为两个独立步骤的现有工艺，有效地减少了双大马士革金属互连线工艺中的刻蚀步骤，提高产能、减少制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互联线的制作工艺。
技术介绍
随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸在不断缩小。当晶体管的特征尺寸进入到130纳米技术节点之后，由于铝的高电阻特性，铜互连逐渐替代铝互连成为金属互连的主流，现在广泛采用的铜导线的制作方法是大马士革工艺的镶嵌技术，其中沟槽优先双大马士革工艺是实现铜导线和通孔铜一次成形的方法之 O 图Ia-If为本专利技术
技术介绍
中沟槽优先双大马士革工艺的结构流程示意图；如图Ia-If所示，沉积低介电常数介质层12覆盖硅衬底11的上表面后，涂布光刻胶13覆盖介质层12的上表面，依次采用光刻、刻蚀工艺于介质层12中形成金属槽14后，再次涂布光刻胶15充满金属槽14并覆盖剩余的介质层12的上表面，经过光刻、刻蚀工艺后，于金属槽14的底部形成贯穿至硅衬底11的上表面的通孔16，最后利用金属沉积工艺和化学机械研磨工艺，形成金属导线17和金属通孔18。而当晶体管的特征尺寸微缩进入到32纳米及其以下技术节点后，单次光刻曝光已经不能满足制作密集线阵列图形所需的分辨率，于是双重图形(double patterning)成形技术被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜互联线的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一硅衬底的上表面沉积一低介电常数介质层后，涂布可形成硬掩膜的第一光刻胶覆盖所述低介电常数介质层；步骤S2：曝光、显影后，去除多余的第一光刻胶，形成具有金属槽结构的第一硬掩膜光阻；步骤S3：涂布固化材料覆盖所述第一硬掩膜光阻的表面，固化形成隔离膜；步骤S4：涂布可形成硬掩膜的第二光刻胶充满所述金属槽结构并覆盖所述硬掩膜光阻的上表面；？步骤S5：曝光、显影后，去除多余的第二光刻胶，形成具有通孔结构的第二硬掩膜光阻；步骤S6：采用刻蚀工艺，依次将所述第二硬掩膜光阻中的通孔结构和所述第一硬掩膜光阻中的金属槽结构转移至所述低介电常数介质层后，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：