温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种铜互连结构及其制造方法，利用含有硼和氮的化合物作为扩散阻挡层，由于含有硼和氮的化合物具有较低的介电常数，通常在4.0～4.5之间，此外，含有硼和氮的化合物能够与铜很好的粘结，并且具有较高的密度，从而能够很好的阻挡铜的扩散。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。