【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】,该方法包括下列步骤:步骤一,将石墨及其他碳质原料与硅质原料粉碎充分混合,其碳质原料与硅质原料重量比为1:2;步骤二,将步骤一的混合原料装在有充氮气的真空感应炉以15~20℃∕分钟升温,在1300~1700℃保温2~5小时,自然冷却得碳化硅晶须;步骤三,将制作好的碳化硅晶须出炉纯化处理。本专利技术具有生产工艺简单,生产成本低,晶须质量好,可批量生产的优点。【专利说明】
本专利技术涉及材料学
,特别是涉及。
技术介绍
碳化硅晶须具有高熔点、高强度、热膨胀率低、耐腐蚀、耐磨等优良性能,作为陶瓷基、金属基等复合材料的增强增韧剂,作为陶瓷结构、高级耐火材料、耐火涂料的高级原料, 广泛用在机械、电子、航空航天等领域。目前生产工艺复杂,合成有难度,高温加热时受热不均匀,异形晶较多,产量小、生产成本高,不易行成批量生产。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是,提供一种生产工艺简单,成本低,晶须质量好,可批量生产的碳化硅晶须的制作方法。采用的技术方案是:,该方法包括下列步骤:步骤一,将石墨及其他碳质原料与硅质原料粉碎充分混合,其碳质原料与硅质原料重量比为1:2 ;步骤二,将步骤一的混合原料装在有充氮气的真空感应炉以15~20°C /分钟升温,在 130(Tl700°C保温2飞小时,自然冷却得碳化硅晶须;步骤三,将制作好的碳化硅晶须出炉纯化处理。上述的碳质原料为无烟煤、烟煤、炭黑。上述的硅质原料为石英砂、金属硅、致少含80% si2的河沙、海沙。上述的碳化硅晶须出炉纯化处理,可采用脱碳、脱二氧化硅、脱铁的化学处理方法纯化。本专利技术具有 ...
【技术保护点】
一种碳化硅晶须的制作方法,其特征在于包括下列步骤:步骤一,将石墨及其他碳质原料与硅质原料粉碎充分混合,其碳质原料与硅质原料重量比为1:2;步骤二,将步骤一的混合原料装在有充氮气的真空感应炉以15~20℃∕分钟升温,在1300~1700℃保温2~5小时,自然冷却得碳化硅晶须;步骤三,将制作好的碳化硅晶须出炉纯化处理。
【技术特征摘要】
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