一种高纯度氧化硅/碳化硅纳米链状异质结构的制备方法技术

一种高纯度SiC/SiOx纳米链状异质结构的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体配置：将聚硅氮烷(PSN)和聚乙烯(PVP)一定比例溶解于无水乙醇中，室温下搅拌混合形成微乳液；(2)有机前驱体固化：将微乳液在空气气氛下于200℃保温30分钟获得有固态机前驱体；(3)高温热解：将固体有机前驱体置于普通管式气氛烧结炉中进行高温热解，在一定热解温度于保护气氛下热解一定时间即可获得SiC/SiOx纳米链状异质结构。本发明专利技术能够实现具有完美结构的高纯度SiC/SiOx纳米链状异质结构的制备及其在形貌与尺寸分布上的调控，在光电纳米器件等领域具有潜在的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高纯度氧化硅/碳化硅纳米链状异质结构的制备方法，属材料制备

技术介绍
SiC半导体低维纳米材料具有优异的电学特性如宽的带隙、较高的击穿电压、高热导率、高电子迁移率和高电子漂移速率，在苛刻工作环境如高温、高频、大功率、光电子和抗辐射器件等领域具有诱人的应用前景。SiC纳米异质结构能够获得纯SiC低维纳米材料所不具备的独特而丰富物理化学特性，在近期受到人们广泛关注。相比于普通结构的SiC纤维材料和低维纳米材料，SiC/SiOx因其链状形貌特征而具有的独特增强效果，作为结构单元有望用作高性能复合材料的增强体。同时，近期研究报道表明，SiOx纳米珠状结构具有优异的深紫外光发射等物理特性。因而，如果能够有效地在SiC低维纳米结构表面周期性生长SiOx纳米珠状结构，实现SiC和SiOx两种材料的有机复合进而实现其纳米异质结构的制备,将能丰富SiC基纳米材料的光电特性，作为功能单元在光电器件如发光二极管等领域具有潜在的应用前景。纳米材料得以真正器件化应用的重要基础之一是实现其高纯度材料的制备。基于上述SiC/SiOx纳米链状异质结构的潜在应用前景，目前国内外已有一些研究工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯度SiC/SiOx纳米链状异质结构的制备方法，其包括以下具体步骤：1)有机前驱体配置：将聚硅氮烷(PSN)和聚乙烯(PVP)按一定比例溶解于无水乙醇中，搅拌混合形成微乳液；2)有机前驱体固化：将微乳液在空气气氛下于200℃保温30min获得有固态机前驱体纤维；3)高温热解：将固体有机前驱体纤维置于气氛炉中进行高温热解，在一定热解温度于保护气氛下热解一定时间即可制备出高纯度SiC/SiOx纳米链状异质结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨为佑，侯慧林，王霖，
申请(专利权)人：宁波工程学院，
类型：发明
国别省市：