【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于无机非金属材料制备领域,具体涉及一种碳化硅晶须的制备方法。
技术介绍
碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等优良性能,可作为金属基、陶瓷基、树脂基等复合材料的增韧填充物,被广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。在现有的制备方法中,专利技术专利《》(申请号99110846. 9,公开号1281910,公开日2001-01-31)将净碳质溶胶和净硅溶胶按碳和硅摩 尔比3 8 :1于室温下搅拌混合24小时,制得二元净炭质-硅溶胶,在10(Tl5(rC干燥4飞小时得元干凝胶,或进行超临界干燥2(Γ180分钟,得到二元凝胶,然后进行碳热还原反应,最后脱碳,脱去SiO2,制得纯纳米碳化硅晶须。此方法存在如下缺陷1、原料纯度和成本高;2、生产中使用的高温炉结构复杂,造价高;3、生产工艺复杂、合成难度大等缺点,导致不能大规模生产碳化硅晶须。因此,迫切需要寻找一种低成本、无污染、工艺简单、快速制备纳米碳化硅晶须的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供,解决了现有制备方法生产工艺复杂以及合成难度大的问题。本专利技术所采取的技术方案是,具体包括以下步骤步骤I,将稻壳灰和炭黑混合形成混合原料;步骤2,将聚四氟乙烯与步骤I的混合原料充分混合形成反应剂;步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨12 18小时,得到混合浆体;步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以10(Tl80°C的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;步骤5,将步骤4得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩 ...
【技术保护点】
一种纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:步骤1,将稻壳灰和炭黑混合形成混合原料;步骤2,将聚四氟乙烯与步骤1的混合原料充分混合形成反应剂;步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨12~18小时,得到混合浆体;步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以100~180℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;步骤5,将步骤4得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩埚中,并将坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气至适当压力,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温一定时间后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
【技术特征摘要】
1.一种纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于具体包括以下步骤 步骤I,将稻壳灰和炭黑混合形成混合原料; 步骤2,将聚四氟乙烯与步骤I的混合原料充分混合形成反应剂; 步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨12 18小时,得到混合浆体; 步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以10(Tl8(rC的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料; 步骤5,将步骤4得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩埚中,并将坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气至适当压力,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温一定时间后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化...
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